IGBT制造技术

本申请涉及一种

【技术实现步骤摘要】
IGBT可靠性预测模型构建方法和可靠性预测方法


[0001]本申请涉及电子器件的可靠性评估领域，特别是涉及一种
IGBT
可靠性预测模型构建方法
、
装置
、IGBT
可靠性预测方法
、
装置
、
计算机设备
、
计算机可读存储介质和计算机程序产品
。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor
，绝缘栅双极性晶体管
)
作为功率开关器件，具有载流密度大
、
饱和压降低等优点，广泛应用于新能源发电
、
高压输电等诸多关键领域中
。
由于长期工作在高电压
、
大电流
、
高频开关状态且运行环境复杂，使得
IGBT
器件的可靠性问题变得日益严峻
。
因此，如何快速准确地评估
IGBT
器件的可靠性指标成为当前主要关注问题<br/>。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
IGBT
可靠性预测模型构建方法，其特征在于，所述构建方法包括：对
IGBT
器件的可靠性数据进行处理，确定所述
IGBT
器件的失效诱发因素表征参数；所述失效诱发因素表征参数包括所述
IGBT
器件在不同失效诱发应力下的基本失效率和加速系数；根据所述失效诱发因素表征参数和所述
IGBT
器件的任务剖面阶段参数，建立所述
IGBT
的可靠性预测模型；所述可靠性预测模型用于对所述
IGBT
器件的可靠性进行预测
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对
IGBT
器件的可靠性数据进行处理，确定所述
IGBT
器件的失效诱发因素表征参数，包括：对
IGBT
器件的可靠性数据进行处理，获得不同失效诱发应力下的待修正参数；根据所述可靠性数据和不同失效诱发应力下的所述待修正参数，确定不同失效诱发应力下的加速系数；根据所述可靠性数据和所述不同失效诱发应力下的加速系数，确定所述
IGBT
器件在不同失效诱发应力下的基本失效率
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待修正参数包括激活能，所述可靠性数据包括
IGBT
器件在不同失效诱发应力下，不同应力大小对应的特征寿命；所述对
IGBT
器件对应的可靠性数据进行处理，获得不同失效诱发应力下的待修正参数，包括：确定
IGBT
器件的寿命与不同失效诱发应力之间的对应关系；根据所述
IGBT
在不同失效诱发应力下，不同应力大小对应的特征寿命，以及所述对应关系，确定不同失效诱发应力下的激活能
。4.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述可靠性数据和所述不同失效诱发应力下的加速系数，确定所述
IGBT
器件在不同失效诱发应力下的基本失效率，包括：对所述可靠性数据进行分类分析，确定所述
IGBT
器件在不同失效诱发应力下的使用时长；根据各失效诱发应力下的加速系数，分别将各失效诱发应力下不同应力大小的使用时长，转换为与各失效诱发应力对应的预设参考应力下的使用时长；根据所述与各失效诱发应力对应的预设参考应力下的使用时长，得到与各失效诱发应力对应的预设参考应力下的累积使用时长；根据各所述累积使用时长和初始失效率预计值，对基本失效率进行修正，得到所述
IGBT
器件在不同失效诱发应力下的基本失效率
。5.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述失效诱发因素表征参数和所述
IGBT
器件的任务剖面阶段参数，建立所述
IGBT
的可靠性预测模型，包括：根据所述失效诱发因素表征参数
、
所述

【专利技术属性】
技术研发人员：雷庭，胡宁，周军连，杨洪旗，路艳春，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：