【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及静电吸盘设计领域，特别是涉及一种具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘。
技术介绍
1、静电吸盘被广泛应用于集成电路(ic)制造中，如应用于等离子刻蚀(etch)、物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)等，承载晶圆以避免其在工艺过程中出现移动或错位，并为晶圆提供射频偏压和控制晶圆表面的温度。
2、随着第三代宽禁带半导体的飞速发展，对用于半导体器件，特别是sic器件制造的高温静电吸盘的需求急剧上升。高温静电吸盘的技术要求极高，温度控制精度需达到±2℃，且从室温升温至500℃的时间不超过20分钟，温度范围需要达到100-700℃，以使得保持在高温静电吸盘上的晶圆达到预期的温度(如500℃以上)，保障晶圆的成膜或刻蚀等工艺精度。现有技术中的静电吸盘的导热性能是固定的，而在真空和等离子体环境中，其吸附超洁净薄片所需的导热性能是不一样的。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，能够适用真空和不同的等离子体环境。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、一种具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘包括基座、吸盘主体和导热腔体，所述导热腔体设置在所述基座和所述吸盘主体之间，所述导热腔体包括腔体和导热介质。
4、可选地，所述吸盘主体包括电极、电介质层和工作面，所述电极包括静电电极和加热电极，所述静电电极用于产生静电引力，所述加热电极用于产生热量；所述导热腔体与所述加热电极之间设有第一电介质层
5、可选地，所述电极由导电性金属材质构成，所述电极采用银、金、镍、钨、钼及钛中至少一种。
6、可选地，所述电介质层采用具有耐热性的陶瓷，所述陶瓷选自氮化硅，或是含有氮化硅的复合陶瓷。
7、可选地，所述基座和所述导热介质之间通过硅系树脂进行连结，所述导热腔体和所述第一电介质层之间通过硅系树脂进行连结。
8、可选地，所述导热介质采用氦气或氩气。
9、可选地，所述第一电介质层和所述导热介质连接且两者的热膨胀系数偏差不超过±10％。
10、可选地，所述导热腔体的腔体采用氮化铝、氧化铝、金属或者高分子材料，导热系数不低于10w/(m·k)。
11、可选地，所述导热腔体的尺寸大于所述吸盘主体的尺寸，所述第一电介质层部分嵌入至所述导热腔体中。
12、可选地，还包括等离子体聚焦环，所述等离子体聚焦环位于所述工作面和第三电介质层之间，所述等离子体聚焦环用于调节晶圆边缘的刻蚀效果，用于调节晶圆边缘的等离子体分布情况。
13、根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
14、本专利技术提供一种具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，该静电吸盘包括基座、吸盘主体和导热腔体，导热腔体设置在基座和吸盘主体之间，导热腔体包括腔体和导热介质。本专利技术通过单独设置导热腔体，使得静电吸盘随着导热腔体内导热介质的不同而具有不同的导热性能，从而能够适用真空和不同的等离子体环境。
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1.一种具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，包括基座、吸盘主体和导热腔体，所述导热腔体设置在所述基座和所述吸盘主体之间，所述导热腔体包括腔体和导热介质。
2.根据权利要求1所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述吸盘主体包括电极、电介质层和工作面，所述电极包括静电电极和加热电极，所述静电电极用于产生静电引力，所述加热电极用于产生热量；所述导热腔体与所述加热电极之间设有第一电介质层，所述加热电极和所述静电电极之间设有第二电介质层，所述加热电极和所述工作面之间设有第三电介质层。
3.根据权利要求2所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述电极由导电性金属材质构成，所述电极采用银、金、镍、钨、钼及钛中至少一种。
4.根据权利要求2所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述电介质层采用具有耐热性的陶瓷，所述陶瓷选自氮化硅，或是含有氮化硅的复合陶瓷。
5.根据权利要求2所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述基座和所述导热介质之间通过硅系树脂进行连结，所述导热腔体和所述第一
6.根据权利要求1所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述导热介质采用氦气或氩气。
7.根据权利要求2所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述第一电介质层和所述导热介质连接且两者的热膨胀系数偏差不超过±10％。
8.根据权利要求1所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述导热腔体的腔体采用氮化铝、氧化铝、金属或者高分子材料，导热系数不低于10W/(m·K)。
9.根据权利要求2所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述导热腔体的尺寸大于所述吸盘主体的尺寸，所述第一电介质层部分嵌入至所述导热腔体中。
10.根据权利要求2所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，还包括等离子体聚焦环，所述等离子体聚焦环位于所述工作面和第三电介质层之间，所述等离子体聚焦环用于调节晶圆边缘的刻蚀效果，用于调节晶圆边缘的等离子体分布情况。
...【技术特征摘要】
1.一种具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，包括基座、吸盘主体和导热腔体，所述导热腔体设置在所述基座和所述吸盘主体之间，所述导热腔体包括腔体和导热介质。
2.根据权利要求1所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述吸盘主体包括电极、电介质层和工作面，所述电极包括静电电极和加热电极，所述静电电极用于产生静电引力，所述加热电极用于产生热量；所述导热腔体与所述加热电极之间设有第一电介质层，所述加热电极和所述静电电极之间设有第二电介质层，所述加热电极和所述工作面之间设有第三电介质层。
3.根据权利要求2所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述电极由导电性金属材质构成，所述电极采用银、金、镍、钨、钼及钛中至少一种。
4.根据权利要求2所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述电介质层采用具有耐热性的陶瓷，所述陶瓷选自氮化硅，或是含有氮化硅的复合陶瓷。
5.根据权利要求2所述的具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，其特征在于，所述基座和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱福林，肖亮，肖立，谭庆文，李能，
申请(专利权)人：衡阳凯新特种材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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