一种发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种发光二极管及发光装置
。

技术介绍

[0002]发光二极管
(Light Emitting Diode
，
LED)
，通常是由如
GaN、GaAs、GaP、GaAsP
等半导体制成，其核心是具有发光特性的
PN
结，在正向电压下，电子由
N
区注入
P
区，空穴由
P
区注入
N
区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光
。LED
具有发光强度大
、
效率高
、
体积小
、
使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一
。
[0003]目前，现有的发光二极管通常在电极下方设电流扩展层实现电流扩展，然而由于电流扩展层会吸收光，因此该设计会导致光经过电极底部的电流扩展层时有一部分光被电流扩展层吸收，且取出的光经过电极反射后再次经过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层
、
发光层和第二半导体层；第二电极，位于所述第二半导体层上，并且与所述第二半导体层电连接；第一电流扩展层，位于所述第二电极上，且至少覆盖部分所述第二电极
。2.
一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层
、
发光层和第二半导体层；第二电流阻挡层，位于所述第二半导体层上，且与所述第二半导体层接触；第二电极，位于所述第二电流阻挡层上，且所述第二电极的俯视投影位于所述第二电流阻挡层内；第一电流扩展层，位于所述第二电极上，至少覆盖部分所述第二电极
。3.
根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括第二电流扩展层，位于所述第二半导体层与所述第二电极之间，所述第一电流扩展层与所述第二电流扩展层至少部分接触
。4.
根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括第二电流扩展层，位于所述第二电流阻挡层和所述第二电极之间，且至少部分覆盖所述第二电流阻挡层，所述第一电流扩展层与所述第二电流扩展层至少部分接触
。5.
根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电流扩展层延伸覆盖至所述第二电流扩展层上，所述第一电流扩展层与所述第二电流扩展层的重叠部分覆盖至少部分所述第二电流阻挡层侧壁
。6.
根据权利要求3或4所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电流扩展层的厚度大于等于所述第二电流扩展层的厚度
。7.
根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第二电流扩展层的厚度与所述第一电流扩展层的厚度比范围为
1/3
～
1。8.
根据权利要求3或4所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电流扩展层的厚度范围为
200
埃～
3000
埃
。9.
根据权利要3或4所述的发光二极管，其特征在于：所述第二电流扩展层的厚度范围为
100
埃～
3000
埃
。10.
根据权利要求3或4所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电流扩展层的材料包括氧化铟锡
、
氧化镉锡
、
氧化锢和氧化锌
、
氧化锌镓
、
氧化铟，或铟掺杂氧化锌，或铝掺杂氧化锌，或镓掺杂氧化锌，或铝掺杂氧化铟锡的一种或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨人龙，张平，林雅雯，黄事旺，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：