一种沟槽型碳化硅制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，公开了一种沟槽型碳化硅

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种沟槽型碳化硅
MOSFET
器件结构及其制备方法
。

技术介绍

[0002]由于碳化硅具有优良的物理和电学特性，如低本征载流子浓度
、
高热导率
、
高击穿场强等优点及优异的稳定性，成为高温大功率半导体器件的理想材料
。
碳化硅
MOSFET
作为目前最成熟的碳化硅功率半导体器件，具有诸多优异的特性，被电动汽车
、
充电桩
、
不间断电源及智能电网等诸多领域越来越广泛的应用
。
[0003]沟槽型碳化硅
MOSFET
器件相比于平面型器件具有更低的比导通电阻和导通压降
。
更小的器件面积也使得沟槽型碳化硅功率器件具有更高的成本优势
。
沟槽型碳化硅功率器件在设计方法
、
工艺等领域继承了平面型器件的核心技术，而其沟槽刻蚀工艺
、...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种沟槽型碳化硅
MOSFET
器件结构，其特征在于，所述沟槽型碳化硅
MOSFET
器件结构包括从下至上依次设置的
n+
型碳化硅衬底
、n
‑
型漂移层
、n
型电流传输层；在所述
n
型电流传输层的顶部两侧分别从外至内依次设有
p+
型基区
、n+
型源区以及栅氧化层，所述栅氧化层包裹有多晶硅栅；所述栅氧化层
、
所述
p+
型基区以及所述
n+
型源区的底部设有
p+
型保护区；所述
n
型电流传输层的上方设有隔离介质层，所述隔离介质层的两侧分别设有接触电极，所述隔离介质层的上方设有源电极，所述
n+
型碳化硅衬底的背面设有漏电极
。2.
根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅
MOSFET
器件结构，其特征在于，所述
n
型电流传输层的掺杂浓度高于所述
n
‑
型漂移层的掺杂浓度
。3.
根据权利要求2所述的沟槽型碳化硅
MOSFET
器件结构，其特征在于，所述
n
型电流传输层的掺杂浓度为
5E16cm
‑3至
4E17cm
‑3。4.
根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅
MOSFET
器件结构，其特征在于，所述
p+
型基区为方形结构且对应所述栅氧化层间隔排列设置
。5.
根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅
MOSFET
器件结构，其特征在于，所述沟槽型碳化硅
MOSFET
器件结构的每个元胞内包括两个沟槽结构，各所述沟槽结构的两侧分别为所述
n
型电流传输层和所述
n+
型源区，所述沟槽结构的底角无圆角化
。6.
根据权利要求5所述的沟槽型碳化硅
MOSFET
器件结构，其特征在于，所述沟槽结构内部填充所述栅氧化层和所述多晶硅栅，所述沟槽结构的深度为
0.5
...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪之涵，温正欣，和巍巍，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：