【技术实现步骤摘要】
本申请涉及发光二极管转移，尤其涉及一种微型发光二极管的巨量转移方法和转移载体。
技术介绍
1、目前，随着发光二极管显示屏逐渐向超高清显示方向发展，微型发光二极管凭借其极其优越的超高清显示效果，逐渐成为未来发光二极管显示行业的大趋势。微型发光二极管芯片的尺寸已朝百微米级以下发展。一般的传统发光二极管芯片大于200μm，迷你发光二极管芯片约为50-200μm，而微型发光二极管芯片则更会微缩至小于50μm。超高清显示效果的实现有赖于巨量微型发光二极管芯片的高密度分布。因此如何将微型发光二极管芯片快速的巨量转移并精确的放置到电路基板上是一个较为关键的难点。
2、现有技术中，通过在中间基板上设置热失黏胶层，采用温度控制热失黏胶层的粘性实现对微型发光二极管的转印，但是由于热传导和热辐射的制约，在对于需要高密度分布的极小芯片很难做到精确的抓取、转移和放置。
3、因此，如何提供一种能够实现微型发光二极管精确的巨量转移成为亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请所要解决的一个技术问题是：如何实现对微型发光二极管精确的巨量转移。
2、为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种微型发光二极管的巨量转移方法，包括：
3、在中间基板的第一表面设置第一胶层；
4、对第一胶层的预设区域通过预设光线进行照射，以使得被照射的预设区域失黏，未被照射的区域为黏性区域；
5、将中间基板的第一表面与具有阵列排布的多个微型发光二极管的初始基板的第一表面对
6、将具有多个微型发光二极管的中间基板与目标基板的第一表面对准，以将中间基板黏性区域上的多个发光二极管转移至目标基板的第一表面上。
7、在一些实施例中，对第一胶层的预设区域通过预设光线进行照射，以使得被照射的预设区域失黏，未被照射的区域为黏性区域前还包括：
8、在中间基板的第二表面上设置有图案化的掩膜层；
9、掩膜层中的微孔区域与中间基板第一表面的预设区域对应；中间基板的第二表面与中间基板的第一表面相背设置。
10、在一些实施例中，将中间基板的第一表面与具有阵列排布的多个微型发光二极管的初始基板的第一表面对准，以将与中间基板黏性区域对应的初始基板上的多个微型发光二极管黏取至中间基板第一表面的黏性区域上之前包括：
11、在初始基板的第一表面设置第二胶层，多个微型发光二极管通过第二胶层黏附于初始基板的第一表面；
12、第二胶层的黏性小于第一胶层的黏性。
13、在一些实施例中，将具有多个微型发光二极管的中间基板与目标基板的第一表面对准，以将中间基板黏性区域上的多个发光二极管转移至目标基板的第一表面上之前包括：
14、在目标基板的第一表面上设置第三胶层；
15、第三胶层的黏性大于第一胶层的黏性。
16、在一些实施例中，第一胶层为聚氨酯型或丙烯酸酯类紫外光线减粘胶；
17、预设光线为紫外光线。
18、在一些实施例中，中间基板为透明玻璃基板。
19、第二方面，本申请还提供一种微型发光二极管的巨量转移载体，包括：中间基板，中间基板的第一表面上具有第一胶层，第一表面具有用于通过预设光线照射的预设区域，第一胶层通过预设光线照射后失去黏性，以使得第一胶层形成失黏区域和黏性区域。
20、在一些实施例中，中间基板的第二表面上设置有图案化的掩膜层；
21、掩膜层中的微孔区域与中间基板第一表面的预设区域对应；中间基板的第二表面与中间基板的第一表面相背设置。
22、在一些实施例中，第一胶层为聚氨酯型或丙烯酸酯类紫外光线减粘胶；
23、预设光线为紫外光线。
24、在一些实施例中，中间基板为透明玻璃基板。
25、通过上述技术方案，本申请提供的微型发光二极管的巨量转移方法和转移载体，巨量转移方法中提供一个初始基板和一个目标基板，初始基板的第一表面阵列排布多个微型发光二极管，初始基板用于提供多个微型发光二极管，目标基板用于接收多个微型发光二极管，而作为转移载体的中间基板用于将多个微型发光二极管从初始基板转移至目标基板上。本申请提供的微型发光二极管的巨量转移方法中，在中间基板的第一表面设置第一胶层，第一胶层为与预设光线相对应的胶层，即第一胶层通过预设光线的照射后会失去黏性。对第一胶层的预设区域通过预设光线进行照射，从而使得中间基板第一表面上被预设光线照射的预设区域形成失黏区域，而中间基板第一表面未被预设光线照射的区域为黏性区域，将中间基板的第一表面与初始基板的第一表面对准，从而中间基板的黏性区域能够将初始基板上与黏性区域对应的多个微型发光二极管进行黏取，从而初始基板上的部分微型发光二极管通过被转移至中间基板上，而后将中间基板的第一表面与目标基板的第一表面对准，从而将中间基板黏性区域上的多个微型发光二极管转移至目标基板的第一表面上。从而实现了多个微型发光二极管的巨量转移。
26、从而本申请提供的一种微型发光二极管的巨量转移方法和转移载体，可快速简便地实现微型发光二极管的巨量转移，并且中间基板通过预设光线对第一胶层进行黏性处理，从而使得中间基板上失黏区域和黏性区域的区域划分精准，进而实现对高密度分布的极小芯片的微型发光二极管进行精准的巨量转移，且方法简单，成本低廉。
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1.一种微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述对所述第一胶层的预设区域通过预设光线进行照射，以使得被照射的预设区域失黏，未被照射的区域为黏性区域前还包括：
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述将所述中间基板的第一表面与具有阵列排布的多个微型发光二极管的初始基板的第一表面对准，以将与所述中间基板黏性区域对应的所述初始基板上的多个微型发光二极管黏取至所述中间基板第一表面的黏性区域上之前包括：
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述将具有多个微型发光二极管的所述中间基板与目标基板的第一表面对准，以将所述中间基板黏性区域上的多个发光二极管转移至所述目标基板的第一表面上之前包括：
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，
7.一种微型发光二极管的巨量转移载体，其特征在于，包括：p>
8.根据权利要求7所述的微型发光二极管的巨量转移载体，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的微型发光二极管的巨量转移载体，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的微型发光二极管的巨量转移载体，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述对所述第一胶层的预设区域通过预设光线进行照射，以使得被照射的预设区域失黏，未被照射的区域为黏性区域前还包括：
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述将所述中间基板的第一表面与具有阵列排布的多个微型发光二极管的初始基板的第一表面对准，以将与所述中间基板黏性区域对应的所述初始基板上的多个微型发光二极管黏取至所述中间基板第一表面的黏性区域上之前包括：
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述将...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈永洲，胡恒广，闫冬成，张玉娇，周冰，毕克，
申请(专利权)人：河北光兴半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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