【技术实现步骤摘要】
冲击电流抑制电路
[0001]本专利技术属于航空航天领域
，尤其涉及一种冲击电流抑制电路
。
技术介绍
[0002]机载电子产品一般由飞机直流电源系统供电，采用
DC/DC
转换电路将输入电压转换为内部
5V、
±
15V、3.3V
等二次电源，转换电路中存在储能
、
退耦
、
滤波等各种形式的电容，存在变压器
、
电感等形式的电感，故机载电子产品可等效为电感
、
电阻
、
电容
(
以下简称
LRC)
负载模型
。
[0003]机载电子产品上电后，飞机电源会给电子产品内的电容充电，由于电容的等效内阻
(
以下简称
ESR)
较小，会产生较大的充电电流
。
[0004]由于飞机电源系统能提供的负载能力是有限的，当多个电子产品同时上电时，瞬间的起动电流若超过电源系统的瞬间电流驱动能力，导致电源
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种冲击电流抑制电路，其特征在于，包括：驱动模块，用于根据控制模块的控制信号控制电路的通断；控制模块，用于对电流进行检测，针对设备上电瞬间电流过大时输出控制信号使驱动模块断开；供电电源，用于提供直流
28V
电源；负载电路，用于对同时存在阻容性
/
感性的电路进行模拟
。2.
根据权利要求1所述的冲击电流抑制电路，其特征在于，所述驱动模块包括限流电阻
R1、
启动电阻
R2
以及
N
沟道增强型
MOS
管
Q1
；限流电阻
R1
的一端分别与启动电阻
R2
的一端以及供电电源的正端连接，供电电源的负端与负载电路的负端连接，并接地，限流电阻
R1
的另一端与
N
沟道增强型
MOS
管
Q1
的漏极连接，启动电阻
R2
的另一端分别与
N
沟道增强型
MOS
管
Q1
的栅极以及控制模块连接，
N
沟道增强型
MOS
管
Q1
的源极与控制模块连接
。3.
根据权利要求2所述的冲击电流抑制电路，其特征在于，所述控制模块包括
NPN
型三极管
Q2
以及取样电阻
R3
；
NPN
型三极管
Q2
的集电极分别与启动电阻
R2
的另一端以及
N
沟道增强型
MOS
管
Q1
的栅极连接，
NPN
型三极管
Q2
的基极分别与取样电阻
R3
的一端以及
N
沟道增强型
MOS
管
Q1
的源极连接，
NPN
型三极管
Q2
的发射极分别与取样电阻
R3
的另一端以及负载电路的正端连接，负载电路的负端与供电电源的负端连接，并接地
。4.
根据权利要求1‑3任一所述的冲击电流抑制电路，其特征在于，所述冲击电流抑制电路的使用方法如下：
S1、
针对供电电源电压为0时，限流电阻
R1、
启动电阻
R2、
取样电阻
R3、N
沟道增强型
MOS
管
Q1
以及
NPN
型三极管
Q2
的输入输出电压均为0，根据三极管特征，针对
NPN
型三极管
Q2
的基极和
NPN
型三极管
Q2
的发射极的电压
V
BE
小于门限电压时，
NPN
型三极管
Q2
的集电极以及
NPN
型三极管
Q2
的发射极不导通，以及根据
PMOS
特征，针对
N
沟道增强型
MOS
管
Q1
的栅极和
N
沟道增强型
MOS
管
Q1
的源极的电压
...
【专利技术属性】
技术研发人员：雍尚东，苑丹丹，薛磊，苏徐，任红军，林萍，鹿海坤，
申请(专利权)人：成都凯天电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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