一种中子源锂靶制备系统及方法技术方案

本发明专利技术提供了一种中子源锂靶制备系统及方法，该中子源锂靶制备系统包括：第一箱体，配置于第一箱体内的蒸镀装置，形成于第一箱体外侧并连接第一箱体的磁控溅射装置，以及用于向第一箱体

【技术实现步骤摘要】
一种中子源锂靶制备系统及方法


[0001]本专利技术涉及制靶
，尤其涉及一种中子源锂靶制备系统及方法
。

技术介绍

[0002]硼中子俘获治疗是一种新型的癌症治疗方法，可以通过输入硼化合物到肿瘤细胞中，然后使用中子源发射热中子将硼原子中的中子俘获，产生核裂变反应，从而实现肿瘤细胞的有效杀灭
。
产生热中子的方式之一是通过使用加速器中子源，该技术可以产生与其它放射治疗方法相比更高的治疗效果
。
其中，锂靶是加速器中子源的核心部分，由抗氧化层
、
锂层
、
衬底层以及导热层构成多层结构，采用特定的工艺加工而成，以确保其具有高中子输出和其它必要的物理和化学性能
。
[0003]公开号为
CN115725939A
的中国专利技术专利申请公开了一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，所述装置包括真空靶室
、
旋转靶盘
、
磁控溅射源
、
蒸镀坩埚以及蒸镀电极，在真空靶室中，蒸镀坩埚与旋转靶盘间隔一定距本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种中子源锂靶制备系统，其特征在于，包括：第一箱体，配置于所述第一箱体内的蒸镀装置，形成于所述第一箱体外侧并连接所述第一箱体的磁控溅射装置，以及用于向所述第一箱体
、
所述蒸镀装置与所述磁控溅射装置输入惰性气体的供气装置；所述蒸镀装置包括：蒸镀室，配置于所述蒸镀室的蒸镀器，以及用以输入或输出靶体至所述蒸镀室的第一舱门；所述磁控溅射装置包括：溅射室，以及配置于所述溅射室的多个磁控溅射源；所述磁控溅射装置与所述第一箱体的连接处形成第二舱门，所述第二舱门供靶体输入或输出至所述溅射室
。2.
根据权利要求1所述的中子源锂靶制备系统，其特征在于，相邻所述磁控溅射源之间配置屏蔽挡板
。3.
根据权利要求2所述的中子源锂靶制备系统，其特征在于，所述磁控溅射装置还包括：工作台，沿平行于所述磁控溅射源的方向铺设于所述溅射室内的导轨，以及驱动所述工作台在所述导轨作线性往复运动的驱动单元
。4.
根据权利要求3所述的中子源锂靶制备系统，其特征在于，所述中子源锂靶制备系统还包括：第二箱体，形成于所述第二箱体与所述第一箱体之间以连通所述第二箱体与所述第一箱体的过渡舱，配置于所述第二箱体内的封装装置，以及连通所述第二箱体以输入或输出靶体至所述第二箱体的传输舱；所述供气装置向所述第二箱体输入惰性气体
。5.
根据权利要求4所述的中子源锂靶制备系统，其特征在于，所述中子源锂靶制备系统还包括：样品台，配置于所述第一箱体内以驱动所述样品台在箱体内移动的传输部件；所述传输部件驱动样品台移动至所述第一箱体与所述过渡舱的连接处
、
所述第一舱门处与所述第二舱门处
。6.
根据权利要求5所述的中子源锂靶制备系统，其特征在于，所述中子源锂靶制备系统还包括：配置于所述第一箱体内并形成于所述蒸镀装置与所述磁控溅射装置之间的检测装置
。7.
根据权利要求6所述的中子源锂靶制备系统，其特征在于，所述中子源锂靶制备系统还包括：用于抽取所述蒸镀室
、
所述溅射室
、
所述第二箱体与所述第一箱体内空气的真空装置
。8.
一种如权利要求7所述的中子源锂靶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤
S1、
真空装置抽取第一箱体与第二箱体内空气，再通过供气装置向第一箱体与第二箱体充入惰性气体；步骤
S2、
传输部件将靶材传输至磁控溅射装置，通过磁控溅射装置对靶材进行溅射镀层；步骤

【专利技术属性】
技术研发人员：王盛，谢宇鹏，李竞伦，孙秋宇，胡耀程，张凡曦，
申请(专利权)人：华硼中子科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：