超导磁体失超保护方法技术

本申请涉及一种超导磁体失超保护方法

【技术实现步骤摘要】
超导磁体失超保护方法、装置、设备及存储介质


[0001]本申请涉及超导磁体
，特别是涉及一种超导磁体失超保护方法
、
装置
、
设备及存储介质
。

技术介绍

[0002]高纯单晶硅广泛用于太阳能电池
、
大规模集成电路
、
整流器
、
大功率晶体管
、
二极管等半导体制造领域，是光伏发电
、
半导体微电子器件等高新技术产业的关键材料之一
。
随着光伏发电和半导体微电子器件等制造技术的迅速发展，对半导体材料单晶硅的性能要求越来越高
。
在此背景下，磁控直拉单晶硅技术（
Magnetic Field Applied Czochralski Method
，
MCZ
）成为生产单晶硅的主流
。MCZ
法中需要用到大体积的磁体，例如永磁体或常规电磁铁
。
但随着超导磁体技术的发展，越来越多的超导磁体替代了常规电磁铁，用于单晶硅的制造中，超导磁体可以产生更强的磁场，以制备出更高品质的单晶硅
。
[0003]超导磁体在工作中，存在多种导致其失去超导状态（简称失超）的因素，例如机械扰动
、
绕组形变
、
线圈内部磁通跳跃
、
交流损耗和热扰动等
。
因此，超导磁体的失超是有一定的发生概率的
。
但是，超导磁体造价昂贵，为了保护超导磁体因失超损坏，有必要研究相应的保护方法
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题，而提供一种超导磁体失超保护方法
、
装置
、
设备及存储介质
。
[0005]为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供了一种超导磁体失超保护方法，包括：获取超导磁体的温度；在所述超导磁体的任一区域的温度位于第一预设温度范围的情况下，启动耗能单元的工作；所述耗能单元设置有多个，与所述超导磁体的线圈数量对应；在所述超导磁体的任一区域的温度大于第二预设温度的情况下，启动加热单元的工作；所述第二预设温度和所述第一预设温度范围的上限相同，所述第二预设温度为所述超导磁体失超的临界温度；所述加热单元设置有多个，均匀分布在所述超导磁体的各个区域
。
[0006]可选地，所述方法还包括：获取所述超导磁体的端电压；在所述超导磁体的端电压位于第一预设电压范围的情况下，启动耗能单元的工作；在所述超导磁体的端电压大于第二预设电压的情况下，启动加热单元的工作；所述第二预设电压和所述第一预设电压范围的上限相同，所述第二预设电压为所述超导磁体失超的临界电压
。
[0007]可选地，所述方法还包括：获取所述超导磁体的励磁电流的变化速率；在所述变化速率位于第一预设速率范围的情况下，启动耗能单元的工作；在所述变化速率大于第二预设速率的情况下，启动加热单元的工作；所述第二预设速率和所述第一预设速率范围的上限相同，所述第二预设速率为所述超导磁体失超的临界变化速率
。
[0008]可选地，所述启动耗能单元的工作，包括：依次启动温度位于第一预设温度范围的第一线圈对应的所述耗能单元的工作，直至所述第一线圈中的电流小于预设值
。
[0009]可选地，所述启动加热单元的工作，包括：启动整个超导磁体的加热单元，直至所述超导磁体的各个区域均进入失超状态
。
[0010]可选地，所述方法还包括：在所述超导磁体的任一区域的温度位于第一预设温度范围的情况下，或者，所述超导磁体的任一区域的温度大于第二预设温度的情况下，切断所述超导磁体的电源
。
[0011]第二方面，本申请实施例提供一种超导磁体失超保护装置，包括：第一获取模块，用于获取超导磁体的温度；第一启动模块，用于在所述超导磁体的任一区域的温度位于第一预设温度范围的情况下，启动耗能单元的工作；所述耗能单元设置有多个，与所述超导磁体的线圈数量对应；第二启动模块，用于在所述超导磁体的任一区域的温度大于第二预设温度的情况下，启动加热单元的工作；所述第二预设温度和所述第一预设温度范围的上限相同，所述第二预设温度为所述超导磁体失超的临界温度；所述加热单元设置有多个，均匀分布在所述超导磁体的各个区域
。
[0012]第三方面，本申请实施例提供一种超导磁体设备，包括：上面的超导磁体失超保护装置；温度监测单元，用于监测所述超导磁体的温度，并将监测的数据发送至所述超导磁体失超保护装置；耗能单元，用于根据所述超导磁体失超保护装置的指令启动工作；加热单元，用于根据所述超导磁体失超保护装置的指令启动工作
。
[0013]第四方面，本申请实施例提供一种计算设备，所述计算设备包括：存储部件
、
通信总线和处理部件，其中：所述存储部件，用于存储超导磁体失超保护方法的运行程序；所述通信总线，用于实现所述存储部件和所述处理部件之间的连接通信；所述处理部件，用于执行超导磁体失超保护方法的运行程序，以实现如上面所述的任意一种方法的步骤
。
[0014]第五方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有可执行程序，所述可执行程序被处理器执行时实现如上面所述的任意一种方法的步骤
。
[0015]本申请实施例提供的超导磁体失超保护方法
、
装置
、
设备及存储介质，包括：获取
超导磁体的温度；在所述超导磁体的任一区域的温度位于第一预设温度范围的情况下，启动耗能单元的工作；所述耗能单元设置有多个，与所述超导磁体的线圈数量对应；在所述超导磁体的任一区域的温度大于第二预设温度的情况下，启动加热单元的工作；所述第二预设温度和所述第一预设温度范围的上限相同，所述第二预设温度为所述超导磁体失超的临界温度；所述加热单元设置有多个，均匀分布在所述超导磁体的各个区域
。
可见，本申请实施例设置耗能单元和加热单元，并根据超导磁体的温度，分别启动耗能单元或加热单元，降低失超风险，以及降低超导磁体损坏概率
。
因此，本申请实施例提供的超导磁体失超保护方法
、
装置
、
设备及存储介质，能降低失超风险，以及降低超导磁体损坏概率
。
[0016]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到
。
附图说明
[0017]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定
。
在附图中：图1为本申请实施例提供的超导磁体失超保护方法的流程示意图一；图2为本申请实施例提供的超导磁体失本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种超导磁体失超保护方法，其特征在于，包括：获取超导磁体的温度；在所述超导磁体的任一区域的温度位于第一预设温度范围的情况下，启动耗能单元的工作；所述耗能单元设置有多个，与所述超导磁体的线圈数量对应；在所述超导磁体的任一区域的温度大于第二预设温度的情况下，启动加热单元的工作；所述第二预设温度和所述第一预设温度范围的上限相同，所述第二预设温度为所述超导磁体失超的临界温度；所述加热单元设置有多个，均匀分布在所述超导磁体的各个区域
。2.
根据权利要求1所述的超导磁体失超保护方法，其特征在于，所述方法还包括：获取所述超导磁体的端电压；在所述超导磁体的端电压位于第一预设电压范围的情况下，启动耗能单元的工作；在所述超导磁体的端电压大于第二预设电压的情况下，启动加热单元的工作；所述第二预设电压和所述第一预设电压范围的上限相同，所述第二预设电压为所述超导磁体失超的临界电压
。3.
根据权利要求1所述的超导磁体失超保护方法，其特征在于，所述方法还包括：获取所述超导磁体的励磁电流的变化速率；在所述变化速率位于第一预设速率范围的情况下，启动耗能单元的工作；在所述变化速率大于第二预设速率的情况下，启动加热单元的工作；所述第二预设速率和所述第一预设速率范围的上限相同，所述第二预设速率为所述超导磁体失超的临界变化速率
。4.
根据权利要求1‑3任一项所述的超导磁体失超保护方法，其特征在于，所述启动耗能单元的工作，包括：依次启动温度位于第一预设温度范围的第一线圈对应的所述耗能单元的工作，直至所述第一线圈中的电流小于预设值
。5.
根据权利要求1‑3任一项所述的超导磁体失超保护方法，其特征在于，所述启动加热单元的工作，包括：启动整个超导磁体的加热单元，直至所述超导磁体的各个区域均进入失超状态
。6.

【专利技术属性】
技术研发人员：汤洪明，王超，郭兴龙，
申请(专利权)人：苏州八匹马超导科技有限公司，
类型：发明
国别省市：