【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种图像传感器的形成方法及图像传感器。
技术介绍
1、随着cmos图像传感器在诸多领域，例如手机、监控、自动驾驶、增强现实、机器视觉等领域的广泛应用，对cmos图像传感器的性能要求不仅也来越高，对其功能要求也越来越多。比如高动态（hdr）技术，全局快门（gs）技术等。实现新的功能往往需要增加额外的电容以及晶体管，而额外的电容以及晶体管又会占用芯片的面积，提高芯片的制造成本。尤其是需要集成在像素单元内部的电容，会大大增加工艺的难度以及面积。hdr技术以及gs技术均需要用到额外的电容。针对hdr技术的电容有mos电容，mim电容，金属coupling 电容；针对gs 技术的电容有pn结电容等。这样的电容构造往往面临电容值较小，成本较高，占用面积较大，引起光生噪声等缺点。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种图像传感器形成方法，在栅极形成之前，包括：
2、刻蚀半导体衬底，形成用于所述图像传感器的感光区域像素单元之间隔离的第一沟槽形成第一沟槽，于...
【技术保护点】
1.一种图像传感器形成方法，其特征在于，在栅极形成之前，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述于其中至少部分所述第一沟槽中形成所述图像传感器中的至少部分电容包括：
3.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述多晶半导体层的表面粗糙度不低于预设的阈值。
4.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述形成用于所述图像传感器像素单元之间隔离的第一沟槽包括：
5.如权利要求4所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述按照预设的光刻图形，刻蚀所述半导体衬底，形成所述第一沟槽包括
6....
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器形成方法，其特征在于，在栅极形成之前，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述于其中至少部分所述第一沟槽中形成所述图像传感器中的至少部分电容包括：
3.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述多晶半导体层的表面粗糙度不低于预设的阈值。
4.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述形成用于所述图像传感器像素单元之间隔离的第一沟槽包括：
5.如权利要求4所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述按照预设的光刻图形，刻蚀所述半导体衬底，形成所述第一沟槽包括：
6.如权利要求5所述的图像传感器形成方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭文冰，黄琨，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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