【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及线路板生产，具体涉及一种ic封装载板双面埋线路的制作方法。
技术介绍
1、目前为止，几乎所有的ic载板(integrated circuit，简称ic)都采用abf(ajinomoto build-up film)作为增层材料。abf是由intel主导研发的材料，用于导入flipchip等高阶载板的生产。abf材质可做线路较细、适合高脚数高传输的ic，多用于cpu、gpu和晶片组等大型高端芯片。
2、abf作为增层材料，采用半加成法(semi-additive process，简称sap)，可以制作线宽/线距达到10-30μm的ic载板。sap工艺是在整面abf膜上进行化学沉铜，沉铜前需要对全板abf表面进行整体性的膨松和咬蚀，形成均匀的、纳米尺度的粗糙度，以确保基底与铜层的结合力。
3、故目前的双面设计精细线路只能采用sap工艺，而sap工艺需要采用abf材料，成本高，不利于市场竞争。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有技术中的上述不足，提供了一种ic封装载板双面埋线路的制作方法，能够有效地节省成本。
2、本专利技术的目的通过以下技术方案实现：一种ic封装载板双面埋线路的制作方法，包括以下步骤：
3、s1、提供一可剥离的第一覆铜板；所述第一覆铜板包括第一芯板层、设于第一芯板层表面的第一保护铜箔层以及设于第一保护铜箔层表面的第一超薄铜箔层；所述第一超薄铜箔层与第一保护铜箔层可拆卸连接；
4、s2、提
5、s3、在第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层进行图形制作形成第一线路与第二线路；
6、s4、提供一pp层，将第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层分别放置在pp层的两面然后进行压合；
7、s5、将第一超薄铜箔层与第一保护铜箔层分离，以及将第二超薄铜箔层与第二保护铜箔层分离；
8、s6、第一超薄铜箔层、第一线路、pp层、第二超薄铜箔层与第二线路形成中间件；
9、s7、在中间件内进行镀铜使得第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层导通。
10、本专利技术进一步设置为，所述第一覆铜板的上下两面结构相同；所述第二覆铜板的上下两面结构相同。
11、本专利技术进一步设置为，在步骤s3与步骤s4之间还包括如下步骤：在第一覆铜板的废料区钻出第一定位孔；所述第二覆铜板的废料区钻出第二定位孔；将第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层分别放置在pp层的两面然后在第一定位孔与第二定位孔中插入销钉；压合完成后取出销钉。
12、本专利技术进一步设置为，在步骤s3中，图形制作包括如下步骤：
13、a1、在第一超薄铜箔层的表面与第二超薄铜箔层的表面贴合干膜；
14、a2、对干膜进行曝光以及显影；
15、a3、对显影位置进行图形电镀；
16、a4、将干膜取出从而形成第一线路与第二线路。
17、本专利技术进一步设置为，在步骤s7中，使得第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层导通包括如下步骤：
18、b1、在第二线路进行激光开窗，从而形成窗口；
19、b2、对窗口处的pp层进行激光钻孔，从而形成通孔，第一线路层显露在通孔底部；
20、b3、在通孔内进行电镀填孔，从而形成填铜层。
21、本专利技术进一步设置为，由靠近第一线路的一端至远离第一线路的一端，所述通孔的半径逐渐增大。
22、本专利技术进一步设置为，所述ic封装载板双面埋线路的制作方法还包括：
23、步骤s8、将第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层去除。
24、本专利技术进一步设置为，通过闪蚀的方式将第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层去除。
25、本专利技术的有益效果：本专利技术通过将两个可剥离的覆铜板压合在一起，再将两个覆铜板的芯板层分离，从而形成超薄的超薄铜箔层-pp层-超薄铜箔层结构，减少芯板层的厚度，再将pp层打通，即可以实现带有双面精细线路的电路板，无需采用sap工艺与abf材料，大大地节省了成本。
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1.一种IC封装载板双面埋线路的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种IC封装载板双面埋线路的制作方法，其特征在于：所述第一覆铜板的上下两面结构相同；所述第二覆铜板的上下两面结构相同。
3.根据权利要求1所述的一种IC封装载板双面埋线路的制作方法，其特征在于：在步骤S3与步骤S4之间还包括如下步骤：在第一覆铜板的废料区钻出第一定位孔；所述第二覆铜板的废料区钻出第二定位孔；将第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层分别放置在PP层的两面然后在第一定位孔与第二定位孔中插入销钉；压合完成后取出销钉。
4.根据权利要求1所述的一种IC封装载板双面埋线路的制作方法，其特征在于：在步骤S3中，图形制作包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的一种IC封装载板双面埋线路的制作方法，其特征在于：在步骤S7中，使得第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层导通包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种IC封装载板双面埋线路的制作方法，其特征在于：由靠近第一线路的一端至远离第一线路的一端，所述通孔的半径逐渐增大。
7.根据
8.根据权利要求7所述的一种IC封装载板双面埋线路的制作方法，其特征在于：通过闪蚀的方式将第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层去除。
...【技术特征摘要】
1.一种ic封装载板双面埋线路的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种ic封装载板双面埋线路的制作方法，其特征在于：所述第一覆铜板的上下两面结构相同；所述第二覆铜板的上下两面结构相同。
3.根据权利要求1所述的一种ic封装载板双面埋线路的制作方法，其特征在于：在步骤s3与步骤s4之间还包括如下步骤：在第一覆铜板的废料区钻出第一定位孔；所述第二覆铜板的废料区钻出第二定位孔；将第一超薄铜箔层与第二超薄铜箔层分别放置在pp层的两面然后在第一定位孔与第二定位孔中插入销钉；压合完成后取出销钉。
4.根据权利要求1所述的一种ic封装载板双面埋线路的制作方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：程光明，邓贤江，赵珍妮，李正辉，肖建光，
申请(专利权)人：东莞康源电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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