【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管及其制作方法。
技术介绍
1、发光二极管广泛地应用于照明以及显示领域。
2、相关技术中在倒装发光二极管中设置银镜结构，以增强倒装发光二极管的光强，同时，银镜结构在发光二极管中还会具有导电的作用，用于连接电极与半导体层，因此具有银镜结构的发光二极管其可靠性要求非常高，通常要求失效率低于1ppm，因此芯片结构及工艺流程对可靠性十分重要。
3、相关技术中，在制作具有银镜结构的倒装发光二极管时或在后续使用过程中，银镜结构容易被腐蚀或氧化，不利于发光二极管的可靠性。同时，相关技术中的发光二极管，由于其外延层表面的缺陷态密度较高，电子会在有源层之外与缺陷进行复合，从而导致迁移至有源层的电子数量减少，不利于发光二极管的光强。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，可以避免银镜结构被腐蚀，同时，还可以降低外延层表面的缺陷态密度，提升发光二极管的光强。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：
3、衬底、缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、ito层、第一钝化层、反射银层、第二钝化层、第一电极和第二电极；
4、所述缓冲层、所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层、所述ito层和所述第一钝化层依次层叠在所述衬底表面，所述缓冲层、所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述ito层形成台阶结构，所述第一钝化层覆盖所述台阶结
5、所述反射银层位于所述第一钝化层表面，所述反射银层贯穿所述第一钝化层与所述ito层连接；
6、所述第二钝化层覆盖所述反射银层和所述第一钝化层，所述第二钝化层包括依次层叠的第二al2o3层与第二sio2层；
7、所述第一电极贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层并与所述第一半导体层连接，所述第二电极贯穿所述第二钝化层与所述反射银层连接。
8、可选地，所述第一al2o3层厚度为300～700埃，所述第一sio2层厚度为4500～5500埃。
9、可选地，所述第二al2o3层厚度为300～700埃，所述第二sio2层厚度为800～1200埃。
10、可选地，所述反射银层包括：
11、依次层叠的第一ti层、ag层、第一ni层、第一tiw层、第二ni层、第二tiw层和第二ti层。
12、可选地，所述第一ti层厚度为5～10埃，所述ag层厚度为350～450埃，所述第一ni层厚度为120～200埃，所述第一tiw层厚度为250～350埃，所述第二ni层厚度为120～200埃，所述第二tiw层厚度为250～350埃，所述第二ti层厚度为20～40埃。
13、可选地，所述第一钝化层和所述第二钝化层中包含2～50个周期交替层叠的al2o3层和sio2层。
14、另一方面，提供了一种发光二极管的制作方法，所述方法包括：
15、在衬底上依次形成缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和ito层，所述缓冲层、所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述ito层形成台阶结构；
16、制作第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述台阶结构，所述第一钝化层包括依次层叠的带负电的第一al2o3层和带正电的第一sio2层，所述第一al2o3层采用原子层沉积ald技术制成，所述第一sio2层采用增强型等离子体化学气相沉积pecvd技术制成；
17、在所述第一钝化层表面制作反射银层，所述反射银层贯穿所述第一钝化层与所述ito层连接；
18、制作第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述反射银层和所述第一钝化层，所述第二钝化层包括依次层叠的第二al2o3层和第二sio2层；
19、制作第一电极与第二电极，所述第一电极贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层与所述第一半导体层连接，所述第二电极贯穿所述第二钝化层与所述反射银层连接。
20、可选地，所述制作第一钝化层，包括：
21、采用ald技术，以tmal和h2o为反应前驱物制作所述第一al2o3层；
22、在所述第一al2o3层上采用pecvd技术制作所述第一sio2层。
23、可选地，所述在所述第一钝化层表面制作反射银层，所述反射银层贯穿所述第一钝化层并与所述ito层连接，包括：
24、在所述第一钝化层表面形成第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述第一钝化层与所述ito层连通；
25、在所述第一钝化层表面以及所述第一凹槽中蒸镀所述反射银层，所述反射银层包括依次层叠的第一ti层、ag层、第一ni层、第一tiw层、第二ni层、第二tiw层和第二ti层。
26、可选地，所述在所述衬底表面依次形成缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层，包括：
27、在所述衬底表面生长低温aln层形成所述缓冲层；
28、在所述缓冲层表面依次生长n型algan层和n型in0.01ga0.99n波导层以形成所述第一半导体层；
29、在所述第一半导体层表面依次生长多个周期的alxga1-xn/alyga1-yn以形成所述有源层，其中，0<x<y<1；
30、在所述有源层表面依次生长p型algan阻挡层、p型al0.15in0.03ga0.82n层、p型ga0.98in0.02n阻挡层、p型al0.11in0.02ga0.87n层和p型gan层以形成所述第二半导体层。
31、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
32、在本公开实施例中，通过在台阶结构表面设置第一钝化层，第一钝化层包括依次层叠的第一al2o3层和第一sio2层。第一al2o3层采用ald技术形成，带负电，由于同电性之间相互排斥，带负电的第一al2o3层会对电子起到排斥作用，从而避免电子与外延层表面的缺陷复合。第一sio2层采用pecvd技术形成，带正电，带正电的第一sio2层可以有效减少外延层表面的缺陷态密度。从而采用层叠的第一al2o3和第一sio2层形成的第一钝化层，可以有效降低电子在外延层表面的复合，使得更多的载流子在有源层复合，以提升发光二极管的光强。同时，在反射银层表面设置第二钝化层，第二钝化层包括依次层叠的第二al2o3层和第二sio2层，第二al2o3的保护效果更好，sio2层的成本更低，采用层叠的第二al2o3层与第二sio2层既可实现对反射银层具有较好的保护效果，提升发光二极管的可靠性，又可以使得整体的制作成本较低。
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1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一Al2O3层厚度为300～700埃，所述第一SiO2层厚度为4500～5500埃。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二Al2O3层厚度为300～700埃，所述第二SiO2层厚度为800～1200埃。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述反射银层(108)包括：
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一Ti层厚度为5～10埃，所述Ag层厚度为350～450埃，所述第一Ni层厚度为120～200埃，所述第一TiW层厚度为250～350埃，所述第二Ni层厚度为120～200埃，所述第二TiW层厚度为250～350埃，所述第二Ti层厚度为20～40埃。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一钝化层(107)和所述第二钝化层(109)中包含2～50个周期交替层叠的Al2O3层和SiO2层。
7.一种发光二极管的制作方法，其特征在于
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述制作第一钝化层，包括：
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层表面制作反射银层，所述反射银层贯穿所述第一钝化层与所述ITO层连接，包括：
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面依次形成缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一al2o3层厚度为300～700埃，所述第一sio2层厚度为4500～5500埃。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二al2o3层厚度为300～700埃，所述第二sio2层厚度为800～1200埃。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述反射银层(108)包括：
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一ti层厚度为5～10埃，所述ag层厚度为350～450埃，所述第一ni层厚度为120～200埃，所述第一tiw层厚度为250～350埃，所述第二ni层厚度为120～...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖和平，汪洋，黄彪彪，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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