一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片制造技术

本发明专利技术为一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片；它包括雷达传感器芯片

【技术实现步骤摘要】
一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片


[0001]本专利技术涉及电子设备
、
电子器件技术
、
集成电路芯片领域，尤其涉及射一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片
。

技术介绍

[0002]随着
5G
技术的应用升级，物联网技术得到长足的发展，其对智能传感器设备的需求也趋于多样化
。
雷达传感器利用电磁波的回波特性探测物体具有隐蔽性强
、
抗干扰能力强等优点，正逐步应用于智能照明
、
智能家居
、
智能安防
、
智能家电等领域
。
为适应物联网系统低成本的要求，不断提升雷达传感器的竞争力，低功耗
、
小型化
、
低成本仍是雷达传感器技术突破的关键
。
[0003]雷达传感器芯片作为雷达传感器的核心，为提高雷达传感器的竞争力更加适用于物联网近距离探测应用，往往采用更低成本
、
更低功耗
、
更高集成度的
CMOS
工艺
。
但雷达传感芯片射频工作频率较高，在
CMOS
工艺种需要采用截至频率更高但工作电压更低的小尺寸射频
MOS
管
。
使得雷达传感器芯片需要配合电源管理芯片才能正常工作，这导致将雷达传感器系统模组的成本增高，集成度变低
。
[0004]虽然，雷达传感器芯片内部可以集成线性稳压器模块
(LDO)
，但受半导体工艺限制集成在雷达传感器芯片内部集成的线性稳压器耐压值有限，这在很大程度限制了雷达传感器在物联网系统中的应用
。
如在智能照明领域为控制成本其电源由市电经简单的
AC
‑
DC
转换，这种应用场景需要耐高压电源管理芯片
。
而雷达传感器芯片内部集成的线性稳压器则不能适用于这种场景
。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于：提供一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片；它通过将一种电源管理芯片与雷达传感器芯片两种不同类型的芯片合封成一个
SiP
（
Silicon in Package
）芯片，使得独立芯片在实现雷达传感器芯片的性能和功能的同时，还能够承受住较高的电压，因而可显著提高雷达传感系统的集成度
、
可靠性和一致性，降低雷达传感器系统模组成本
。
[0006]本专利技术通过如下技术方案实现：一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片，它包括雷达传感器芯片
101,
采用
CMOS
半导体工艺制得；电源管理芯片
102
，采用高压半导体工艺制得；以及封装框架1，用于封装雷达传感器芯片
101
和电源管理芯片
102
；其中，雷达传感器芯片
101
的独立
PAD
由键合线引出，封装为第一合封管脚
31
；电源管理芯片
102
的独立
PAD
由键合线引出，封装为第二合封管脚
32
；同时，雷达传感器芯片
101
和电源管理芯片
102
之间通过芯片互连线2连接，实现雷达传感器芯片
101
和电源管理芯片
102
的电性能互连；
从而构成合封系统芯片
5。
[0007]较之前技术而言，本专利技术的有益效果为：
1.
它通过将一种电源管理芯片与雷达传感器芯片两种不同类型的芯片合封成一个
SiP
芯片，使得独立芯片在实现雷达传感器芯片的性能和功能的同时，还能够承受住较高的电压，因而可显著提高雷达传感系统的集成度
、
可靠性和一致性，降低雷达传感器系统模组成本
。
[0008]2.
本专利技术所提的电源管理芯片与雷达传感器芯片合封系统，将两颗芯片合封为一颗芯片，在应用在雷达传感器模组中，替换传统单个雷达传感器芯片并减少一颗电源管理芯片的使用，还能降低雷达传感器产品迭代升级的研发成本
。
[0009]3.
在不改变雷达传感器原有封装类型的基础上，通过优化电源管理芯片和雷达传感器芯片的
PAD
位置，避免芯片合封过程中键合线的交叉
。
在付出极低的封装成本条件下，实现雷达传感器芯片的耐高压性能
。
附图说明
[0010]图1为本专利技术合封系统架构图；图2为电源管理芯片与雷达传感器芯片合封系统的具体案例图
。
[0011]标号说明：1封装框架
、101
雷达传感器芯片
、102
电源管理芯片
、2
芯片互连线
、3、4
散热焊盘
、5
合封系统芯片
、61
电源管理芯片输出
PAD、62
电源管理芯片
GND、71
第一封装
PIN
脚
、72
第二封装
PIN、73
第三封装
PIN
脚
、74
第四封装
PIN
脚
、75
第五封装
PIN
脚
、76
第六封装
PIN
脚
、81
雷达传感器芯片
GND、82
雷达传感器芯片
VDD。
具体实施方式
[0012]如图1‑2所示：一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片，它包括雷达传感器芯片
101,
采用
CMOS
半导体工艺制得；电源管理芯片
102
，采用高压半导体工艺制得；以及封装框架1，用于封装雷达传感器芯片
101
和电源管理芯片
102
；其中，雷达传感器芯片
101
的独立
PAD
由键合线引出，封装为第一合封管脚
31
；电源管理芯片
102
的独立
PAD
由键合线引出，封装为第二合封管脚
32
；同时，雷达传感器芯片
101
和电源管理芯片
102
之间通过芯片互连线2连接，实现雷达传感器芯片
101
和电源管理芯片
102
的电性能互连；从而构成合封系统芯片
5。
[0013]本专利技术所述的雷达传感器芯片作为雷达传感器核心，采用
CMOS
半导体工艺，能够降低成本
、
提高集成度
。
同样电源管理芯片，采用高压半导体工艺制作而成，具备耐高压能力（特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片，其特征在于：它包括雷达传感器芯片（
101
）
,
采用
CMOS
半导体工艺制得；电源管理芯片（
102
），采用高压半导体工艺制得；以及封装框架（1），用于封装雷达传感器芯片（
101
）和电源管理芯片（
102
）；其中，雷达传感器芯片（
101
）的独立
PAD
由键合线引出，封装为第一合封管脚（
31
）；电源管理芯片（
102
）的独立
PAD
由键合线引出，封装为第二合封管脚（
32
）；同时，雷达传感器芯片（
101
）和电源管理芯片（
102
）之间通过芯片互连线（2）连接，实现雷达传感器芯片（
101
）和电源管理芯片（
102
）的电性能互连；从而构成合封系统芯片（5）
。2.
根据权利要求1所述的一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片，其特征在于：所述雷达传感器芯片（
101
）和电源管理芯片（
102
）通过黏合固定的方式固定于封装框架（1）的散热焊盘（4）上
。3.
根据权利要求1所述的一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片，其特征在于：电源管理芯片（
102
）的输出
PAD
通过芯片互连线（2）与雷达传感器的电源
PAD
连接作为雷达传感器芯片（
101
）的电源
。4.
根据权利要求3所述的一种支持高压电源输入的雷达传感器芯片，其特征在于：电源管理芯片（
102
）的输出
PAD
分为电源管理芯片输出
PAD
（
61
）和电源管理芯片
GND
（
62
），雷达传感器的电源
PAD
分为了雷达传感器芯片
GND
（
81
）和雷达传感器芯片
VDD
（
82
）；所述了雷达传感器芯片
GND
（
81
）和电源管理芯片
GND
（
62
）通过芯片互连线（2）键...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛旭磊，彭涛，龙正隆，
申请(专利权)人：深圳芯盛思技术有限公司，
类型：发明
国别省市：