一种电磁屏蔽封装结构的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种电磁屏蔽封装结构的制造方法，包括以下步骤：

【技术实现步骤摘要】
一种电磁屏蔽封装结构的制造方法


[0001]本专利技术属于封装
，特别是涉及一种磁屏蔽封装结构制造方法
。

技术介绍

[0002]当前一些器件需要在强磁场环境工作，一些芯片在工作时，受到强磁场的干扰，会影响其电信号输出
。
目前，传统的生产工艺为：框架贴膜（防溢膜）
→
安装芯片
→
焊线连接
→
塑封
→
后固化（撕防溢膜）
→
软化
→
电镀锡
→
烘烤
→
框架贴膜（
UV
膜）
→
切割
→
成品
。
这样，传统的封装方法仅采用环氧树脂塑封体将芯片与外界隔离，仅能提高其抗震能力
、
抗污染能力以及避免其它各种机械损伤
。

技术实现思路

[0003]本专利技术针对以上问题，提供了一种制备磁屏蔽封装结构的方法
。
[0004]本专利技术的技术方案是：一种电磁屏蔽封装结构的制造方法，包括以下步骤：
S100
，在来料框架背面贴上防溢膜；
S200
，在框架上涂上导电胶，从晶圆上吸取单颗芯片，固定到框架指定位置并通过导电胶固定；
S300
，在芯片的信号传输口中导出金属线与框架引脚实现电气连接；
S400
，使用环氧树脂注塑成型；
S500
，将注塑成型的框架中各单元间的塑封体划槽；
S600
，在框架的塑封体上镀上一层磷镍层；
S700
，在框架的塑封体上镀上一层铜层；
S800
，在框架的塑封体上镀上一层镍层；
S900
，在框架上镀上一层锡层；
S100
，将框架各单元彻底划开，成为单颗产品
。
[0005]步骤
S600
中：使用化学镀磷镍，镀液成分为硫酸镍含量
15
‑
20g/L
，次磷酸二氢钠含量
20
‑
30g/L
，焦磷酸钠含量
30
‑
60g/L
，三乙醇胺含量
80
‑
120g/L
；反应时控制
PH
在
9.7
‑
10.3
之间，反应时间
40
‑
60
分钟，反应温度
32
‑
38℃。
[0006]步骤
S600
中：沉积的磷镍层厚度为8‑
15um。
[0007]步骤
S700
中：使用电镀铜，镀液成分为硫酸铜含量
60
‑
75g/L
，硫酸含量
180
‑
200g/L
，氯化钠含量
80
‑
160mg/L
，乙撑硫脲含量
0.2
‑
0.4g/L
，聚二硫二丙烷磺酸钠含量
0.8
‑
1.2g/L
，十二烷基硫酸钠含量
0.8
‑
1.2g/L
，反应温度
28
‑
32℃
，电流密度
0.3
‑
0.5mA/mm2，电镀时间
800
‑
1200s。
[0008]步骤
S700
中：电镀的铜层厚度为8‑
15um。
[0009]步骤
S800
中：使用电镀镍，镀液成分为硫酸镍含量
350
‑
400g/L
，氯化镍含量
40
‑
70g/L
，硼酸含量
45
‑
50g/L
，
1,4
丁炔二醇含量
0.4
‑
0.6g/L
，糖精含量
0.7
‑
1.1g/L
，十二烷基硫酸钠含量
0.7
‑
1.1g/L
，反应时控制
PH
在3‑4之间，反应温度
45
‑
55℃
，电流密度
0.5
‑
0.7mA/mm2，电镀时间
800
‑
1200s。
[0010]步骤
S800
中：电镀的镍层厚度为
12
‑
20um。
[0011]步骤
S500
中：切割前撕去框架背面的防溢膜，贴上
UV
膜
。
[0012]步骤
S500
中，使用激光切割划槽
。
[0013]步骤
S500
和
S600
之间，还包括通过物理打磨去除毛刺
。
[0014]本专利技术在工作中，先通过对将注塑成型的框架中各单元间的塑封体划槽，然后，依次在框架的塑封体上镀上一层磷镍层
、
一层铜层和一层镍层，使得产品的侧面也被金属屏蔽层覆盖具有更好的保护效果，对各个方向的电磁波都能具备较好的屏蔽效果，且只需要较薄厚度的金属层，制备的封装体就具有在强磁场下正常工作的能力
。
附图说明
[0015]图1为本专利技术步骤
S400
中框架侧面示意图；图2为本专利技术步骤
S500
中框架部侧面示意图；图3为本专利技术步骤
S800
中框架侧面示意图
。
具体实施方式
[0016]本专利技术中的一种磁屏蔽封装结构的制备方法，包括以下步骤：
S100
，在来料框架背面贴上防溢膜；
S200
，在框架上涂上导电胶，从晶圆上吸取单颗芯片，固定到框架指定位置并通过导电胶固定；
S300
，在芯片的信号传输口中导出金属线与框架引脚实现电气连接；如图1所示，
S400
，使用环氧树脂注塑成型；如图2所示，
S500
，将注塑成型的框架的各单元间的塑封体划槽；
S600
，在框架的塑封体上镀上一层磷镍层；
S700
，在框架的塑封体上镀上一层铜层；如图3所示，
S800
，在框架的塑封体上镀上一层镍层；
S900
，在框架上镀上一层锡；
S1000
，将框架各单元彻底划开，成为单颗产品
。
[0017]进一步限定，步骤
S500
中：切割背面贴上
UV
膜，划槽宽度为
330
‑
350um
，划片深本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100
，在来料框架背面贴上防溢膜；
S200
，在框架上涂上导电胶，从晶圆上吸取单颗芯片，固定到框架指定位置并通过导电胶固定；
S300
，在芯片的信号传输口中导出金属线与框架引脚实现电气连接；
S400
，使用环氧树脂注塑成型；
S500
，将注塑成型的框架中各单元间的塑封体划槽；
S600
，在框架的塑封体上镀上一层磷镍层；
S700
，在框架的塑封体上镀上一层铜层；
S800
，在框架的塑封体上镀上一层镍层；
S900
，在框架上镀上一层锡层；
S100
，将框架各单元彻底划开，成为单颗产品
。2.
根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，步骤
S600
中：使用化学镀磷镍，镀液成分为硫酸镍含量
15
‑
20g/L
，次磷酸二氢钠含量
20
‑
30g/L
，焦磷酸钠含量
30
‑
60g/L
，三乙醇胺含量
80
‑
120g/L
；反应时控制
PH
在
9.7
‑
10.3
之间，反应时间
40
‑
60
分钟，反应温度
32
‑
38℃。3.
根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，步骤
S600
中：沉积的磷镍层厚度为8‑
15um。4.
根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，步骤
S700
中：使用电镀铜，镀液成分为硫酸铜含量
60
‑
75g/L
，硫酸含量
180
‑
200g/L
，氯化钠含量
80
‑
160mg/L
，乙撑硫脲含量
0.2
‑
0.4g/L
，聚二硫二丙烷磺酸钠含量
0.8

【专利技术属性】
技术研发人员：陈睿韬，莫载毅，蔡云峰，周曦，尹志坚，袁振东，孙婵婵，陈旭东，吴燚，王标，陈明，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：