【技术实现步骤摘要】
一种多通道光电收发集成系统
[0001]本专利技术涉及现代数据传输中心的高速光电通信领域,尤其涉及一种多通道光电收发集成系统
。
技术介绍
[0002]随着人工智能
、
智能计算
、
云存储等技术等的飞速发展,人类科技对于底层算力需求呈爆发式增长,数据传输量从
GB
到
TB
再到
PB
不断攀升,这也对数据传输速率提出了更高的要求
。
光电技术是现代算力和通信技术的重要基础,基于光电技术发展出光电传输集成系统,包括光模块
、
光交换机等,传输速率也从
25Gbit/s
每通道向
50Gbit/s
每通道再到
100Gbit/s
每通道飞速提升,通道集成数量也从单通道向4通道
、8
通道不断拓展
。
总的来说,当前光电技术朝着更高通道速率
、
更密集通道集成数量不断发展
。
[0003]现有的光电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种多通道光电收发集成系统,其特征在于,所述系统包含第一光纤阵列
、
第二光纤阵列
、
硅基发射芯片
、
发射信号放大模块
、
硅基接收芯片和接收信号放大模块;所述第一光纤阵列通过光封装给硅基发射芯片提供外部光源,并把经过调制后的光信号输出至光纤上;所述第二光纤阵列通过光封装给硅基接收芯片提供已调制的光信号;所述硅基发射芯片与发射信号放大模块进行高速射频电信号连接,发射信号放大模块与外部任意波形发射器信号源连接,发射信号放大模块将任意波形发射器产生的高速电信号放大后调制至硅基发射芯片上;所述硅基接收芯片与接收信号放大模块进行高速射频电信号连接,接收信号放大模块与外部误码仪连接,接收信号放大模块将硅基接收芯片产生的高速电信号放大后输出给误码仪进行信号质量的分析;所述硅基发射芯片和硅基接收芯片的硅光结构相同,且集成在同一晶片上;所述硅基发射芯片引出的射频电极为
GS
结构,所述硅基接收芯片引出的射频电极为
GSG
结构
。2.
根据权利要求1所述的多通道光电收发集成系统,其特征在于,所述硅光结构包含两个硅基
PN
结结构,这两个硅基
PN
结与掺杂度依次变高的
P
型和
N
型半导体连接;所述硅基
PN
结中,从左到右的材料类型依次为
N++、N+、N、P、P+、P++、P++、P+、P、N、N+、N++
,且两个硅基
PN
结是光波导结构,光从两个硅基
PN
结通过
。3.
根据权利要求2所述的多通道光电收发集成系统,其特征在于,所述硅基
PN
结结构置于
SiO2
层上面,
SiO2
层置于
Si
层上面,同时在硅基
PN
结之间结间隙与硅基
PN
结顶层布置
SiO2
材料
。4.
根据权利要求2所述的多通道光电收发集成系...
【专利技术属性】
技术研发人员:应小俊,尹坤,陈敬月,李玉苗,刘硕,王玥,陈宏晨,王继厚,刘士圆,许桐恺,吉晨,
申请(专利权)人:之江实验室,
类型:发明
国别省市:
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