【技术实现步骤摘要】
锂二次电池用负极活性物质及包含该负极活性物质的锂二次电池
[0001]本专利技术涉及一种锂二次电池用负极活性物质及包含该负极活性物质的锂二次电池。
技术介绍
[0002]二次电池是可以重复充电和放电的电池,随着信息通信和显示器产业的发展,二次电池广泛用作如便携式摄像机、手机、笔记本电脑等的便携式电子通讯设备的动力源。此外,近年来,正在开发包括二次电池的电池组并用作如电动汽车的环保型汽车的动力源。
[0003]二次电池例如可以列举锂二次电池、镍镉电池、镍氢电池等,其中的锂二次电池具有高的工作电压和每单位重量的能量密度,并且有利于充电速度和轻量化,因此正积极地进行开发和应用。
[0004]例如,锂二次电池可以包括:电极组件,所述电极组件包括正极、负极和分离膜(隔膜);以及电解液,所述电解液浸渍所述电极组件。所述锂二次电池还可以包括容纳所述电极组件和所述电解液的外装材料,例如软包型外装材料。
[0005]近年来,随着锂二次电池的应用对象的扩大,正在进行具有更高的容量和功率的锂二次电池的开发。例如,可以将高容 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种锂二次电池用负极活性物质,所述锂二次电池用负极活性物质包含复合颗粒,所述复合颗粒包含:碳基颗粒,所述碳基颗粒包含孔;含硅涂层,所述含硅涂层形成在所述碳基颗粒的所述孔的内部或所述碳基颗粒的表面上;以及表面氧化层,所述表面氧化层形成在所述含硅涂层上并包含硅氧化物,其中,所述复合颗粒的由以下式1定义的硅氧化数比为0.6以下:[式1]硅氧化数比=O
B
/O
S
式1中,O
B
是通过X射线光电子能谱(XPS)获得的所述含硅涂层中包含的硅的氧化数,O
S
是通过X射线光电子能谱获得的所述表面氧化层中包含的硅的氧化数。2.根据权利要求1所述的锂二次电池用负极活性物质,其中,所述O
B
是将通过X射线光电子能谱测量的所述含硅涂层中包含的硅的结合能减去99.6eV的值代入硅氧化数校准曲线而获得,所述O
S
是将通过X射线光电子能谱测量的所述表面氧化层中包含的硅的结合能减去99.6eV的值代入所述硅氧化数校准曲线而获得。3.根据权利要求2所述的锂二次电池用负极活性物质,其中,在以硅的氧化数为x轴并以通过X射线光电子能谱测量的硅的结合能减去99.6eV的值为y轴的图中,所述硅氧化数校准曲线是将对应于Si0、Si
1+
、Si
2+
、Si
3+
和Si
4+
的点分别表示在所述图中后以最短距离连接相邻点而获得。4.根据权利要求1所述的锂二次电池用负极活性物质,其中,所述含硅涂层与所述复合颗粒的表面的距离为100
‑
700nm,所述表面氧化层与所述复合颗粒的表面的距离为10nm以下。5.根据权利要求1所述的锂二次电池用负极活性物质,其中,所述O
B
为1.2至2.0,所述O
S
为3.0至3.6。6.根据权利要求1所述的锂二次电池用负极活性物质,其中,由以下式2定义的氧含量比为0.4以下:[式2]氧含量比=C
B
/C
S
式2中,C
B
是通过X射线光电子能谱测量的所述含硅涂层中包含的氧原子数相对于所述含硅涂层中包含的原子数和所述表面氧化层中包含的原子数之和的百分比且单位是原子%,C
S
是通过X射线光电子能谱测量的所述表面氧化层中包含的氧原子数相对于所述含硅涂层中包含的原子数和所述表面氧化层中包含的原子数之和的百分比且单位是原子%。7.根据权利要求6所述的锂二次电池用负极活性物质,其中,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁泳模,文俊亨,俞到爱,郑周昊,崔载英,
申请(专利权)人:SK新技术株式会社,
类型:发明
国别省市:
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