即使在需要变更传递模塑型功率模块的形状的情况下，也通过使功率模块的电极端子与电极分离，将分离后的电极端子高精度地后安装于电极，从而使模块的电极位置的变更变得容易。半导体装置具有：半导体芯片；模塑树脂(2)，将半导体芯片包在内部；电极(3)，与半导体芯片电连接，在设置于模塑树脂(2)的开口部(5)露出；以及电极端子(4)，具有将电极(3)覆盖且与电极电接触的接触部(9)、以将接触部(9)包围的方式形成且设置于开口部(5)的侧面(13)与接触部(9)之间的多个凸起(7、8)，该电极端子具有存在接触部(9)的接触端部(11)和与接触端部(11)不同的端部即开放端部(12)。还涉及半导体装置组及电力变换装置。及电力变换装置。及电力变换装置。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置、半导体装置组及电力变换装置
[0001]本专利技术是涉及将电极端子后安装于电极的传递模塑型功率模块等半导体装置的专利技术。
技术介绍
[0002]当前，公开了如下功率半导体装置，即，多个引线框与被模塑树脂封装的功率半导体芯片电连接，并且多个上述引线框从与上述功率半导体芯片一起被模塑树脂封装而成的框体凸出到框体的外部。
[0003](例如，参照专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特开2004
‑
165281号公报(第0031
‑
0034段，图1)
[0005]在对传递型功率模块(TPM：Transfer molded―Power Module)进行生产时，电极的位置被固定于上述传递型功率模块的模具的内部。如果模块的电极位置变更，则需要变更传递模塑型功率模块的形状。因此，存在如下问题，即，产生模具及用于对与该模具对应的电极进行制作的框架的形状及制造工艺整体的变更等，会产生与该变更相伴的成本等。
技术实现思路
[0006]本专利技术就是为了解决上述那样的问题而提出的，其目的在于提供如下半导体装置，即，通过使功率模块的电极端子与电极分离，将分离后的电极端子高精度地后安装于电极，从而使模块的电极位置的变更变得容易。
[0007]本专利技术涉及的半导体装置具有：半导体芯片；模塑树脂，其将半导体芯片包在内部；电极，其与半导体芯片电连接，在设置于模塑树脂的开口部露出；以及电极端子，其具有将电极覆盖并且与电极电接触的接触部、以将接触部包围的方式形成并且设置于开口部的侧面与接触部之间的多个凸起，该电极端子具有存在有接触部的接触端部和与接触端部不同的端部即开放端部。
[0008]另外，本专利技术涉及的半导体装置具有：半导体芯片；模塑树脂，其将半导体芯片包在内部；电极，其与半导体芯片电连接，在设置于模塑树脂的开口部露出；以及电极端子，其具有将电极覆盖并且与电极电接触的接触部，该电极端子具有存在有接触部的接触端部和与接触端部不同的端部即开放端部，模塑树脂在开口部的侧面和电极端子的接触部之间具有多个凸起。
[0009]专利技术的效果
[0010]根据本专利技术涉及的半导体装置，即使模块的电极位置发生变更也能够避免与该变更相伴而产生的成本等。
附图说明
[0011]图1是实施方式1涉及的半导体装置的斜视图。
[0012]图2是将实施方式1涉及的半导体装置的电极端子放大后的俯视图。
[0013]图3是实施方式1涉及的半导体装置的电极端子的变形例。
[0014]图4是实施方式1涉及的半导体装置的电极端子的变形例。
[0015]图5是实施方式1涉及的半导体装置的电极端子的变形例。
[0016]图6是实施方式1涉及的半导体装置的电极端子的变形例。
[0017]图7是实施方式1涉及的半导体装置的电极端子的变形例。
[0018]图8是表示实施方式1涉及的电极端子的接合部分的图。
[0019]图9是表示实施方式1涉及的电极端子的接合部分的图。
[0020]图10是在实施方式1中通过封装剂对开口部进行封装后的图。
[0021]图11是将实施方式2涉及的半导体装置的电极端子放大后的图。
[0022]图12是表示实施方式2涉及的电极端子的变形例的图。
[0023]图13是表示实施方式3涉及的半导体装置的开口部的剖面的图。
[0024]图14是表示实施方式4涉及的电极端子的图。
[0025]图15是将实施方式4涉及的电极端子放大后的图。
[0026]图16是将实施方式4涉及的电极端子放大后的图。
[0027]图17是将实施方式5涉及的电极端子放大后的图
[0028]图18是表示实施方式5涉及的电极端子的开口部的剖面的图。
[0029]图19是将实施方式6涉及的电极端子放大后的图。
[0030]图20是表示实施方式6涉及的电极端子的开口部的剖面的图。
[0031]图21是实施方式6涉及的电极端子的变形例。
[0032]图22是实施方式6涉及的电极端子的变形例。
[0033]图23是实施方式6涉及的电极端子的变形例。
[0034]图24是将实施方式7涉及的电极端子放大后的图。
[0035]图25是表示实施方式8涉及的半导体装置组的图。
[0036]图26是表示电力变换系统的图，该电力变换系统应用了实施方式9涉及的电力变换装置。
具体实施方式
[0037]实施方式1
[0038]通过图1对实施方式1涉及的半导体装置进行说明。图1是实施方式1涉及的半导体装置的斜视图。实施方式1涉及的半导体装置1为传递模塑型模块。传递模塑型模块例如是指在模具内固定半导体芯片及与该半导体芯片连接的电极，通过使模塑树脂流入至该模具的内部并固化而形成的模块。
[0039]如图1所示，半导体装置1包含未图示的半导体芯片、将半导体芯片包在内部的模塑树脂2、一部分内含于模塑树脂2并且一部分在模塑树脂2的开口部5露出的电极3、与电极3分离并且通过焊料接合、US接合、或者Ag接合等金属接合等与电极3接合的电极端子4。另外，虽然未图示，但半导体芯片与电极3电连接。
[0040]模塑树脂2例如是具有6个平面的长方体，具有多个矩形的开口部5。开口部5在模塑树脂2的上表面分别设置于相对的1组边。开口部5呈在模塑树脂2的上表面及与该上表面相邻且包含上述边的侧面各自开放的形状。
[0041]在本实施例中设置有2个开口部5，但例如，也可以设置有大于或等于2个开口部。另外，开口部5可以设置在模塑树脂2的任意位置。另外，开口部5可以如图1所示在从模块的上部观察的俯视观察时呈矩形的形状，但也可以与电极端子4的形状相匹配地变更为半圆形、多边形等形状。
[0042]开口部5具有底面6。底面6例如具有与模塑树脂2的上表面平行的面并且位于模塑树脂2的上表面与底面之间。与半导体芯片电连接的电极在底面6露出。换言之，开口部5在半导体装置1的电极3的部分设置台阶而使电极3局部地露出。
[0043]开口部5可以呈在从底面6朝向模塑树脂2的外侧的方向上，与电极3平行的面的截面积变大的锥形状。或者，开口部5也可以呈在从底面6朝向模塑树脂2的外侧的方向上，与电极3平行的面的截面积恒定的直线形状。
[0044]电极端子4在接触部9具有多个凸起7及8，该接触部9将电极3覆盖并且位于开口部5的内部，与电极3接触。在图1中，在设置于模塑树脂2的2个开口部5相同地各自连接有电极端子4。这里，将凸起7设为第1凸起、将凸起8设为第2凸起。但是，这里所说的第1及第2这样的记载并非是示出结构的功能上的优先顺序等，仅用于对凸起这一结构进行区分。使用图2进一步对电极端子4进行详细的说明。如图1所示，电极端子4在与和电极3接触侧不同的端部具有螺钉紧固孔10。
[0045]图2是将实施方式1涉及的半导体装置1的开口部5本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：半导体芯片；模塑树脂，其将所述半导体芯片包在内部；电极，其与所述半导体芯片电连接，在设置于所述模塑树脂的开口部露出；以及电极端子，其具有将所述电极覆盖并且与所述电极电接触的接触部、以将所述接触部包围的方式形成并且设置于所述开口部的侧面与所述接触部之间的多个凸起，该电极端子具有存在有所述接触部的接触端部和与所述接触端部不同的端部即开放端部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述凸起包含在所述电极端子的宽度方向上分别设置于所述接触部的两端的多个第1凸起。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述电极端子还具有在所述接触端部设置的第2凸起。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述凸起包含在所述电极端子的所述接触部设置的第3凸起，所述开口部具有与所述第3凸起卡合的凹部。5.一种半导体装置，其具有：半导体芯片；模塑树脂，其将所述半导体芯片包在内部；电极，其与所述半导体芯片电连接，在设置于所述模塑树脂的开口部露出；以及电极端子，其具有将所述电极覆盖并且与所述电极电接触的接触部，该电极端子具有存在有所述接触部的接触端部和与所述接触端部不同的端部即开放端部，所述模塑树脂在所述开口部的侧面和所述电极端子的所述接触部之间具有多个凸起。6.根据权利要求1或5所述的半导体装置，其中，所述开口部具有：直线部，其以从所述开口部的底部朝向所述模塑树脂的外周，截面积相同的方式形成；以及锥形部，其以从所述直线部朝向所述模塑树脂的外周，截面积变大的方式形成为锥形状。7.根据权利要求1或5所述的半导体装置，其中，所述电极端子在所述接触部具有贯穿孔。8.根据权利要求1或5所述的半导体装置，其中，所述电极端子在所述开放端部侧具有贯穿孔。9.根据权利要求1或5所述的半导体装置，其中，所述电极端子具有所述开放端部侧弯曲的弯曲部，所述开放端部位于所述接...
【专利技术属性】
技术研发人员：鹿野武敏，西原孝太郎，新井规由，曾根田真也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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