【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体薄膜的制作方法，具体是指一种使用在铟镓锌氧化物上的氮化硅沉膜方法。
技术介绍
1、铟镓锌氧化物（igzo）薄膜具有高迁移率和高透过率的特点，它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管（tft），为更好发挥igzo材料特性，使产品性能更加稳定及信赖性更优，器件间组成结构需达到最优化。
2、因igzo材料的敏感特性在还原氛围退火过程中易产生氧空缺，进而造成电性上不稳定。故绝缘层一般选用氧化硅（siox）膜质，由于现生产氧化硅膜质本身较为疏散且镀率慢，易受生产环境及沉膜腔体环境中的异物影响导致膜破，使电容环境中上下两层氧化铟锡金属层短接（如图1所示），造成产品显示不良，且氧化硅沉膜过程中的氧离子会侵蚀有机层（如图1所示），造成产品外观不良，为改善产品性能及外观，可使用氮化硅绝缘膜替代氧化硅。
3、但现有生产的氮化硅绝缘膜高功率的沉膜环境及氢离子会使igzo晶格中的氧脱离，形成氧空缺，高功率的沉膜也会产生较大的应力造成绝缘层劣化形成漏电途径，进而造成面板显示不良，故需降低氮化硅绝缘膜应力使其可以适配igzo产品提升品质。
4、氮化硅膜质的主要材料组成成分为硅烷（sih4）和氨气（nh3），其沉膜功率高形成高电场易使igzo器件电性发生偏移，且其沉膜中氢含量使igzo晶格中的氧脱离，形成氧空缺，亦使器件形成漏电途径，造成面板显示不良，低应力氮化硅通过调整硅烷与氨气的气体流量及沉膜功率与压力，使膜质形成的崩溃电场小，沉膜中的氢含量低，其更适配igzo器件。
技术实
1、本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种使用在铟镓锌氧化物上的氮化硅沉膜方法，该方法提供一种低应力的氮化硅绝缘膜。
2、本专利技术这样实现的：
3、一种使用在铟镓锌氧化物上的氮化硅沉膜方法，包括如下步骤：
4、步骤s1:将待沉积氮化硅绝缘层的玻璃基板通过真空传送机构置入cvd（chemicalvapor deposition化学气相沉积）真空腔体；
5、步骤s2: 将待沉积氮化硅绝缘层的玻璃基板与加热承载基座接触，使玻璃基板受热均匀；
6、步骤s3：在真空腔体内同时通入nh37290 sccm，sih43240 sccm，通过调压阀将真空腔体压力控制在1350 mtorr；
7、步骤s4：以5500w输出功率通过等离子体解离步骤s3的制程气体形成氮化硅薄膜沉积在玻璃基板上；
8、步骤s5：沉膜完成之后关闭等离子体系统并将真空腔体内nh3、sih4、h2气体排出；
9、步骤s6：将沉膜完成后的基板传出真空腔体，完成氮化硅沉积制程。
10、进一步地，所述真空腔体内上下电极间距为1000mils。
11、本专利技术的优点在于：本专利技术的方法提供一种低应力的氮化硅绝缘膜，使igzo器件电性不受沉膜环境、电偏压、氢含量等影响，不会与igzo半导体的连结而影响电性，且该膜质沉膜镀率高，大板均匀性佳，不易受生产环境异物影响，不易受膜破导致电容环境中上下两层氧化铟锡金属层短接，造成产品显示异常。
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1.一种使用在铟镓锌氧化物上的氮化硅沉膜方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种使用在铟镓锌氧化物上的氮化硅沉膜方法，其特征在于：所述真空腔体内上下电极间距为1000mils。
【技术特征摘要】
1.一种使用在铟镓锌氧化物上的氮化硅沉膜方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：余振富，黄海龙，林冰冰，陈彦均，杨朝胜，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：
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