【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工设备，具体涉及一种解决单面研削凹坑的治具及其控制方法。
技术介绍
1、目前，半导体硅片经线切割呈片状后需使用研磨设备对表面进行减薄，同时去除表面的损伤层，研磨工序常涉及粗研及精研两次加工。
2、disco机台对硅片进行单面研磨加工过程中，硅片会产生崩边和碎片不良，此不良模式产生的一些硅粉和颗粒会溅到机台内部的定位台上，当加工过程硅片转移定位台时,定位台真空吸附硅片时会导致颗粒被深压入硅片正背面，而现有的disco机台存在明显缺陷，无法在定位台表面进行有效的清洗，硅渣较小，肉眼无法识别判断只能通过显微镜或黑田300tt观察发现凹坑或dimple缺陷。
3、定位台产生真空吸附时，硅片与定位台接触，硅渣易嵌入硅片正背面，在硅片正背面造成6-30μm的凹坑缺陷，造成产品质量问题严重的导致产品报废。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种解决单面研削凹坑的治具及其控制方法，其具有结构简单、操作便捷和稳定性好的特点。解决了硅片加工工程中产生凹坑和划伤的不良问题。提升了加工过程中的良率，同时减低了生产成本。
2、本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种解决单面研削凹坑的治具，包括研削治具，所述的研削治具下端设有与研削治具相连通的真空泵，所述的真空泵与研削治具间设有真空吸附管，所述的真空吸附管与研削治具间设有真空连接接头座。所述的研削治具包括治具安装法兰盘，所述的治具安装
4、作为优选，所述的内橡胶圈与治具安装法兰盘间设有与硅片定位槽相卡槽式嵌套连接的外橡胶圈。通过在硅片定位槽上增加内橡胶圈和外橡胶圈，减少硅片在接触研削治具真空吸附时的接触面积。
5、作为优选，所述的外橡胶圈内圈侧、内橡胶圈内圈侧均设有若干与内橡胶圈、外橡胶圈相连通的橡胶圈更换抠槽。
6、作为优选，所述的内橡胶圈与外橡胶圈间设有若干脱料气孔，所述的硅片定位槽下端设有若干与脱料气孔相连通的出料进气管。
7、作为优选，所述的真空吸附管上设有与真空吸附管相连通的减压阀。
8、一种解决单面研削凹坑的治具的控制方法，包括如下操作步骤：
9、第一步：用空压枪将研削治具的上端面吹干净。
10、第二步：在硅片定位槽上放置内橡胶圈和外橡胶圈。
11、第三步：将待研削的硅片放置到硅片定位槽内，此时出料进气管不进气。
12、第四步：真空泵运行，通过真空连接接头座与真空吸附管连接的真空排气孔将真空腔内的空气抽出并形成真空负压将硅片吸附在硅片定位槽上。
13、第五步：对硅片进行单面研削，完成单面研削过程后，真空泵停止运行，真空腔内负压消除，接着出料进气管进气，通过脱料气孔将硅片顶出。
14、作为优选，通过减压阀将真空泵施加的-89kpa压力值，缩小到-60kpa压力值。
15、本专利技术能够达到如下效果：
16、本专利技术提供了一种解决单面研削凹坑的治具及其控制方法，与现有技术相比较，具有结构简单、操作便捷和稳定性好的特点。解决了硅片加工工程中产生凹坑和划伤的不良问题。提升了加工过程中的良率，同时减低了生产成本。
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1.一种解决单面研削凹坑的治具，其特征在于：包括研削治具（1），所述的研削治具（1）下端设有与研削治具（1）相连通的真空泵（5），所述的真空泵（5）与研削治具（1）间设有真空吸附管（3），所述的真空吸附管（3）与研削治具（1）间设有真空连接接头座（2）；所述的研削治具（1）包括治具安装法兰盘（7），所述的治具安装法兰盘（7）内设有真空腔（12），所述的真空腔（12）上设有与真空吸附管（3）相连通的真空排气孔（13），所述的治具安装法兰盘（7）与真空腔（12）间设有硅片定位槽（9），所述的硅片定位槽（9）上设有与硅片定位槽（9）相卡槽式嵌套连接的内橡胶圈（10）。
2.根据权利要求1所述的解决单面研削凹坑的治具，其特征在于：所述的内橡胶圈（10）与治具安装法兰盘（7）间设有与硅片定位槽（9）相卡槽式嵌套连接的外橡胶圈（11）。
3.根据权利要求2所述的解决单面研削凹坑的治具，其特征在于：所述的外橡胶圈（11）内圈侧、内橡胶圈（10）内圈侧均设有若干与内橡胶圈（10）、外橡胶圈（11）相连通的橡胶圈更换抠槽（14）。
4.根据权利要求2所述的解决单
5.根据权利要求4所述的解决单面研削凹坑的治具，其特征在于：所述的真空吸附管（3）上设有与真空吸附管（3）相连通的减压阀（4）。
6.根据权利要求5所述的解决单面研削凹坑的治具的控制方法，其特征在于包括如下操作步骤：
7.根据权利要求6所述的解决单面研削凹坑的治具的控制方法，其特征在于：通过减压阀（4）将真空泵（5）施加的-89Kpa压力值，缩小到-60Kpa压力值。
...【技术特征摘要】
1.一种解决单面研削凹坑的治具，其特征在于：包括研削治具（1），所述的研削治具（1）下端设有与研削治具（1）相连通的真空泵（5），所述的真空泵（5）与研削治具（1）间设有真空吸附管（3），所述的真空吸附管（3）与研削治具（1）间设有真空连接接头座（2）；所述的研削治具（1）包括治具安装法兰盘（7），所述的治具安装法兰盘（7）内设有真空腔（12），所述的真空腔（12）上设有与真空吸附管（3）相连通的真空排气孔（13），所述的治具安装法兰盘（7）与真空腔（12）间设有硅片定位槽（9），所述的硅片定位槽（9）上设有与硅片定位槽（9）相卡槽式嵌套连接的内橡胶圈（10）。
2.根据权利要求1所述的解决单面研削凹坑的治具，其特征在于：所述的内橡胶圈（10）与治具安装法兰盘（7）间设有与硅片定位槽（9）相卡槽式嵌套连接的外橡胶圈（11）。
3.根据权利要求2所述的解决...
【专利技术属性】
技术研发人员：周楠，楼刚刚，贾俊，于洋，吴闯，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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