应用于集成电路的套刻量测方法技术

本发明专利技术涉及到应用于集成电路的套刻量测方法

【技术实现步骤摘要】
应用于集成电路的套刻量测方法


[0001]本专利技术主要涉及到集成电路制备领域，更确切的说，涉及到半导体集成电路制造领域的用于判断套刻情况的套刻差异量测方法
。

技术介绍

[0002]伴随着着集成电路技术的发展，集成电路结构及工艺变得越来越繁杂
。
在集成电路的制备过程中为保障各工序的精准度，集成电路结构检测量测是必须的环节
。
集成电路检测过程含检测目标图像生成和图像数据处理
。
检测目标图像生成用于获取与被检测对象如电路有关的检测目标图像，数据处理对检测目标的图像进行提取处理和判定
。
集成电路关键检测步骤典型的例如涉及到硅片套刻结构的特征测量以及套刻差异判定等
。
[0003]集成电路曝光工作粗略过程：逐一曝光完晶圆上所有的场，亦即分步，然后更换下批次的晶圆直至曝光完所有的晶圆，对晶圆进行工艺处理结束后，更换掩模，接着在晶圆上曝光后一层次的图形，也就是进行重复曝光
。
其中，后一层次掩模曝光的图形必须和前一层次掩模曝光准确的套叠在一起，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种应用于集成电路的套刻量测方法，其特征在于：由晶圆上布置的下一层标记的周边边缘与其下方的介质层的台阶式的交界处来定义出下一层标记的第一中心位置；由晶圆上布置的上一层标记的周边边缘与其下方的下一层标记的台阶式的交界处来定义出上一层标记的第二中心位置；对比第一和第二中心位置的误差而量测出下一层和上一层标记的套刻差异
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于：第一左边界区至少框定下一层标记的局部左边缘交界，第一左边界区从介质层上跨而过渡到下一层标记，使第一左边界区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势；第一右边界区至少框定下一层标记的局部右边缘交界，第一右边界区从下一层标记下跨而过渡到介质层，使第一右边界区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势；基于第一左边界区和第一右边界区的灰度值情况而计算下一层标记的第一中心位置的横坐标
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于：第二左边界区至少框定上一层标记的局部左边缘交界，第二左边界区从下一层标记上跨而过渡到上一层标记，使第二左边界区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势；第二右边界区至少框定上一层标记的局部右边缘交界，第二右边界区从上一层标记下跨而过渡到下一层标记，使第二右边界区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势；基于第二左边界区和第二右边界区的灰度值情况而计算上一层标记的第二中心位置的横坐标
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于：由对比第一和第二中心位置各自的横坐标的差异而量测出下一层标记和上一层标记在横向上的套刻差异
。5.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于：第一上边界区至少框定下一层标记的局部上边缘交界，第一上边界区从介质层上跨而过渡到下一层标记，使第一上边界区的灰度值沿纵向具有多段上升和下降的趋势；第一下边界区至少框定下一层标记的局部下边缘交界，第一下边界区从下一层标记下跨而过渡到介质层，第一下边界区的灰度值沿纵向具有多段上升和下降的趋势；基于第一上边界区和第一下边界区的灰度值情况而计算上一层标记的第一中心位置的纵坐标
。6.
根据权利要求5所述的方法，其特征在于：第二上边界区至少框定上一层标记的局部上边缘交界，第二上边界区从下一层标记上跨而过渡到上一层标记，使第二上边界区的灰度值沿纵向具有多段上升和下降的趋势；第二下边界区至少框定上一层标记的局部下边缘交界，第二下边界区从上一层标记下跨而过渡到下一层标记，使第二下边界区的灰度值沿纵向...

【专利技术属性】
技术研发人员：田东卫，温任华，张颖，
申请(专利权)人：魅杰光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：