半导体套准误差的量测方法技术

本发明专利技术涉及到一种半导体套准误差的量测方法

【技术实现步骤摘要】
半导体套准误差的量测方法


[0001]本专利技术主要涉及到半导体
，更确切的说，涉及到半导体集成电路制造领域的用于判断套准情况的套准误差量测方法
。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的发展，半导体的结构及工艺变得越来越繁杂
。
在半导体工艺制备过程中为保障各工序的精准度，半导体的结构检测量测是必须的环节
。
半导体检测过程中含检测目标图像生成和图像数据处理
。
检测目标图像生成用于获取与被检测对象如晶圆有关的检测目标图像，数据处理对检测目标的图像进行提取处理和判定
。
晶圆的关键检测步骤典型的例如涉及到晶圆的套准结构的特征测量以及套准误差判定等
。
[0003]套准判定是半导体制造过程中如光刻环节的一项基础性工艺要求，其主要表征两个层次的叠对好坏程度，目前的实现方法是在划片槽设置特定的套准结构，使用套准测试仪测定并且根据测定数值的大小来判断套准是否规范
。
[0004]通用的光刻工作粗略过程：逐一曝光完晶圆上所有的场，亦即分步，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体套准误差的量测方法，其特征在于：计算晶圆上前一层标识的第一中心位置和晶圆上后一层标识的第二中心位置；由对比第一和第二中心位置的差异而量测出前一层和后一层标识的套准误差
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于：第一左选定区至少框定前一层标识的局部左纵向标识，第一左选定区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势，第一左选定区的横向宽度大于前一层标识的左纵向标识；第一右选定区至少框定前一层标识的局部右纵向标识，第一右选定区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势，第一右选定区的横向宽度大于前一层标识的右纵向标识；基于第一左选定区和第一右选定区的灰度值情况而计算前一层标识的第一中心位置的横坐标
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于：第二左选定区至少框定后一层标识的局部左纵向标识，第二左选定区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势，第二左选定区的横向宽度大于后一层标识的左纵向标识；第二右选定区至少框定后一层标识的局部右纵向标识，第二右选定区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势，第二右选定区的横向宽度大于后一层标识的右纵向标识；基于第二左选定区和第二右选定区的灰度值情况而计算后一层标识的第二中心位置的横坐标
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于：由对比第一和第二中心位置各自的横坐标的差异而量测出前一层和后一层标识在横向上的套准误差
。5.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于：第一上选定区至少框定前一层标识的局部上横向标识，第一上选定区的灰度值沿纵向具有多段上升和下降的趋势，第一上选定区的纵向宽度大于前一层标识的上横向标识；第一下选定区至少框定前一层标识的局部下横向标识，第一下选定区的灰度值沿纵向具有多段上升和下降的趋势，第一下选定区的纵向宽度大于前一层标识的下横向标识；基于第一上选定区和第一下选定区的灰度值情况而计算前一层标识的第一中心位置的纵坐标
。6.
根据权利要求5所述的方法，其特征在于：第二上选定区至少框定后一层标识的局部上横向标识，第二上选定区的灰度值沿纵向具有多段上升和下降的趋势，第二上选定区的纵向宽度大于后一层标识的上横向标识；第二下选定区至少框定后一层标识的局部下横向标识，第二下选定区的灰度值沿纵向具有多段上升和下降的趋势，第二下选定区的纵向宽度大于后一层标识的下横向标识；基于第二上选定区和第二下选定区的灰度值情况而计算后一层标识的第二中心位置的纵坐标
。7.
根据权利要求6所述的方法，其特征在于：由对比第一和第二中心位置各自的纵坐标的差异而量测出前一层和后一层标识在纵向上的套准误差
。8.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于：表征第一左选定区的一个灰度值下降边的第一左线位置和表征第一左选定区的一个
灰度值上升边的第一右线位置的均值作为第一左选定区的第一纵向中线；表征第一右选定区的一个灰度值下降边的第二左线位置和表征第一右选定区的一个灰度值上升边的第二右线位置的均值作为第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：田东卫，温任华，张颖，
申请(专利权)人：魅杰光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：