一种基于双制造技术

本发明专利技术涉及一种基于双

【技术实现步骤摘要】
一种基于双S型局部有源忆阻器的神经元电路


[0001]本专利技术涉及一种基于双
S
型局部有源忆阻器的神经元电路，属于神经元电路

。

技术介绍

[0002]忆阻器被认为是下一代计算系统很有前途的候选者之一
。
基于忆阻器的新型计算架构在取代或补充基于冯
·
诺依曼架构的传统计算平台方面显示出了巨大潜力；神经形态计算因其高节能效率和大计算量，显示出了巨大的应用前景
。
[0003]局部有源行为是一切复杂性的起源，复杂性行为可能存在于局部有源区域
。
整体无源但局部有源忆阻器指的是在
DCV
‑
I
曲线中出现负微分电阻或电导的忆阻器，若在
DCV
‑
I
曲线中呈现
S
型负微分电导，则被称为
S
型局部有源忆阻器
。
利用局部有源忆阻器的非线性和局部有源特性，可以用来设计神经元电路，将其应用至神经形态计算
。r/>[0004]现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于双
S
型局部有源忆阻器的神经元电路，其特征在于：由第一
S
型局部有源忆阻器
、
第二
S
型局部有源忆阻器
、
一个直流电流源
I
D
和一个正弦交流电流源
i
D
组成，所述直流电流源
I
D
的负极与地端相连，正极与正弦交流电流源
i
D
的负极相连；正弦交流电流源
i
D
的正极与第一
S
型局部有源忆阻器和第二
S
型局部有源忆阻器的正极相连，第一
S
型局部有源忆阻器和第二
S
型局部有源忆阻器的负极均与地端相连
。2.
根据权利要求1所述的一种基于双
S
型局部有源忆阻器的神经元电路，其特征在于：所述第一
S
型局部有源忆阻器的数学模型为：其中
i1和
v1表示流经第一
S
型局部有源忆阻器的电流和第一
S
型局部有源忆阻器两端的电压，
d2'、d0'、k'、
α0'、
α1'、
β1'
为常数
。3.
根据权利要求2所述的一种基于双
S
型局部有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：李怡青，梁燕，吴夏萌，卢振洲，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：