一种应用于太阳能电池的多层ITO窗口电极制备方法技术

本发明专利技术提供一种应用于太阳能电池的多层ITO窗口电极制备方法，属于电极制备领域。采用磁控溅射真空镀膜设备作为ITO多层膜制备设备，采用铟锡比(In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;:SnO<subgt;2</subgt;，wt％)为98:2、95:5、90:10的三种ITO靶材沉积制备三层ITO薄膜结构电极。该多层薄膜电极具有可充分接收太阳光的梯度带隙，同时该多层ITO薄膜折射率的变化，可在一定程度上对入射太阳光起到减反增透的效果。另外，因Sn含量变化导致该多层ITO薄膜电极底部和顶部功函数不同，可使该多层薄膜电极与底层光伏器件、顶部金属电极都能形成良好的接触。相比于氧含量参数对ITO薄膜电极的调控，Sn含量变化能够有效折中调控功函数、电阻率、透过率等性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种应用于太阳能电池的多层ito窗口电极制备方法，属于电极制备领域。特别涉及一种采用铟锡比(in2o3:sno2)分别为90:10、95:5、98:2三种规格的ito靶材作为原材料的ito多层薄膜制备的方法。

技术介绍

1、太阳能电池窗口电极通常采用tco(透明导电氧化物)薄膜材料。tco薄膜材料主要有in、sn、zn、cd的氧化物或其复合多元氧化物。作为一种tco薄膜材料，ito薄膜因优异的导电率和透过性被广泛应用于太阳能电池，特别是hjt光伏器件的窗口电极。ito薄膜材料因低吸收、低电阻率、高透过率、高热稳定性和耐腐蚀等特性，也被广泛应用于各类光电器件的设计。但是由于in材料较为昂贵的价格，光伏领域等市场都在进行ito薄膜材料的替代研发工作，降低铟含量或寻找其他成本低廉材料体系以求降本增效。而ito薄膜中，in2o3:sno2比例对ito薄膜光电特性有不同的影响，sno2含量的不同，ito薄膜光学带隙、透过率、导电性、折射率呈现不同规律的变化。

2、太阳能电池tco电极需要满足两点，一是与pn结接触层需要具备高的功函数，二是与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于太阳能电池的多层ITO窗口电极制备方法，其特征在于，采用铟锡比(In2O3:SnO2)为90:10、95:5、98:2三种规格的ITO靶材作为ITO多层薄膜制备原材料；

2.根据权利要求1所述的一种应用于太阳能电池的多层ITO窗口电极制备方法，其特征在于：所述磁控溅射真空镀膜设备制备薄膜所需气体包括99.99％的高纯Ar气、高纯O2气。

3.根据权利要求2所述的一种应用于太阳能电池的多层ITO窗口电极制备方法，其特征在于：所述磁控溅射真空镀膜设备电源采用直流电源。

4.根据权利要求3所述的一种应用于太阳能电池的多层ITO窗口电极制备方法，...

【技术特征摘要】

1.一种应用于太阳能电池的多层ito窗口电极制备方法，其特征在于，采用铟锡比(in2o3:sno2)为90:10、95:5、98:2三种规格的ito靶材作为ito多层薄膜制备原材料；

2.根据权利要求1所述的一种应用于太阳能电池的多层ito窗口电极制备方法，其特征在于：所述磁控溅射真空镀膜设备制备薄膜所需气体包括99.99％的高纯ar气、高纯o2气。

3.根据权利要求2所述的一种应用于太阳能电池的多层ito窗口电极制备方法，其特征在于：所述磁控溅射真空镀膜设备电源采...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹辰辰，刘志江，杨建新，刘志豪，
申请(专利权)人：河北惟新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：