高容量高首效硅基负极材料制造技术

本发明专利技术提供一种高容量高首效硅基负极材料及制备方法，通过硅破碎细化过程中产生的新鲜表面富含不饱和悬挂键与湿磨过程剂作用，在硅表面原位生成二氧化硅

【技术实现步骤摘要】
高容量高首效硅基负极材料、制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及能源新材料
，具体而言涉及一种高容量高首效硅基负极材料
、
制备方法及应用
。

技术介绍

[0002]随着各类
3C
消费电子产品
、
新能源汽车
、
储能电站等可再生清洁能源等邻域的发展，人们对锂离子电池的能量密度
、
功率密度等性能指标要求不断增高，针对负极而言，传统石墨负极理论比容量只有
372mA h/g
，商业已开发达到
360mA h/g
接近其容量极限，石墨材料已经不能满足市场对动力电池高能量密度的需求，相比较而言，硅材料理论比容量
(4200mA h/g)
远高于目前商用石墨负极容量约
10
余倍，并具有较低的脱
/
嵌锂电位
、
含量丰富容易获取
、
环保以及成本低等优势，展现出较高的商业应用前景，是当下公认的最理想的新一代锂离子电池负极材料
。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高容量高首效硅基负极材料的制备方法，其特征在于，通过湿法研磨对硅进行原位表面改性，实现在硅表面包覆二氧化硅非晶层，得到
Si@SiO2，再通过热处理将
Si@SiO2表层的
SiO2层转化为活性硅氧
SiOx
层，得到硅基负极材料
Si@SiOx
，其中，0＜
x
＜
2。2.
根据权利要求1所述的高容量高首效硅基负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下具体过程：将硅粉体与湿磨过程剂进行混合研磨，将研磨后的混料进行干燥处理，得到
Si@SiO2粉体；将
Si@SiO2粉体置于真空烧结炉或惰性气氛保护的管式炉中进行热处理，热处理结束后自然降温至室温，得到
Si@SiOx
粉体，其中，0＜
x
＜
2。3.
根据权利要求2所述的高容量高首效硅基负极材料的制备方法，其特征在于，所述硅粉体为微米级，平均粒径为1～
50
μ
m。4.
根据权利要求2所述的高容量高首效硅基负极材料的制备方法，其特征在于，所述湿磨过程剂为去离子水
、
乙醇
、
正己醇
、
乙二醇和丙二醇中一种或多种
。5.
根据权利要求2‑4中任意一项所述的高容量高首效硅基负极材料的制备方法，其特征在于，硅粉体与湿磨过程剂的质量比为
1:(3
～
12)。6.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋广生，王帅，马扬洲，曹瑞，雷迁，马子洋，
申请(专利权)人：浙江泰科新材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：