以硅烷为介质制备丰度为制造技术

本发明专利技术涉及一种以硅烷为介质制备丰度为

【技术实现步骤摘要】
以硅烷为介质制备丰度为99
％
以上的硅
‑
28同位素的制造方法和气体扩散级联


[0001]本专利技术涉及一种以硅烷为介质制备丰度为
99
％以上的硅
‑
28
同位素的制造方法和气体扩散级联，属于同位素分离

。

技术介绍

[0002]稳定同位素目前在医疗
、
生物
、
农业
、
环境
、
工业制造
、
科研等领域有较为广泛的应用
。
硅元素在自然界有3种同位素，分别是硅
‑
28(
28
Si)、
硅
‑
29(
29
Si)
和硅
‑
30(
30
Si)
，其天然丰度分别为
92.22
％
、4.69
％和
3.09
％
。
硅
‑
28<br/>同位素主要应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种以硅烷为介质制备丰度为
99
％以上的硅
‑
28
同位素的制造方法，其特征在于，包括：将天然丰度的硅烷气体供入包括多个气体扩散分离装置的气体扩散级联，使用高速磁悬浮气体压缩机对每个所述气体扩散级联中进入所述气体扩散分离装置之前的硅烷气体进行压缩，从所述气体扩散级联的轻馏分端得到以硅烷为介质制备的丰度为
99
％以上的硅
‑
28
同位素
。2.
根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述气体扩散级联由通过四级全回流扩散级联实验测量得到的硅烷基本全分离系数为
1.009
～
1.011
的气体扩散分离装置构成：将多个气体扩散分离装置并联以构成分离级，再将多个所述分离级串联
。3.
根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，通过四级全回流扩散级联实验测量得到的硅烷基本全分离系数不小于
1.010。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述气体扩散级联的总级数为
200
～
600
级，优选地为
280
～
300
级
。5.
根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述气体扩散级联的供料级位...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明胜，姜东君，孙旺，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：