【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电容器，具体涉及一种薄膜平板电容器及其制备方法和应用。
技术介绍
1、电容器作为三大无源元件之一，在电子电路中占有重要地位。随着无线技术的迅猛发展，工作频率的不断升高，对元器件的小型化要求越来越高。目前，微组装用单层芯片电容器(slc)在电子通信设备中广泛生产使用。现有微组装用单层电容器主要分为单层瓷介电容器和2d/3d硅基电容器两种。瓷介电容器由于使用陶瓷基板作为介质层，基板厚度受到加工能力限制，瓷介电容器的容量密度受到限制。2d/3d硅基电容器具有较高的容量密度，但是由于硅基电容器将重掺杂硅衬底作为导电材料使用，造成产品的插入损耗偏高，无法满足高频场景的使用。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种薄膜平板电容器及其制备方法和应用，本专利技术提供的电容器具有较高的容量密度的同时具有良好的高频性能。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种薄膜平板电容器，包括依次层叠的底电极层、衬底层、下电极层、介质层、上电极层、缓冲层和顶电极层；
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【技术保护点】
1.一种薄膜平板电容器，其特征在于，包括依次层叠的底电极层、衬底层、下电极层、介质层、上电极层、缓冲层和顶电极层；
2.根据权利要求1所述薄膜平板电容器，其特征在于，所述衬底层和缓冲层中通孔填充的金属独立的包括金、铂、银、银钯合金、镍、钼、铝和铜中的一种或几种；
3.根据权利要求2所述薄膜平板电容器，其特征在于，所述无机非金属材料包括玻璃、陶瓷、氮化镓、砷化镓或碳化硅；
4.根据权利要求1所述薄膜平板电容器，其特征在于，所述底电极层的厚度为3μm～5μm，所述下电极层的厚度为3μm～5μm，所述上电极层的厚度为50nm～300nm，...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜平板电容器，其特征在于，包括依次层叠的底电极层、衬底层、下电极层、介质层、上电极层、缓冲层和顶电极层；
2.根据权利要求1所述薄膜平板电容器，其特征在于，所述衬底层和缓冲层中通孔填充的金属独立的包括金、铂、银、银钯合金、镍、钼、铝和铜中的一种或几种；
3.根据权利要求2所述薄膜平板电容器，其特征在于，所述无机非金属材料包括玻璃、陶瓷、氮化镓、砷化镓或碳化硅；
4.根据权利要求1所述薄膜平板电容器，其特征在于，所述底电极层的厚度为3μm～5μm，所述下电极层的厚度为3μm～5μm，所述上电极层的厚度为50nm～300nm，所述顶电极层的厚度为3μm～5μm；
5.根据权利要求1所述薄膜平板电容器，其特征在于，所述底电极层和衬底层之间设置有第一粘附层，所述衬底层和下电极层之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：段成辉，赵伟利，董荷玉，王帅，徐延初，
申请(专利权)人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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