保护胶带及其制造方法技术

一种保护胶带及其制造方法

【技术实现步骤摘要】
保护胶带及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种保护胶带，且特别是有关于一种具有抗静电层的保护胶带及其制造方法
。

技术介绍

[0002]随着科技的进展，电子装置中的功能越来越多样化
。
举例来说，目前的智慧型手机除了拨打电话的功能以外，更包含上网
、
拍照
、
录影
、
指纹辨识等功能
。
为了因应这种发展，电子装置中的芯片的数量以及集成度必需要被提升
。
基于上述原因，要如何缩小芯片或晶片的厚度成为了目前许多厂商致力于研究的课题
。
[0003]目前，背面研磨工艺是一种常见的减少晶片厚度的工艺
。
一般而言，在执行背面研磨工艺前，会于晶片的正面贴上保护保护胶带，以避免晶片正面的元件在背面研磨工艺中受到损伤
。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种保护胶带，具有耐电晕处理的优点
。
[0005]本专利技术提供一种保护胶带的制造方法，能够制造出具有耐电晕处理的优点的保护胶带
。
[0006]本专利技术的至少一实施例提供一种保护胶带
。
保护胶带包括基材膜
、
抗静电层以及黏着层
。
抗静电层位于基材膜上
。
抗静电层的表面阻抗小于
1E+9
欧姆，且包括第一树脂以及分散于所述第一树脂中的导电材料
。
导电材料包括金属离子以及碳中的至少一者
。
黏着层位于基材膜的经电晕处理的表面上
。
[0007]本专利技术的至少一实施例提供一种保护胶带的制造方法，包括：提供基材膜；形成抗静电层于基材膜上，其中抗静电层包括第一树脂以及分散于第一树脂中的导电材料，其中导电材料包括金属离子以及碳中的至少一者；对基材膜执行电晕处理，以形成基材膜的经电晕处理的表面；以及形成黏着层于基材膜的经电晕处理的表面上，其中抗静电层在电晕处理之后的表面阻抗小于
1E+9
欧姆
。
[0008]基于上述，黏着层形成于基材膜的经电晕处理的表面上，因此，黏着层可以较佳的附着于基材膜上
。
此外，由于抗静电层中包括分散于树脂中的导电材料，即使在经过电晕处理工艺后，抗静电层仍然具有小于
1E+9
欧姆的表面阻抗
。
附图说明
[0009]图1是依照本专利技术的一实施例的一种保护胶带的剖面示意图
。
[0010]图2是依照本专利技术的一实施例的一种保护胶带的制造方法的流程图
。
[0011]图
3A
至图
3D
是依照本专利技术的一实施例的一种保护胶带的使用方法的剖面示意图
。
[0012]附图标记说明
[0013]10,10
’
:
保护胶带；
[0014]12:
基材膜；
[0015]12a:
第一面；
[0016]12b:
第二面；
[0017]14:
抗静电层；
[0018]16:
黏着层；
[0019]17:
凹凸吸收层；
[0020]18:
感光胶；
[0021]22,22
’
:
晶片；
[0022]24:
导电结构；
[0023]S1,S2,S3,S4:
步骤
。
具体实施方式
[0024]图1是依照本专利技术的一实施例的一种保护胶带的剖面示意图
。
[0025]请参考图1，保护胶带
10
包括基材膜
12、
抗静电层
14
以及黏着层
16。
[0026]在一些实施例中，基材膜
12
的材料包括聚对苯二甲酸乙二酯或其他合适的材料
。
在一些实施例中，基材膜
12
的厚度
T1
介于
25
微米至
150
微米的范围内，且较佳介于
50
微米至
100
微米的范围内
。
[0027]抗静电层
14
位于基材膜
12
上
。
举例来说，抗静电层
14
直接形成于基材膜
12
的第一面
12a
上
。
在一些实施例中，抗静电层
14
的厚度
T2(
干膜的厚度
)
介于
80
奈米至
200
奈米的范围内
。
抗静电层
14
包括第一树脂以及分散于第一树脂中的导电材料
。
在一些实施例中，第一树脂的材料包括聚氨酯
、
压克力
、
聚酯树脂
、
环氧树脂以及醇酸树脂中的至少一者
。
导电材料包括金属离子以及碳中的至少一者，其中碳例如为奈米碳管或其他可以导电的碳
。
在一些实施例中，抗静电层
14
中还包括分散于第一树脂中的经表面改质的填充粒子，其中经表面改质的填充粒子例如为经表面改质的氧化硅
。
在一些实施例中，经表面改质的填充粒子有助于避免抗静电层
14
在制造或使用过程中被滚轮或其他物体所擦伤
。
[0028]在本实施例中，抗静电层
14
的表面阻抗小于
1E+9
欧姆，因此，抗静电层
14
可以在晶片的背面研磨工艺时减少或避免晶片因为静电而造成的损伤
。
[0029]黏着层
16
位于基材膜
12
的经电晕处理的第二面
12b
上
。
在本实施例中，抗静电层
14
与黏着层
16
位于基材膜
12
的相对两面，但本专利技术不以此为限
。
在其他实施例中，抗静电层
14
与黏着层
16
位于基材膜
12
的同一面
。
电晕处理使基材膜
12
的第二面
12b
的化学键断裂而降解，并能增加第二面
12b
的粗糙度和表面积，因此，后续形成于第二面
12b
的黏着层
16
可以较佳的附着于基材膜
12
上
。
在一些实施例中，第二面
12b
的粗糙度大于第一面
12a
的粗糙度
。
在一些实施例中，电晕处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种保护胶带，包括：基材膜；抗静电层，位于所述基材膜上，其中所述抗静电层的表面阻抗小于
1E+9
欧姆，且包括：第一树脂；以及导电材料，分散于所述第一树脂中，其中所述导电材料包括金属离子以及碳中的至少一者；以及黏着层，位于所述基材膜的经电晕处理的表面上
。2.
根据权利要求1所述的保护胶带，其中所述基材膜的材料包括聚对苯二甲酸乙二酯
。3.
根据权利要求1所述的保护胶带，其中所述第一树脂的材料包括聚氨酯
、
压克力
、
聚酯树脂
、
环氧树脂以及醇酸树脂中的至少一者
。4.
根据权利要求1所述的保护胶带，其中所述黏着层包括接枝具有极性官能基的单体的聚烯烃
。5.
根据权利要求1所述的保护胶带，其中所述黏着层中的所述具有极性官能基的单体包括甲基丙烯酸缩水甘油酯
、
乙酸乙烯酯
、
马来酸以及丙烯酸甲酯中的至少一者
。6.
根据权利要求1所述的保护胶带，更包括：凹凸吸收层，与所述黏着层黏合，且所述凹凸吸收层与所述基材膜之间的剥离强度大于
20N/25mm
，其中所述凹凸吸收层的材料包括聚烯烃树脂
。7.
一种保护胶带的制造方法，包括：提供基材膜；形成抗静电层于所述基材膜上，其中所述抗静电层包括：第一树脂；以及导电材料，分散于所述第一树脂中，其中所述导电材料包括金属离子以及碳中的至少一者；对所述基材膜执行电晕处理，以形成所述基材膜的经电晕处理的表面；以及形成黏着层于所述基材膜的经电晕处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖德超，曹俊哲，陈政宏，
申请(专利权)人：南亚塑胶工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：