半导体设备制造技术

一种半导体设备包括晶体振荡器电路、第一噪声施加电路和第二噪声施加电路。第一噪声施加电路被连接到晶体振荡器电路，并且被配置成通过向第一外部端子和第二外部端子选择性地施加相反相位的初始噪声来驱动晶体谐振器。第二噪声施加电路通过将第一外部端子处的信号放大并且将经放大的信号返回到第一外部端子，来向第一外部端子施加第二噪声，由此驱动晶体振荡器电路的振荡放大器和晶体谐振器，并且缩短晶体振荡器电路的启动时间。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体设备，并且是特别有效地应用于具有振荡器电路的半导体设备的技术，该振荡器电路在与晶体谐振器耦合时振荡。

技术介绍

1、下面列出了公开的技术。

2、[非专利文献1]shunta iguchi，“92％ start-up time reduction byvariation-tolerant chirp injection(ci)and negative resistance booster(nrb)in39mhz crystal oscillator”，ieee symposium.vlsi circuits digest of technicalpapers，2014年6月，第236-237页

3、[非专利文献2]karim m.megawer，“a 54mhz crystal oscillator-up time reduction using 2-step injection in 65nm cmos”，ieeeinternational solid-state circuits conference(issc本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体设备，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体设备，

3.根据权利要求1所述的半导体设备，

4.根据权利要求3所述的半导体设备，

5.根据权利要求1所述的半导体设备，

6.根据权利要求5所述的半导体设备，

7.根据权利要求5所述的半导体设备，包括：

8.根据权利要求1所述的半导体设备，

9.根据权利要求8所述的半导体设备，

【技术特征摘要】

1.一种半导体设备，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体设备，

3.根据权利要求1所述的半导体设备，

4.根据权利要求3所述的半导体设备，

5.根据权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：西冈草志郎，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：