【技术实现步骤摘要】
一种高温金属外壳晶圆加热器及其加工方法
[0001]本专利技术涉及化学气相淀积装置所使用的陶瓷晶圆加热器
,
特别涉及一种高温金属外壳晶圆加热器及其加工方法
。
技术介绍
[0002]半导体晶圆对于
5G
网络
、
人工智能
、
自动驾驶和物联网是必不可少的,随着半导体芯片技术的飞速发展
,
对芯片线路的小型化的需求不断增长,以提高处理单元的集成程度
。
半导体代工行业竞争激烈
,
半导体生产设备面临多样式制程的挑战
,
原有设备需要进行更先进的制程
,
晶圆厂需要更低成本的竞争优势
,
要使用现有设备满足多样化的客户制程需求
,
才能适应多样化竞争
,
在行业中保持领先
.
本专利技术以化学气相淀积
(CVD)
和刻蚀工艺为研究对象
,
研究随着制程要求提高
,
如何通过设计优化
,
寻找一种新方法去克服制程瓶颈
.
[0003]晶圆加热器是半导体芯片加工的关键设备,起承载吸附晶圆及提供加热的作用
,
随着工艺温度要求的不断提高,为了实现高均匀度的薄膜沉积,必须在晶片表面实现非常均匀的温度分布,对晶圆加热器表面温度分布的要求更为苛刻
。
常规的金属晶圆加热器在高于
500℃
时 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种高温金属外壳晶圆加热器,其特征在于,包括外壳
、
设置在外壳内的匀热板
、
设置在所述匀热板一端的第一绝缘导热层
、
至少1个加热元件
、
设置在所述第一绝缘导热层背离所述匀热板一侧的第二绝缘导热层
、
设置在所述第二绝缘导热层背离所述第一绝缘导热层一端的散热板
、
设置在所述散热板一端的冷却组件
、
多个电极,所述加热元件设置在所述第一绝缘导热层和第二绝缘导热层之间,所述电极与所述加热元件电连
。2.
根据权利要求1所述的一种高温金属外壳晶圆加热器,其特征在于,所述加热元件的数量为3个,3个加热元件分别为外圈加热元件
、
中圈加热元件和内圈加热元件,所述匀热板上设置有外圈沟槽
、
中圈沟槽和内圈沟槽,所述外圈加热元件设置在所述外圈沟槽中,所述中圈加热元件设置在所述中圈沟槽中,所述内圈加热元件设置在所述内圈沟槽中
。3.
根据权利要求2所述的一种高温金属外壳晶圆加热器,其特征在于,所述匀热板包括从外圈到圆心依序均匀间隔设置的外环板
、
中环板和內圆板,所述外圈沟槽设置在所述外环板上,所述中圈沟槽设置在所述中环板上,所述内圈沟槽设置在所述內圆板上
。4.
根据权利要求2所述的一种高温金属外壳晶圆加热器,其特征在于,所述外圈加热元件包括多个圆周均匀设置的第一凸形加热丝
、
多个圆周均匀设置的第一连接加热丝,相邻2个所述第一凸形加热丝通过所述第一连接加热丝连接,其中1个所述第一连接加热丝断开设置形成第一外圈导电端和第二外圈导电端,所述第一外圈导电端连接有1个第一外圈导电段,所述第二外圈导电端连接有1个第二外圈导电段,所述第一外圈导电段和第二外圈导电段分别连接有1个电极
。5.
根据权利要求2所述的一种高温金属外壳晶圆加热器,其特征在于,所述中圈加热元件包括多个圆周均匀设置的第二凸形加热丝
、
多个圆周均匀设置的第二连接加热丝,相邻2个所述第二凸形加热丝通过所述第二连接加热丝连接,其中2个相邻的所述第二凸形加热丝分别作为第一中圈导电部和第二中圈导电部,所述第一中圈导电部的靠近所述第二中圈导电部的一端连接有第一中圈导电段,所述第二中圈导电部靠近所述第一中圈导电部的一端连接有第二中圈导电段,所述第一中圈导电段和第二中圈导电段分别连接有1个电极
。6.
根据权利要求2所述的一种高温金属外壳晶圆加热器...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘国辉,
申请(专利权)人:无锡至辰科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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