光电二极管及其制造方法技术

本发明专利技术实施例提供光电二极管及其制造方法，所述光电二极管包括：衬底；

【技术实现步骤摘要】
光电二极管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及光电二极管及其制造方法
。

技术介绍

[0002]光电二极管可以分为
PN
结光电二极管
、PIN(Ptype Intrinsic type Ntype Diodes)
光电二极管
、
雪崩光电二极管
(Avalanche Photodiodes
，
APD)
以及金属
‑
半导体
‑
金属
(Metal Semiconductor Metal
，
MSM)
型光电二极管
。PIN
光电二极管在二十世纪六十年代以来得到了迅速发展，它在室温下工作时具有能量分辨率高
、
脉冲上升时间短
、
探测效率高
、
性能稳定等优点，在医疗用电子计算机断层扫描
(Computed Tomography
，
CT)、
行李安检
、
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光电二极管，其特征在于，包括：衬底；
N
型电极接触层，位于所述衬底的第一表面上；吸收层
、
帽层依次层叠于所述衬底上的第二表面上；所述第一表面和所述第二表面互为相反面；第一扩散区和第二扩散区，均位于所述帽层中，所述第二扩散区用于进行电荷泄放；第一半导体接触层和第一
P
型电极接触层，均部分覆盖所述第一扩散区的表面；第一
P
型电极接触层包覆所述第一半导体接触层；第二半导体接触层和第二
P
型电极接触层，均部分覆盖所述第二扩散区的表面；第二
P
型电极接触层包覆所述第二半导体接触层；扩散阻挡层，位于所述帽层上，与第一
P
型电极接触层一起未完全覆盖所述第一扩散区表面，与所述第二
P
型电极接触层一起完全覆盖所述第二扩散区表面
。2.
根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第二扩散区的掺杂浓度大于或等于所述第一扩散区的掺杂浓度
。3.
根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第二扩散区环绕所述第一扩散区设置
。4.
根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管还包括：增透层，位于所述第一扩散区上；所述第一半导体接触层环绕所述增透层；第一
P
型电极接触层部分覆盖所述增透层；所述第一半导体接触层远离所述增透层的边缘与所述第一扩散区的边缘之间的距离大于第一预设值；所述第一预设值为：
10
μ
m。5.
根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述吸收层的掺杂浓度小于第二预设值；所述第二预设值为
1e13cm
‑3。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：霍攀杰，徐泽驰，胡艳，岳爱文，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：