一种气体压力传感器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种气体压力传感器及其制备方法，属于压力传感器技术领域。它包括陶瓷基板和与陶瓷基板连接的管壳，所述管壳内的陶瓷基板上设有MEMS压力敏感芯片和ASIC处理芯片，所述管壳一侧敞口，且该敞口处面向MEMS压力敏感芯片的压力感应端面，管壳内灌封有导压胶体；其制备方法包括在陶瓷基板上制作导带线路；依次将ASIC处理芯片和MEMS压力敏感芯片粘结在陶瓷基板上并进行键合引线键合及测试；将管壳连接在陶瓷基板上；在管壳内填充导压胶体并固化。本发明专利技术管壳内灌封有的导压胶体，使导压胶包覆元器件，将元器件与气体隔离，这种封装结构可以让压力传感器适用于高低温、高湿度，高盐碱性环境，提高其适用性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压力传感器，具体涉及一种气体压力传感器及其制备方法。

技术介绍

1、压力传感器是工业实践中最为常用的一种传感器，其广泛应用于各种工业自控环境，涉及水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。

2、一般气体压力传感器虽然可以通过直接或间接测量的方式实现气体压力测量，但对整体体积有严格要求的设备来说，一般的气体压力传感器将不能适用。在高、低温、海拔高度、高湿度、环境盐碱性不同的环境中，一般的气体压力传感器在高湿度，高盐碱性环境中使用一段时间后，会存在传感器元器件等不同程度腐蚀，精度降低，信号传输异常等影响使用的问题。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中气体压力传感器在高湿度，高盐碱性环境影响使用的问题，本专利技术提供了一种气体压力传感器及其制备方法。

2、它采用了如下技术方案：

3、一种气体压力传感器，包括陶瓷基板和与陶瓷基板连接的管壳，所述管壳内的陶瓷基板上设有mems压力敏感芯片和asic处理芯片，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气体压力传感器，包括陶瓷基板（1）和与陶瓷基板（1）连接的管壳（7），其特征在于：所述管壳（7）内的陶瓷基板（1）上设有MEMS压力敏感芯片（2）和ASIC处理芯片（3），所述管壳（7）一侧敞口，且该敞口处面向MEMS压力敏感芯片（2）的压力感应端面，管壳（7）内灌封有导压胶体（6）。

2.根据权利要求1所述的一种气体压力传感器，其特征在于：所述MEMS压力敏感芯片（2）为绝压型压力敏感芯片。

3.根据权利要求1所述的一种气体压力传感器，其特征在于：所述MEMS压力敏感芯片（2）为表压型压力敏感芯片；MEMS压力敏感芯片（2）所在的陶瓷基板（1）区域上设有...

【技术特征摘要】

1.一种气体压力传感器，包括陶瓷基板（1）和与陶瓷基板（1）连接的管壳（7），其特征在于：所述管壳（7）内的陶瓷基板（1）上设有mems压力敏感芯片（2）和asic处理芯片（3），所述管壳（7）一侧敞口，且该敞口处面向mems压力敏感芯片（2）的压力感应端面，管壳（7）内灌封有导压胶体（6）。

2.根据权利要求1所述的一种气体压力传感器，其特征在于：所述mems压力敏感芯片（2）为绝压型压力敏感芯片。

3.根据权利要求1所述的一种气体压力传感器，其特征在于：所述mems压力敏感芯片（2）为表压型压力敏感芯片；mems压力敏感芯片（2）所在的陶瓷基板（1）区域上...

【专利技术属性】
技术研发人员：江松，邹治弢，王自刚，闫洁，张少文，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：