【技术实现步骤摘要】
本申请涉及非对称半桥反激式转换器。
技术介绍
1、反激式转换器是在输入与任何输出之间提供电流隔离的一种电压转换器。特定类型的反激式转换器是非对称半桥反激式转换器，有时也被称为非对称脉冲宽度调制(pwm)半桥反激式转换器，也被称为ahb反激式转换器。ahb反激式转换器本质上是这样的转换器：转换器的电感器被分割以形成变压器，使得电压比基于变压器的绕组比而倍增，还具有隔离的附加优点。
2、这样的ahb反激式转换器包括半桥，该半桥包括高侧开关装置和低侧开关装置。高侧开关和低侧开关装置之一并联耦接至有时被称为谐振回路的电路，该谐振回路至少包括变压器的杂散电感(特别是其初级侧绕组的杂散电感)和谐振电容器，并且有时还包括附加电感器。高侧开关装置和低侧开关装置交替地接通和关断。在第一阶段中，未并联耦接至谐振回路的半桥的开关装置接通，并且能量从输入电压源传递至谐振回路。然后，在第二阶段中，当并联至谐振回路的开关装置接通并且半桥的另一开关装置接通时，能量被传递至变压器的次级侧以提供输出电压。在该第二阶段之后，在某些情况下，接着是第三阶段，在第三阶段中发生完全退磁。
3、一些ahb反激式转换器被设计用于宽范围的输出电压。完全退磁所需的时间可能取决于输出电压。另一方面，谐振回路的谐振周期可以很大程度上独立于输出电压。
4、因此，在一些常规的解决方案中，谐振电容器根据输出电压而变化，以避免在低输出电压下由于高电流而导致的损耗。然而，这种解决方案需要可调电容器以及对其相应的控制。
技术实现思路
1、根据实施方式，提供了一种非对称半桥反激式转换器，包括：串联耦接在电源电压与参考电势之间的第一初级侧开关装置和第二初级侧开关装置，变压器，其中，变压器的初级侧绕组的一端耦接至第一初级侧开关装置与第二初级侧开关装置之间的节点，电容器，其中，至少包括初级侧绕组和电容器的谐振电路并联耦接至第二初级侧开关装置，以及耦接至变压器的次级侧绕组的次级侧电路。
2、该非对称半桥反激式转换器还包括控制器，该控制器被配置成控制第一初级侧开关装置和第二初级侧开关装置，使得对于每个开关周期：在第一阶段中，第一初级侧开关装置允许电流流动，并且第二初级侧开关装置阻断第一方向上的电流流动，以向谐振电路供应电力；在第二阶段中，第一初级侧开关装置阻断电流流动，并且第二初级侧开关装置允许电流流动，以将能量传递到次级侧电路；以及在第三阶段中，第一初级侧开关装置阻断电流流动，并且第二初级侧开关装置还阻断与第一方向相反的第二方向上的电流流动，使得变压器的剩余磁化能量被释放到变压器的次级侧。
3、以上概述仅旨在给出关于一些特征的简要概述，并且不应被解释为限制。
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1.一种非对称半桥反激式转换器，包括：
2.根据权利要求1所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述第二初级侧开关装置(S2)被实现为针对所述第二方向上的电流具有大于2V的电压降的晶体管。
3.根据权利要求2所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述电压降大于5V。
4.根据权利要求2或3所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述电压降是跨越所述晶体管的反向二极管导通路径的电压降。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述晶体管是基于带隙大于2eV的半导体材料的晶体管。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述晶体管是基于氮化镓GaN的晶体管。
7.根据权利要求6所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述晶体管是GaN高电子迁移率晶体管。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述控制器(10)被配置成通过向所述晶体管的控制端子施加控制电压来设置所述电压降。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的非对称半桥反
10.根据权利要求9所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述双向开关包括两个晶体管(70，71)的串联连接，其中，所述两个晶体管(70，71)的反向二极管导通路径具有相反的方向。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述控制器(10)被配置成基于在所述次级侧电路处提供的所需的输出电压(Vout)来调整所述第一阶段至所述第三阶段(20、21、22)的长度。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述第一初级侧开关装置(S1)是高侧开关装置和低侧开关装置中的一个，并且所述第二初级侧开关装置(S2)是所述高侧开关装置和所述低侧开关装置中的另一个。
...【技术特征摘要】
1.一种非对称半桥反激式转换器，包括：
2.根据权利要求1所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述第二初级侧开关装置(s2)被实现为针对所述第二方向上的电流具有大于2v的电压降的晶体管。
3.根据权利要求2所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述电压降大于5v。
4.根据权利要求2或3所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述电压降是跨越所述晶体管的反向二极管导通路径的电压降。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述晶体管是基于带隙大于2ev的半导体材料的晶体管。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述晶体管是基于氮化镓gan的晶体管。
7.根据权利要求6所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述晶体管是gan高电子迁移率晶体管。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的非对称半桥反激式转换器，其中，所述控...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔弗雷多·梅迪纳加西亚，马丁·克吕格尔，马克·法伦坎普，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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