【技术实现步骤摘要】
本申请涉及抛光材料的，尤其是涉及一种水性高效率cmp抛光垫的加工方法。
技术介绍
1、cmp抛光垫，主要用于半导体、蓝宝石、金属、陶瓷等领域。cmp抛光垫由聚氨酯或以聚氨酯为主体的复合材料组成，抛光垫的表面微凸起，直接与被抛件接触产生摩擦，在离心力的作用下以机械方式去除抛光层，同时将抛光液均匀地抛洒到抛光垫的表面，以化学方式去除抛光层，并将反应产物带出抛光垫。抛光垫的性质直接影响被抛件的表面质量，是关系到平坦化效果的直接因素之一。
2、抛光垫作为cmp抛光工艺中必需耗材之一，对切削率和使用寿命有较高的要求，目前常用的抛光垫是将溶剂、聚氨酯树脂、碳粉、助剂经过充分搅拌后形成粘稠状液体，然后涂覆在无纺布表面上，然后凝固成型，这类抛光垫虽然可实现抛光作用，但是耐用性能不佳，寿命短。
技术实现思路
1、为了提高制得抛光垫的耐用性能，本申请提供一种水性高效率cmp抛光垫的加工方法。
2、本申请提供的一种水性高效率cmp抛光垫的加工方法，采用如下的技术方案：
3、一种水性高效率cmp抛光垫的加工方法，包括以下步骤：
4、预浸渍：将无纺布浸渍于浸槽一中的浸料a中，进行第一次挤压，取出无纺布，再次浸渍于浸槽二中的浸料a中，再进行第二次挤压，取出烘干，打磨，得到预处理无纺布；所述浸料a的原料包括如下重量份的组分：去离子水80～120份、树脂a80～120份、增稠剂1～5份、水性色浆1～5份；
5、浸渍：将预处理无纺布浸渍于浸槽一中的浸料b中
6、通过采用上述技术方案，将无纺布在浸料a中进行两次浸渍，然后烘干打磨，接着在浸料b中再进行两次浸渍，再烘干打磨，得到的cmp抛光垫打磨损失小，耐用性能较高；且硬度高，抛光效率高，另外压缩率小，压缩弹性率适中，抛光垫与加工工件有较大范围的均匀接触，保证了工件抛光表面的均匀性。
7、在一个具体的可实施方案中，所述树脂a包括聚氨酯ua3221，固含量为40-43％；所述树脂b包括聚氨酯ua3055，固含量为40-43％。
8、在一个具体的可实施方案中，所述水性色浆包括乙炔黑、脂肪醇聚氧乙烯醚、去离子水组成的混合物。
9、在一个具体的可实施方案中，所述交联剂包括三羟甲基丙烷-三[3-(2-甲基吖丙啶基)丙酸酯]。
10、在一个具体的可实施方案中，所述第一次挤压、所述第二次挤压、所述第三次挤压、所述第四次挤压均在2.5-3.5kg的重量下进行挤压，且挤压间隙为1-1.4mm。
11、通过采用上述技术方案，利用两种不同型号的聚氨酯，且进一步限定了挤压重量和挤压间隙，从而可以提高制得抛光垫的性能。
12、在一个具体的可实施方案中，所述浸渍步骤中，将烘干后的预处理无纺布先利用140-160目的砂纸进行第一次打磨，然后再利用110-130目的砂纸进行第二次打磨，得到cmp抛光垫。
13、通过采用上述技术方案，先利用高目数的砂纸进行初步打磨，接着再利用低目数的砂纸再次打磨，使得抛光垫表面粗糙度高，抛光垫与工件接触面小，能存储更多的抛光液，因此在单颗粒上的作用率就大，提高了抛光效率。
14、在一个具体的可实施方案中，所述浸料b的原料还包括5～10重量份的填料，所述填料的原料包括乙醇、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、纳米氧化锌、纳米二氧化硅。
15、在一个具体的可实施方案中，所述填料的制备方法包括以下步骤：
16、将乙醇、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、水搅拌混合均匀，得到改性液；将纳米氧化锌、纳米二氧化硅加入到混合机中进行搅拌，在搅拌的过程中，将改性液喷洒在纳米氧化锌、纳米二氧化硅上，喷洒完毕后，继续搅拌，然后烘干，得到填料。
17、通过采用上述技术方案，先将γ-氨丙基三乙氧基硅烷溶解在乙醇中，得到改性液，然后喷涂在纳米氧化锌、纳米二氧化硅上，烘干，去除乙醇，使得γ-氨丙基三乙氧基硅烷包裹在纳米氧化锌、纳米二氧化硅上，提高了纳米氧化锌、纳米二氧化硅的分散性能，使得纳米氧化锌、纳米二氧化硅上均匀分散在浸料b中，利用纳米氧化锌、纳米二氧化硅的配合，进一步提高了抛光垫的耐磨性能。
18、在一个具体的可实施方案中，所述改性液与所述纳米氧化锌和所述纳米二氧化硅组成的混合物的重量比为1：(13-14)。
19、通过采用上述技术方案，进一步限定了改性液与纳米氧化锌、纳米二氧化硅的配比，使得改性液可以均匀包裹在纳米氧化锌、纳米二氧化硅上，提高了纳米氧化锌、纳米二氧化硅的改性效果。
20、综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
21、1.本申请中将无纺布在浸料a中进行两次浸渍，然后烘干打磨，接着在浸料b中再进行两次浸渍，再烘干打磨，得到的cmp抛光垫打磨损失小，耐用性能较高；且硬度高，抛光效率高，另外压缩率小，压缩弹性率适中，抛光垫与加工工件有较大范围的均匀接触，保证了工件抛光表面的均匀性；
22、2.本申请中先利用高目数的砂纸进行初步打磨，接着再利用低目数的砂纸再次打磨，使得抛光垫表面粗糙度高，抛光垫与工件接触面小，能存储更多的抛光液，因此在单颗粒上的作用率就大，提高了抛光效率；
23、3.本申请中向浸料b中加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷改性的纳米氧化锌、纳米二氧化硅，利用纳米氧化锌、纳米二氧化硅的配合，进一步提高了抛光垫的耐磨性能。
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1.一种水性高效率CMP抛光垫的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种水性高效率CMP抛光垫的加工方法，其特征在于：所述树脂A包括聚氨酯UA3221，固含量为40-43%；所述树脂B包括聚氨酯UA3055，固含量为40-43%。
3.根据权利要求1所述的一种水性高效率CMP抛光垫的加工方法，其特征在于：所述水性色浆包括乙炔黑、脂肪醇聚氧乙烯醚、去离子水组成的混合物。
4.根据权利要求1所述的一种水性高效率CMP抛光垫的加工方法，其特征在于：所述交联剂包括三羟甲基丙烷-三[3-(2-甲基吖丙啶基)丙酸酯]。
5.根据权利要求1所述的一种水性高效率CMP抛光垫的加工方法，其特征在于：所述第一次挤压、所述第二次挤压、所述第三次挤压、所述第四次挤压均在2.5-3.5kg的重量下进行挤压，且挤压间隙为1-1.4mm。
6.根据权利要求5所述的一种水性高效率CMP抛光垫的加工方法，其特征在于：所述浸渍步骤中，将烘干后的预处理无纺布先利用140-160目的砂纸进行第一次打磨，然后再利用110-130目的砂纸
7.根据权利要求1所述的一种水性高效率CMP抛光垫的加工方法，其特征在于：所述浸料B的原料还包括5~10重量份的填料，所述填料的原料包括乙醇、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、纳米氧化锌、纳米二氧化硅。
8.根据权利要求7所述的一种水性高效率CMP抛光垫的加工方法，其特征在于：所述填料的制备方法包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的一种水性高效率CMP抛光垫的加工方法，其特征在于：所述改性液与所述纳米氧化锌和所述纳米二氧化硅组成的混合物的重量比为1：（13-14）。
...【技术特征摘要】
1.一种水性高效率cmp抛光垫的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种水性高效率cmp抛光垫的加工方法，其特征在于：所述树脂a包括聚氨酯ua3221，固含量为40-43%；所述树脂b包括聚氨酯ua3055，固含量为40-43%。
3.根据权利要求1所述的一种水性高效率cmp抛光垫的加工方法，其特征在于：所述水性色浆包括乙炔黑、脂肪醇聚氧乙烯醚、去离子水组成的混合物。
4.根据权利要求1所述的一种水性高效率cmp抛光垫的加工方法，其特征在于：所述交联剂包括三羟甲基丙烷-三[3-(2-甲基吖丙啶基)丙酸酯]。
5.根据权利要求1所述的一种水性高效率cmp抛光垫的加工方法，其特征在于：所述第一次挤压、所述第二次挤压、所述第三次挤压、所述第四次挤压均在2.5-3.5kg的重量下进行挤压，...
【专利技术属性】
技术研发人员：傅一非，袁栋，张晶，李良军，何玲芳，
申请(专利权)人：万桦常州新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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