基于制造技术

技术编号:39802570 阅读:7 留言:0更新日期:2023-12-22 02:33
基于

【技术实现步骤摘要】
基于MCU控制DC

DC隔离开关电源电路


[0001]本专利技术涉及电源领域,尤其涉及基于
MCU
控制
DC

DC
隔离开关电源电路


技术介绍

[0002]传统
D C

DC
开关电源一般采用共地控制方法,不能满足通讯
,
医疗
,
精密仪器上面对高干抗
,
燥声要求高的电源应用上面
.
采用变压器隔离这种隔离技术可以有效地防止输入电路与输出电路之间的电气干扰,提高电源的稳定性和可靠性

此外,隔离型
DC

DC
电源还可以实现输入和输出之间的电气隔离,保护设备和用户免受电气冲击和电感干扰等问题


技术实现思路

[0003]为解决上述问题,本技术方案提供基于
MCU
控制
DC

DC
隔离开关电源电路

[0004]为实现上述目的,本技术方案如下:基于
MCU
控制
DC

DC
隔离开关电源电路,包括;输入端
P1
,所述输入端
P1
输出一电压
VDD
;主控单元
U2
,所述主控单元
U2
用于输出
PWM
信号,还包括
MOS<br/>管
Q1、MOS

Q2、MOS

Q3
以及
MOS

Q4
,所述主控单元
U2
与所述
MOS

Q1
的栅极连接,其漏极与所述电压
VDD
连接,其源极分别与变压器
T1
以及所述
MOS

Q3
的漏极连接,所述
MOS

Q3
的栅极与所述主控单元
U2
连接,源极接地,所述
MOS

Q2
的栅极与所述主控单元
U2
连接,漏极与所述
VDD
连接,源极分别与所述变压器
T1
以及所述
MOS

Q4
的漏极连接,所述
MOS

Q4
的栅极与所述主控单元
U2
连接,源极接地;所述变压器
T1
的输出端与输出端
P2
连接

[0005]在一些实施例中,还包括光耦
U3
,所述光耦
U3
的集电极通过电阻
R6
与输入电压连接,还与所述主控单元
U2
连接,发射极接地,其发光端正极通过电阻
R4
与所述变压器
T1
的输出端连接,发光端正极与负极之间设有电阻
R7
,其负极还与恒流单元
U4
连接,所述恒流单元
U4
的一端接地,其基准端通过电阻
R10
接地,其基准端还通过电阻
R9
与所述变压器
T1
的输出端连接

[0006]在一些实施例中,还包括与所述输入端
P1
依次连接的电阻
R2、
电阻
R5
以及电容
C5
,所述电容
C5
与所述主控单元
U2
连接,所述电阻
R5
并联有电容
C4
,所述电容
C4
一端接地

[0007]在一些实施例中,所述主控单元
U2
的两个输出端之间设有晶振
X1
,所述晶振
X1
两端分别通过电容
C6
和电容
C7
接地

[0008]在一些实施例中,所述主控单元
U2
的检测端通过电阻
R3
与所述输入电压连接,所述电阻
R3
通过热敏电阻
NTC1
接地

[0009]本申请有益效果为:本申请在工业控制和自动化系统:隔离型
DC

DC
电源可以用于
DC
母线电压变换

电机驱动

传感器供电等方面,提供稳定和可靠的电源支持,在通信系统中,隔离型
DC

DC
电源
可以用于移动通信基站

光纤通信

卫星通信等领域,提供高效

稳定的电源,在医疗设备中,隔离型
DC

DC
电源可以用于医疗设备中的电源模块

电动机驱动

医疗传感器等方面,保证设备的稳定和安全

附图说明
[0010]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍

[0011]图1是本专利技术实施例的电路结构示意图

具体实施方式
[0012]为了使本专利技术所解决的技术问题

技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明

应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术

[0013]请参照图1所示,基于
MCU
控制
DC

DC
隔离开关电源电路,包括;输入端
P1
,所述输入端
P1
输出一电压
VDD
;主控单元
U2
,所述主控单元
U2
用于输出
PWM
信号,还包括
MOS

Q1、MOS

Q2、MOS

Q3
以及
MOS

Q4
,所述主控单元
U2
与所述
MOS

Q1
的栅极连接,其漏极与所述电压
VDD
连接,其源极分别与变压器
T1
以及所述
MOS

Q3
的漏极连接,所述
MOS

Q3
的栅极与所述主控单元
U2
连接,源极接地,所述
MOS

Q2...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
基于
MCU
控制
DC

DC
隔离开关电源电路,其特征在于,包括;输入端
P1
,所述输入端
P1
输出一电压
VDD
;主控单元
U2
,所述主控单元
U2
用于输出
PWM
信号,还包括
MOS

Q1、MOS

Q2、MOS

Q3
以及
MOS

Q4
,所述主控单元
U2
与所述
MOS

Q1
的栅极连接,其漏极与所述电压
VDD
连接,其源极分别与变压器
T1
以及所述
MOS

Q3
的漏极连接,所述
MOS

Q3
的栅极与所述主控单元
U2
连接,源极接地,所述
MOS

Q2
的栅极与所述主控单元
U2
连接,漏极与所述
VDD
连接,源极分别与所述变压器
T1
以及所述
MOS

Q4
的漏极连接,所述
MOS

Q4
的栅极与所述主控单元
U2
连接,源极接地;所述变压器
T1
的输出端与输出端
P2
连接
。2.
根据权利要求1所述的基于
MCU
控制
DC

DC
隔离开关电源电路,其特征在于:还包括光耦
U3
,所述光耦
U3
的集电极通过电阻
R6...

【专利技术属性】
技术研发人员:李志平
申请(专利权)人:广东东菱电源科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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