【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片加工技术，尤其涉及一种芯片处理方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品及量子芯片。
技术介绍
1、由于量子计算是利用叠加态的原理进行计算，因此量子计算在特定问题上由于比传统计算机更强大的计算能力引起了学术界和产业界的极大兴趣。量子计算的计算能力主要取决于弛豫时间以及可扩展性。为实现较好的可扩展性，通常选用超导材料在基底上制备非线性的电路来构造量子比特，此时影响量子比特弛豫时间的重要因素是基底本征模式。
2、由于基底本征模式对量子比特相干性的影响，导致豫驰时间较短从而限制量子计算的计算能力，相关技术中对此尚无有效解决方式。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种芯片处理方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品及量子芯片，能够减小芯片基底的本征频率对量子比特相干性的影响，延长量子芯片的相干时间，增加量子芯片的计算能力。
2、本申请实施例的技术方案是这样实现的：
3、本申请实施例提供一种芯片处理方法，包括：
4、确定芯片基底的初始的本征频率；
5、基于初始的本征频率与量子工作频率之间的比较结果，对所述芯片基底的第一表面进行图案刻蚀处理，得到第二表面完整且所述第一表面具有目标图案的芯片基底；
6、其中，量子工作频率是量子电路的量子比特的工作频率，所述第二表面与所述第一表面是相对的，所述目标图案是所述芯片基底的本征频率与所述量子工作频率之间的差值最大时的图案；
7
8、本申请实施例提供一种芯片处理装置，包括：。
9、确定模块，用于确定芯片基底的初始的本征频率；
10、刻蚀模块，用于基于初始的本征频率与量子工作频率之间的比较结果，对所述芯片基底的第一表面进行图案刻蚀处理，得到第二表面完整且所述第一表面具有目标图案的芯片基底；
11、其中，量子工作频率是量子电路的量子比特的工作频率，所述第二表面与所述第一表面是相对的，所述目标图案是所述芯片基底的本征频率与所述量子工作频率之间的差值最大时的图案；
12、制备模块，用于对经过图案刻蚀处理的芯片基底的第二表面执行针对所述量子电路的制备处理，得到量子芯片。
13、在上述方案中，所述确定模块，还用于：当所述芯片基底的第一表面是矩形时，获取所述第一表面的长度以及宽度；基于所述第一表面的长度以及宽度，确定所述芯片基底的初始的本征频率。
14、在上述方案中，所述确定模块，还用于：对所述长度进行平方处理，得到第一平方结果，并对所述宽度进行平方处理，得到第二平方结果；确定圆周率常数的平方结果与所述第一平方结果的第一比值、以及所述圆周率常数的平方结果与所述第二平方结果的第二比值；对所述第一比值与所述第二比值的求和结果进行开方处理，得到开方结果；将所述开方结果与基底常数的比值作为初始的本征频率，其中，所述基底常数是基于所述芯片基底的磁导率以及所述芯片基底的介电常数得到的。
15、在上述方案中，所述刻蚀模块，还用于：在基于初始的本征频率与量子工作频率之间的比较结果，对所述芯片基底的第一表面进行图案刻蚀处理，得到第二表面完整且所述第一表面具有目标图案的芯片基底之前，当初始的本征频率小于所述量子工作频率时，获取所述芯片基底的本征频率取得最小值时所述第一表面的目标图案；当初始的本征频率不小于所述量子工作频率时，获取所述芯片基底的本征频率取得最大值时所述第一表面的目标图案。
16、在上述方案中，当初始的本征频率小于所述量子工作频率时，所述目标图案是在所述第一表面的中心位置具有立方体凹陷。当初始的本征频率不小于所述量子工作频率时，所述目标图案是在所述第一表面的中心位置具有立方体凸台。
17、在上述方案中，所述刻蚀模块，还用于：获取所述芯片基底的几何参数、所述芯片基底的材质以及所述芯片基底的多个候选图案；调用第一神经网络模型执行以下处理：获取对应所述几何参数的几何特征、对应所述材质的材质特征以及每个所述候选图案的图案特征；针对每个所述候选图案，对所述几何特征、所述材质特征以及所述候选图案的图案特征进行融合处理，得到第一融合特征，并对所述第一融合特征进行第一映射处理，得到所述候选图案的预测本征频率；对所述多个候选图案的预测本征频率进行由小到大排序，将排序在首位的预测本征频率对应的候选图案作为所述目标图案。
18、在上述方案中，所述刻蚀模块，还用于：获取所述芯片基底的几何参数、所述芯片基底的材质以及所述芯片基底的多个候选图案；调用第一神经网络模型执行以下处理：获取对应所述几何参数的几何特征、对应所述材质的材质特征以及每个所述候选图案的图案特征；针对每个所述候选图案，对所述几何特征、所述材质特征以及所述候选图案的图案特征进行融合处理，得到第一融合特征，并对所述第一融合特征进行第一映射处理，得到所述候选图案的预测本征频率；对所述多个候选图案的预测本征频率进行由大到小排序，将排序在首位的预测本征频率对应的候选图案作为所述目标图案。
19、在上述方案中，所述芯片基底的第一表面为平面，所述刻蚀模块，还用于：在获取所述芯片基底的本征频率取得最小值时所述第一表面的目标图案之前，对所述芯片基底的第一表面进行多次模拟切割处理，直至所述芯片基底的第一表面再次成为平面；针对每次模拟切割处理得到的芯片基底的第一表面执行以下处理：将电磁波在所述芯片基底的第一表面进行仿真传播，并获取传播过程中出现共振现象时所述电磁波的传输频率；将对应每次所述模拟切割处理的传输频率进行由小到大的排序，将排序在首位的传输频率确定为取得最小值的本征频率。
20、在上述方案中，所述芯片基底的第一表面为平面，所述刻蚀模块，还用于：在获取所述芯片基底的本征频率取得最大值时所述第一表面的目标图案之前，对所述芯片基底的第一表面进行多次模拟切割处理，直至所述芯片基底的第一表面再次成为平面；针对每次模拟切割处理得到的芯片基底的第一表面执行以下处理：将电磁波在所述芯片基底的第一表面进行仿真传播，并获取传播过程中出现共振现象时所述电磁波的传输频率；将对应每次所述模拟切割处理的传输频率进行由大到小的排序，将排序在首位的传输频率确定为取得最大值的本征频率。
21、在上述方案中，任意一次所述模拟切割处理为以下处理中任意一种：获取砂轮切割单元，基于所述砂轮切割单元对所述芯片基底的第一表面进行模拟切割；获取模拟光束在所述芯片基底第一表面的移动轨迹以及所述模拟光束在所述移动过程中对应每个位置的停留时间，基于所述移动轨迹以及所述停留时间对所述芯片基底的第一表面进行模拟切割处理。
22、本申请实施例提供一种量子芯片，所述量子芯片的芯片基底包括相对的第一表面以及第二表面；
23、所述第一表面具有目标图案，其中，所述目标图案是所述芯片基底的本征频率与量子工作频率之间的差值最大时的图案；
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【技术保护点】
1.一种芯片处理方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定芯片基底的初始的本征频率，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一表面的长度以及宽度，确定所述芯片基底的初始的本征频率，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述芯片基底的第一表面进行图案刻蚀处理，得到第二表面完整且所述第一表面具有目标图案的芯片基底之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获取所述芯片基底的本征频率取得最小值时所述第一表面的目标图案之前，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获取所述芯片基底的本征频率取得最大值时所述第一表面的目标图案，包括：
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述芯片基底的第一表面为平面，在获取所述芯片基底的本征频率取得最小值时所述第一表面的目标图案之前，所述方法还包括：
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述芯片基底的第一表面为平面，在获取所述芯片基底的本征频率
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，任意一次所述模拟切割处理为以下处理中任意一种：
10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
11.一种量子芯片，其特征在于，
12.一种芯片处理装置，其特征在于，所述装置包括：
13.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
14.一种计算机可读存储介质，存储有可执行指令，其特征在于，所述可执行指令被处理器执行时实现权利要求1至10任一项所述的芯片处理方法。
15.一种计算机程序产品，包括计算机程序或指令，其特征在于，所述计算机程序或指令被处理器执行时实现权利要求1至10任一项所述的芯片处理方法。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片处理方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定芯片基底的初始的本征频率，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一表面的长度以及宽度，确定所述芯片基底的初始的本征频率，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述芯片基底的第一表面进行图案刻蚀处理，得到第二表面完整且所述第一表面具有目标图案的芯片基底之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获取所述芯片基底的本征频率取得最小值时所述第一表面的目标图案之前，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获取所述芯片基底的本征频率取得最大值时所述第一表面的目标图案，包括：
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述芯片基底的第一表面为平面，在获取所述芯片基底的本征频率取得最小值时所述第一表...
【专利技术属性】
技术研发人员：李登峰，张文龙，戴茂春，卜坤亮，淮赛男，
申请(专利权)人：腾讯科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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