一种高均匀性晶圆加热器及其加工方法技术

本发明专利技术公开了一种高均匀性晶圆加热器，包括至少1个安装基板

【技术实现步骤摘要】
一种高均匀性晶圆加热器及其加工方法


[0001]本专利技术涉及化学气相淀积装置所使用的陶瓷晶圆加热器
,
特别涉及一种高均匀性晶圆加热器
。

技术介绍

[0002]半导体晶圆对于
5G
网络
、
人工智能
、
自动驾驶和物联网是必不可少的，随着半导体芯片技术的飞速发展
,
对芯片线路的小型化的需求不断增长，以提高处理单元的集成程度
。
半导体代工行业竞争激烈
,
半导体生产设备面临多样式制程的挑战
,
原有设备需要进行更先进的制程
,
晶圆厂需要更低成本的竞争优势
,
要使用现有设备满足多样化的客户制程需求
,
才能适应多样化竞争
,
在行业中保持领先
.
本专利技术以化学气相淀积为研究对象
,
研究随着制程要求提高
,
如何通过设计优化
,
寻找一种新方法去克服制程瓶颈
。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高均匀性晶圆加热器，其特征在于：包括至少1个安装基板
、
至少1个嵌设在所述安装基板上的加热元件
、
导热基板和至少2个电极，所述安装基板的一端设有安装沟槽，所述加热元件设在所述安装沟槽中，所述导热基板设置在所述安装基板具有安装沟槽的一端，所述电极穿设在所述导热基板上，所述电极与所述加热元件电连
。2.
根据权利要求1所述的一种高均匀性晶圆加热器，其特征在于，所述加热器还包括设置在所述导热基板背离所述安装基板一端的中空的支撑轴
、
穿设在支撑轴内的测温热电偶，所述电极位于所述支撑轴内
。3.
根据权利要求2所述的一种高均匀性晶圆加热器，其特征在于，所述安装基板至少包括依序设置的第一基板
、
第二基板和第三基板，所述第一基板中心设有安装孔，所述第一基板上设有第一安装沟槽，所述第二基板上设有第二安装沟槽，所述第三基板上设有第三安槽，所述加热元件至少包括第一加热元件
、
第二加热元件
、
第三加热元件，所述第一加热元件设置在所述第一安装沟槽中，所述第二加热元件设置在所述第二安装沟槽中，所述第三加热元件设置在所述第三安装沟槽中，所述第一加热元件
、
第二加热元件和第三加热元件分别与电极电连
。4.
根据权利要求2所述的一种高均匀性晶圆加热器，其特征在于，所述第一安装沟槽
、
第二安装沟槽和第三安装沟槽均为环形，所述第二安装沟槽的内圆直径不小于所述第一安装沟槽的外圆直径，所述第三安装沟槽的内圆直径不小于所述第二安装沟槽的外圆直径
。5.
根据权利要求2所述的一种高均匀性晶圆加热器，其特征在于，所述第一加热元件包括均匀设置的第一加热部和第二加热部，所述第二加热元件均匀设置的包括第三加热部
、
第四加热部和第五加热部，所述第三加热元件包括均匀设置的第六加热部
、
第七加热部

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国辉，
申请(专利权)人：无锡至辰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：