用于处理基板的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术构思提供了一种基板处理装置和基板处理方法

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的方法和装置


[0001]本文中描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理装置，并且更具体地涉及一种执行超临界工艺的基板处理装置和基板处理方法
。

技术介绍

[0002]通常，半导体设备由基板
(
诸如，晶圆
)
制造
。
具体地，通过执行沉积工艺
、
光刻工艺
、
或蚀刻工艺等来制造半导体设备，从而在基板的顶表面上形成精细的电路图案
。
[0003]在这些工艺期间，各种异物附着至基板的顶表面，在该基板的顶表面上形成有电路图案，因此在这些工艺之间会执行去除基板上的异物的清洁工艺
。
[0004]通常，清洁工艺包括：用于通过向基板供应化学品来去除基板上的异物的化学品处理，用于通过供应去离子水来去除剩余在基板上的化学品的冲洗处理，以及用于去除基板上剩余的去离子水的干燥处理
。
[0005]使用超临界流体来干燥基板
。
根据实施方案，用有机溶剂替换基板上的去离子水，然后在高压腔室中将超本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：高压腔室，所述高压腔室配置为形成处理空间，所述处理空间用于在其中执行超临界处理工艺；基板支承单元，所述基板支承单元配置为在所述处理空间中支承基板；流体供应单元，所述流体供应单元配置为将处理流体供应至所述处理空间；以及排出单元，所述排出单元配置为排出所述处理空间的气氛，并且其中，所述流体供应单元包括：盖板，所述盖板与由所述基板支承单元支承的基板的处理表面相对，并且所述盖板具有用于将所述处理流体供应至所述处理表面的供应孔
。2.
根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述盖板的半径近似于或大于所述基板的半径
。3.
根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述供应孔与所述处理表面的中心相对
。4.
根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述流体供应单元包括：第一注入管线，所述第一注入管线位于所述高压腔室的
、
与所述盖板的顶表面相对的顶表面处，并且所述第一注入管线配置为将所述处理流体供应至所述盖板的所述顶表面；以及第二注入管线，所述第二注入管线配置为将所述处理流体供应至所述供应孔
。5.
根据权利要求4所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括用于控制所述流体供应单元的控制单元，以及其中，所述控制单元控制所述流体供应单元，以通过所述第一注入管线供应所述处理流体直至所述处理空间的压力达到目标压力
、
以及以在所述处理空间的所述压力达到所述目标压力之后通过所述第二注入管线供应所述处理流体
。6.
根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，多个所述第一注入管线基于所述第二注入管线以放射状定位
。7.
一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：高压腔室，所述高压腔室配置为形成处理空间，所述处理空间用于在其中执行超临界处理工艺；基板支承单元，所述基板支承单元配置为在所述处理空间中支承基板；流体供应单元，所述流体供应单元配置为将处理流体供应至所述处理空间；以及排出单元，所述排出单元配置为排出所述处理空间的气氛，并且其中，所述流体供应单元包括：第一注入管线和第二注入管线，所述第一注入管线和所述第二注入管线设置在所述高压腔室的顶表面；以及盖板，所述盖板位于所述高压腔室的顶表面与所述基板支承单元之间，所述盖板阻挡从所述第一注入管线供应的所述处理流体在所述基板的处理表面的方向上直接喷射，并且所述盖板具有连接至所述第二注入管线的供应孔
、
且配置为将所述处理流体直接供应至所述基板的所述处理表面
。8.
根据权利要求7所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括用于控制所述流体供应单元的控制单元，以及
其中，所述控制单元控制所述流体供应单元，以通过所述第一注入管线供应所述处理流体直至所述处理空间的压力达到目标压力
、
以及以在所述处理空间的所述压力达到所述目标压力之后通过所述第二注入管线供应所述处理流体
。9.
根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述目标压力是所述处理流体的临界压力
。10.
根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述盖板的半径近似于或大于所述基板的半径
。11.
根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述供应孔与...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜基文，朴炫九，梁孝源，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：