【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电子器件制造，具体涉及一种晶片切割装置、划膜测高方法及切割方法，特别是涉及一种砷化镓晶片切割装置。
技术介绍
1、砷化镓是一种重要的半导体材料，砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，可用于生产二极管、场效应晶体管(fet)和集成电路(ic)等，广泛应用于高端军事电子、光纤通信系统、宽带卫星无线通信系统、测试仪器、汽车电子、激光、照明等领域。
2、目前主要通过划刀片切割的方式对砷化镓晶片进行切割：划片机以强力磨削为划切机理，空气静压电主轴为执行元件，以每分钟3万到6万的转速划切晶片的划切区域，承载着晶片的工作台(工作台顶部设置蓝膜以支撑晶片)以一定的速度沿刀片与晶片接触点的划切线方向呈直线运动，将每一个具有独立电气的芯片分裂出来。
3、对砷化镓晶片切割的工艺要求较高，例如切割深度公差需小于等于2微米，由于刀具的磨损，以及工作台蓝膜的厚度误差等，需要在划切过程中检测并调整划切深度，目前主要利用刀片在蓝膜上的切割痕迹来判定切割深度并调整刀片的高度。
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【技术保护点】
1.一种晶片切割装置，其特征在于，包括工作台、切割主轴、刀具和高度测量机构，所述刀具连接在切割主轴的端部，所述工作台上设置有薄膜，所述薄膜用于支撑待切割晶片，所述切割主轴用于带动所述刀具在工作台上对薄膜进行切割；
2.根据权利要求1所述的晶片切割装置，其特征在于，所述调节组件包括主轴移动架和工作台移动架，所述工作台移动架的顶部设置有第一移动滑道，所述工作台能够在第一移动滑道上沿X方向滑动；所述主轴移动架上设置有第二移动滑道，所述切割主轴能够在第二移动滑道上沿Z方向滑动。
3.根据权利要求1所述的晶片切割装置，其特征在于，所述高度测量机构上还设置...
【技术特征摘要】
1.一种晶片切割装置，其特征在于，包括工作台、切割主轴、刀具和高度测量机构，所述刀具连接在切割主轴的端部，所述工作台上设置有薄膜，所述薄膜用于支撑待切割晶片，所述切割主轴用于带动所述刀具在工作台上对薄膜进行切割；
2.根据权利要求1所述的晶片切割装置，其特征在于，所述调节组件包括主轴移动架和工作台移动架，所述工作台移动架的顶部设置有第一移动滑道，所述工作台能够在第一移动滑道上沿x方向滑动；所述主轴移动架上设置有第二移动滑道，所述切割主轴能够在第二移动滑道上沿z方向滑动。
3.根据权利要求1所述的晶片切割装置，其特征在于，所述高度测量机构上还设置有光源，所述光源用于为ccd拍摄提供光照条件。
4.根据权利要求1所述的晶片切割装置，其特征在于，所述调节组件还包括控制电路，所述光源、ccd和数据处理器与控制电路连接，所述控制电路还用于控制所述x方向滑动、y方向滑动和z方向滑动。
5.根据权利要求1-4任一项所述的晶片切割装置，其特征在于，所述工作台包括底座，所述底座上设...
【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，谢贵久，李丹，袁晓春，
申请(专利权)人：北京中电科电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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