【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的实施方式涉及三维(3d)半导体存储器件，更具体地，涉及具有提高的可靠性和集成密度的3d半导体存储器件。
技术介绍
1、半导体器件已被高度集成以提供优异性能和低制造成本。半导体器件的集成密度直接影响半导体器件的成本，从而导致对高度集成的半导体器件的需求。二维(2d)或平面半导体器件的集成密度可以主要由单位存储单元占据的面积确定。因此，2d或平面半导体器件的集成密度会极大地受到形成精细图案的技术影响。然而，因为需要相对高价的设备来形成精细图案，所以2d半导体器件的集成密度持续增大但仍然受到限制。因此，已经开发了三维(3d)半导体存储器件来克服上述限制。3d半导体存储器件可以包括三维布置的存储单元。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施方式可以提供能够提高可靠性和集成密度的三维(3d)半导体存储器件。
2、在一方面，一种3d半导体存储器件可以包括：在水平半导体层上的源极结构，该源极结构包括顺序地堆叠在水平半导体层上的第一源极导电图案和第二源极导电图案；电极结构，包括垂直堆叠在源极结构上的多个电极；以及穿透电极结构和源极结构的垂直半导体图案，其中垂直半导体图案的侧壁的一部分与源极结构接触。第一源极导电图案可以包括不连续界面，该不连续界面在水平半导体层的顶表面与第二源极导电图案的底表面之间的水平处。
3、在一方面，一种3d半导体存储器件可以包括：在水平半导体层上的源极结构，该源极结构包括顺序地堆叠在水平半导体层上的第一源极导电图案和第二源极导电图案；
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1.一种三维(3D)半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的3D半导体存储器件，其中所述水平半导体层在所述垂直方向上具有第三厚度，以及
3.根据权利要求1所述的3D半导体存储器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的3D半导体存储器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的3D半导体存储器件，其中所述第一源极导电图案包括位于所述水平半导体层的顶表面与所述第二源极导电图案的底表面之间的水平处的不连续界面。
6.根据权利要求1所述的3D半导体存储器件，其中所述第一源极导电图案包括：
7.根据权利要求6所述的3D半导体存储器件，
8.根据权利要求1所述的3D半导体存储器件，其中所述第一源极导电图案包括：
9.根据权利要求1所述的3D半导体存储器件，
10.根据权利要求1所述的3D半导体存储器件，还包括：
11.根据权利要求10所述的3D半导体存储器件，其中所述数据存储图案的所述底表面位于所述电极中的最下面的电极的底表面与所述第二源极导电图案的所述底表面之间的水平处。
12.一种三维(3D)半导体存储器件，包括：
13.根据权利要求12所述的3D半导体存储器件，其中所述水平半导体层在所述垂直方向上具有第三厚度，以及
14.根据权利要求12所述的3D半导体存储器件，其中所述第一源极导电图案包括：
15.根据权利要求12所述的3D半导体存储器件，还包括：
16.根据权利要求15所述的3D半导体存储器件，其中所述源极插塞包括与所述源极结构相邻的下部和与所述电极结构相邻的上部，以及
17.根据权利要求12所述的3D半导体存储器件，还包括：
18.一种三维(3D)半导体存储器件，包括：
19.根据权利要求18所述的3D半导体存储器件，其中所述第一源极导电图案包括：
20.根据权利要求19所述的3D半导体存储器件，其中所述源极插塞包括与所述源极结构相邻的下部和与所述电极结构相邻的上部，以及
...【技术特征摘要】
1.一种三维(3d)半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的3d半导体存储器件，其中所述水平半导体层在所述垂直方向上具有第三厚度，以及
3.根据权利要求1所述的3d半导体存储器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的3d半导体存储器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的3d半导体存储器件，其中所述第一源极导电图案包括位于所述水平半导体层的顶表面与所述第二源极导电图案的底表面之间的水平处的不连续界面。
6.根据权利要求1所述的3d半导体存储器件，其中所述第一源极导电图案包括：
7.根据权利要求6所述的3d半导体存储器件，
8.根据权利要求1所述的3d半导体存储器件，其中所述第一源极导电图案包括：
9.根据权利要求1所述的3d半导体存储器件，
10.根据权利要求1所述的3d半导体存储器件，还包括：
11.根据权利要求10所述的3d半导体存储器件，其中所述数据存储图案的所述底表面位于...
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