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聚焦离子束系统和方法技术方案

技术编号:39869600 阅读:10 留言:0更新日期:2023-12-30 12:58
聚焦离子束系统和方法

【技术实现步骤摘要】
聚焦离子束系统和方法


[0001]本专利技术涉及聚焦离子束(FIB)系统和操作聚焦离子束系统的方法。特别地,这些系统和方法提供了增加的切削和铣削性能。

技术介绍

[0002]用于创建微观特征的方法和系统涉及使精细聚焦的离子束在样品的目标表面上扫描以研磨、蚀刻或沉积材料。研磨包括通过离子的撞击直接去除材料。该过程称为溅射。在材料的沉积中,将诸如有机金属化合物的气体朝向离子束在样品表面上的撞击点引导。气体在离子束存在的情况下分解,以将材料添加到样品表面。
[0003]FIB系统类似于扫描电子显微镜或透射电子显微镜,只不过不是将电子束引导到样品,而是将离子束引导到样品。聚焦离子束铣削用于许多微制造工业(包括半导体工业)、和微机电系统(MEMS)的制造。该技术可以用于这些或其他工业中的加工和制造,或用于分析合成结构的结构。
[0004]后者的示例是用于透射电子显微镜(TEM)分析的样品制备。样品制备使用聚焦离子束系统来去除表面或层,或蚀刻通道,然后通过电子束对通道成像。因为TEM需要薄样品,所以样品制备可能是必要的。聚焦的离子束可以用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于修改样品或工件表面的离子束系统,所述系统包括:用于生成离子的离子源;离子束聚焦柱,所述离子束聚焦柱被配置为引导从所述离子源接收的离子以形成离子束,并将所述离子束朝目标区域聚焦;和样品台,所述样品台用于接收要修改的样品或工件,并用于将所述样品或工件表面定位在所述目标区域处,其中所述离子束聚焦柱包括:孔径板,所述孔径板具有非圆形射束限制孔径,所述非圆形射束限制孔径被配置为限制离子束穿过所述孔径板的范围;和多极像差补偿器,所述多极像差补偿器被配置为向所述离子束施加四重像散,以补偿由所述离子束聚焦柱中的一个或多个透镜产生的球面像差。2.根据权利要求1所述的离子束系统,其中所述多极像差补偿器是被配置为产生八极场的多极元件。3.根据权利要求2所述的离子束系统,其中所述多极元件是八极元件、具有多于八极诸如12极或16极的多极元件,或者包括被配置为产生八极场的多个多极元件。4.根据任意前述权利要求所述的离子束系统,其中所述多极像差补偿器位于沿着所述离子束路径在最终聚焦透镜之前的位置。5.根据任意前述权利要求所述的离子束系统,其中所述非圆形射束限制孔径具有平行于所述离子束的扫描方向的第一尺寸和正交于所述离子束的扫描方向的第二尺寸,并且其中所述四重像散与所述孔径的所述第一尺寸对准。6.根据权利要求5所述的离子束系统,其中所述多极像差补偿器包括八个或更多个极,并且沿着所述第一尺寸相对布置的一对所述极被配置为以相同极性偏置。7.根据任意前述权利要求所述的离子束系统,其中所述非圆形射束限制孔径是细长孔径,诸如椭圆形孔径、卵圆形孔径或基本上矩形孔径。8.根据权利要求7所述的离子束系统,其中:所述非圆形射束限制孔径是基本上矩形孔径,并且所述多极像差补偿器包括沿平行于所述矩形的长边方向的方向相对布置的相同极性的一对极;或者所述非圆形射束限制孔径是椭圆形或卵圆形孔径,并且所述多极像差补偿器包括沿平行于所述椭圆形或卵圆形孔径的主轴方向的方向相对布置的相同极性的一对极。9.根据任意前...

【专利技术属性】
技术研发人员:A
申请(专利权)人:FEI
类型:发明
国别省市:

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