一种晶体生长炉精确温度控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供有一种晶体生长炉精确温度控制装置，包括：炉体，所述炉体内设有若干组保温装置；所述保温装置内设有加热件，所述加热件内设有坩埚；所述加热件包括从上到下依次分布的上部加热机构

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长炉精确温度控制装置


[0001]本技术具体公开半导体长晶
，具体涉及一种晶体生长炉精确温度控制装置
。

技术介绍

[0002]晶体生长炉是一种用于电子与通信
的工艺试验仪器，主要用于碳化硅
、
硒化锌等晶体的生长
。
[0003]目前，碳化硅生长的方法主要有气相传输法
(PVT)、
液相外延法
(LPE)、
化学气相沉积法
(CVD)
等
。
其中，
PVT
法是应用最成熟的方法，也是目前唯一的一种可以满足商用碳化硅衬底需求的生长方法；为了对晶体生长炉的温度实现精确控制，会使用到温度控制装置，例如公开号为
CN216891319U
的晶体生长炉的公开文件中公开了这种温度控制装置，具体包括炉体
10
以及多个晶体生长单元
20
等部件；
[0004]然而该装置在使用的过程中存在一定的局限性，例如，侧壁上安装的加热装置是一个整体，使加热装置的输出功率是一定的，在加热的过程中，会导致保温装置内部的温度出现上下不均匀，会影响生长的精确度
。

技术实现思路

[0005]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本技术旨在提供一种晶体生长炉精确温度控制装置，包括：炉体，所述炉体内设有若干组保温装置；
[0006]所述保温装置内设有加热件，所述加热件内设有坩埚；
[0007]所述加热件包括从上到下依次分布的上部加热机构
、
中部加热机构以及下部加热机构，所述保温装置内从上到下依次设有三组温度传感器，所述温度传感器电性连接控制器，所述控制器分别电性连接上部加热机构
、
中部加热机构以及下部加热机构
。
[0008]根据本技术实施例提供的技术方案，所述炉体上设有冷水储箱以及热水储箱，所述冷水储箱内设有输送泵，所述输送泵的出水口上设有循环管道，所述循环管道远离输送泵的一端延伸至保温装置的内腔上方并与热水储箱连通
。
[0009]根据本技术实施例提供的技术方案，所述保温装置内开设有流通通道，所述循环管道与流通通道连通
。
[0010]根据本技术实施例提供的技术方案，所述热水储箱内设有循环泵，所述循环泵出口通过进水管与流通通道连通，所述流通通道通过回流管与冷水储箱连通
。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术中通过三组温度传感器分别检测保温装置内腔上中下三部分的温度，在出现温度不一致时，控制器单独控制上部加热机构
、
中部加热机构以及下部加热机构，调整三者的输出功率，将三者的加热温度调至不同，用于平衡保温装置内部的温度，实现温度的精确控制，保证生长的精度
。
附图说明
[0012]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征
、
目的和优点将会变得更明显：
[0013]图1是本技术结构示意图
。
[0014]图中：
1、
炉体；
2、
保温装置；
3、
加热件；
31、
下部加热机构；
32、
中部加热机构；
33、
上部加热机构；
4、
坩埚；
5、
温度传感器；
6、
控制器；
7、
冷水储箱；
8、
热水储箱；
9、
循环管道；；
10、
进水管；
11、
回流管
。
具体实施方式
[0015]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明
。
可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关技术，而非对该技术的限定
。
另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与技术相关的部分
。
[0016]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合
。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术
。
[0017]诚如
技术介绍
中所提到的，针对于现有技术中侧壁上安装的加热装置是一个整体，使加热装置的输出功率是一定的，在加热的过程中，会导致保温装置内部的温度出现上下不均匀，会影响生长的精确度，本技术公开一种晶体生长炉精确温度控制装置
。
[0018]实施例1[0019]请参阅图1，包括：炉体1，炉体1内设有若干组保温装置2，保温装置2是由多块保温层组成；保温装置2内设有加热件3，加热件3内设有坩埚4；
[0020]其中，请参阅图1，加热件3包括从上到下依次分布的上部加热机构
33、
中部加热机构
32
以及下部加热机构
31
；保温装置2内从上到下依次设有三组温度传感器5，三组温度传感器5分布在保温装置2内部的上
、
中
、
下三个方向；温度传感器5电性连接控制器
6(
控制器6是指中央处理器，相当于计算机
)
，控制器6分别电性连接上部加热机构
33、
中部加热机构
32
以及下部加热机构
31
，上部加热机构
33、
中部加热机构
32
以及下部加热机构
31
都是电加热件，控制器6可以单独控制这三者
。
[0021]需要说明的是，三组温度传感器5对保温装置2内腔上
、
中
、
下三部分温度分别进行检测，并将温度信息传输到控制器6上，当出现温度不均匀的情况时
(
即保温装置2的内腔上方温度大于内腔下方时，且差异较大时
)
，控制器6会单独控制上部加热机构
33、
中部加热机构
32
以及下部加热机构
31
，调整三者的输出功率，将三者的加热温度调至不同
(
即上方的加热温度小于下方的加热温度
)
，用于平衡保温装置2内部的温度
。
[0022]在本实施例中，作为优化的方案，请参阅图1，炉体1上设有冷水储箱7以及热水储箱8，冷水储箱7内设有输送泵，输送泵的出水口上设有循环管道9，循环管道9远离输送泵的一端与热水储箱8连通，循环管道9的一段处于保温装置2的内腔上方；在保温装置2内部温度不平衡时
(
保温装置2内腔上方的温度大于内腔下方
)
，控制器6会控制输送泵工作，使冷水储箱7内部的冷水进入到循环管道9中，用于吸收保温装置2内部上方的热量，再流入到热水储箱8的内腔中进行存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶体生长炉精确温度控制装置，包括：炉体
(1)
，其特征在于：所述炉体
(1)
内设有若干组保温装置
(2)
；所述保温装置
(2)
内设有加热件
(3)
，所述加热件
(3)
内设有坩埚
(4)
；所述加热件
(3)
包括从上到下依次分布的上部加热机构
(33)、
中部加热机构
(32)
以及下部加热机构
(31)
，所述保温装置
(2)
内从上到下依次设有三组温度传感器
(5)
，所述温度传感器
(5)
电性连接控制器
(6)
，所述控制器
(6)
分别电性连接上部加热机构
(33)、
中部加热机构
(32)
以及下部加热机构
(31)。2.
根据权利要求1所述的一种晶体生...

【专利技术属性】
技术研发人员：李端科，张奇，李浩毅，李再兴，
申请(专利权)人：中能兴盛香河机电设备有限公司，
类型：新型
国别省市：