【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子,特别涉及一种igbt模块基板的激光阻焊工艺。
技术介绍
1、随着各个地区经济的飞速发展和科技的进步,igbt模块是由igbt(绝缘栅双极型晶体管芯片)与fwd(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,封装后的igbt模块直接应用于变频器、ups不间断电源等设备上。
2、将igbt芯片封装成模块过程中,一般使用陶瓷覆铜板(dbc板)实现绝缘、导热、焊接、导电等性能,dbc是由陶瓷基材、键合粘接层及导电层而构成,它是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝陶瓷基片表面上的特殊工艺方法,其具有高导热特性,高的附着强度,优异的软钎焊性和优良电绝缘性能。
3、产品的结构可参照公开号为cn201821488564.4中所公开的一种应用于igbt功率模块封装的陶瓷覆铜板装置,包含散热底板、dbc板、连桥、igbt芯片和fwd芯片、铝线,所述散热底板的上方设置有dbc板,且dbc板的内侧安置有dbc板第一区域,所述dbc板第二区域固定于dbc板的内部,且dbc板的内侧设置有dbc板第三区域
...【技术保护点】
1.一种IGBT模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:包括IGBT主板和DBC基板;所述IGBT主板通过激光开槽得到阻焊槽,该阻焊槽由IGBT主板中金属成分经激光加热氧化形成;
2.根据权利要求1所述的IGBT模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:所述阻焊槽的首尾相连。
3.根据权利要求2所述的IGBT模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:所述阻焊槽呈框状。
4.根据权利要求1所述的IGBT模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:所述阻焊槽由IGBT主板中镍和铜经激光加热氧化形成。
5.根据权利要求1所述的IGBT模块基板的激光阻
...【技术特征摘要】
1.一种igbt模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:包括igbt主板和dbc基板;所述igbt主板通过激光开槽得到阻焊槽,该阻焊槽由igbt主板中金属成分经激光加热氧化形成;
2.根据权利要求1所述的igbt模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:所述阻焊槽的首尾相连。
3.根据权利要求2所述的igbt模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:所述阻焊槽呈框状。
4.根据权利要求1所述的igbt模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:所述阻焊槽由igbt主板中镍和铜经激光加热氧化形成。
5.根据权利要求1所述的igbt模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:所述igbt主板上还覆盖有隔离层,该隔离层的轮廓与igbt主板的轮廓上下重叠。
6.根据权利要求5所述的igbt模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:所述隔离层的材质为阻焊油墨。
7.根据权利要求5所述的igbt模块基板的激光阻焊工艺,其特征在于:所述隔离层上印刷有阻焊剂,阻焊剂围合形成的空间与...
【专利技术属性】
技术研发人员:章恒镖,
申请(专利权)人:杭州骉昇科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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