【技术实现步骤摘要】
本申请涉及发光二极管转移，尤其涉及一种微型发光二极管的巨量转移方法和转移载体。
技术介绍
1、目前，随着发光二极管显示屏逐渐向超高清显示方向发展，微型发光二极管凭借其极其优越的超高清显示效果，逐渐成为未来发光二极管显示行业的大趋势。微型发光二极管芯片的尺寸已朝百微米级以下发展。一般的传统发光二极管芯片大于200μm，迷你发光二极管芯片约为50-200μm，而微型发光二极管芯片则更会微缩至小于50μm。超高清显示效果的实现有赖于巨量微型发光二极管芯片的高密度分布。因此如何将微型发光二极管芯片快速的巨量转移并精确的放置到电路基板上是一个较为关键的难点。
2、现有技术中，通过在中间基板上设置热失黏胶层，采用温度控制热失黏胶层的粘性实现对微型发光二极管的转印，但是由于热传导和热辐射的制约，在对于需要高密度分布的极小芯片很难做到精确的抓取、转移和放置。
3、因此，如何提供一种能够实现微型发光二极管精确的巨量转移成为亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请所要解决的一个技术问...
【技术保护点】
1.一种微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述对所述第一胶层的预设区域通过预设光线进行照射，以使得被照射的预设区域失黏，未被照射的区域为黏性区域前还包括：
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述将所述中间基板的第一表面与具有阵列排布的多个微型发光二极管的初始基板的第一表面对准，以将与所述中间基板黏性区域对应的所述初始基板上的多个微型发光二极管黏取至所述中间基板第一表面的黏性区域上之前包括：
4.根据权利要求1所述的微型发...
【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述对所述第一胶层的预设区域通过预设光线进行照射，以使得被照射的预设区域失黏，未被照射的区域为黏性区域前还包括：
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述将所述中间基板的第一表面与具有阵列排布的多个微型发光二极管的初始基板的第一表面对准，以将与所述中间基板黏性区域对应的所述初始基板上的多个微型发光二极管黏取至所述中间基板第一表面的黏性区域上之前包括：
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述将...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈永洲，胡恒广，闫冬成，张玉娇，周冰，毕克，
申请(专利权)人：河北光兴半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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