复合材料制造技术

本申请公开了一种复合材料

【技术实现步骤摘要】
复合材料、薄膜、发光器件及其制备方法、mini
‑
LED背光模组及显示装置


[0001]本申请涉及光电
，尤其涉及一种复合材料
、
薄膜
、
发光器件及其制备方法
、mini
‑
LED
背光模组及显示装置
。

技术介绍

[0002]纳米颗粒是一种重要的低维半导体材料，其三个维度上的尺寸都不大于其对应的半导体材料的激子玻尔半径的两倍
。
纳米颗粒的形态包括但不限于球形
、
类球形
、
立方体
、
四面体
、
柱状
、
四足状
、
八足状等，其最大尺寸常在2‑
20 nm。
[0003]纳米颗粒尺寸较小，其位于表面的表面原子数较多，由于原子配位不足以及高表面能，使得比表面原子具有较高的活性，极不稳定
。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供一种复合材料
、
薄膜
、
发光器件及其制备方法
、mini
‑
LED
背光模组及显示装置，旨在解决纳米颗粒稳定性差的问题
。
[0005]第一方面，本申请提供一种复合材料，包括纳米颗粒和修饰材料，所述修饰材料包括结构式为
R
‑
Zn
‑
R
的第一化合物中的一种或多种；其中，
R
选自
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
以及，取代或未取代的环碳原子数为
4~10
的不饱和环烃基中的一种；取代基为
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br
或者
‑
I。
[0006]可选的，在本申请的一些实施例中，
R
为所述取代或未取代的环碳原子数为
4~10
的不饱和环烃基时，且所述取代或未取代的环碳原子数为
4~10
的不饱和环烃基选自式（1）所示的基团或式（2）所示的基团；
[0007]其中，
X
选自
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br
或者
‑
I
，
n
为
0~5
，
m
为
0~5。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，
n
为
1~5
；和
/
或，
m
为
1~5
；和
/
或，
X
选自
‑
F。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一化合物包括式（3）所示结构的化合物
。
[0010]（3）
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一化合物包括式（4）或式（5）所示结构的化合物
。
[0012][0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒的平均粒径为
5~15nm
；和
/
或，所述复合材料中，所述纳米颗粒和所述修饰材料的质量比为（
280~350
）：1；和
/
或，所述纳米颗粒选自单一结构纳米颗粒
、
核壳结构纳米颗粒及钙钛矿型半导体材料中的至少一种；所述单一结构纳米颗粒的材料
、
核壳结构纳米颗粒的核材料及核壳结构纳米颗粒的壳层材料分别选自
II
‑
VI
族化合物
、IV
‑
VI
族化合物
、III
‑
V
族化合物和
I
‑
III
‑
VI
族化合物中的至少一种；所述
II
‑
VI
族化合物选自
CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe
及
HgZnSTe
中的至少一种；所述
IV
‑
VI
族化合物选自
SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe
中的至少一种；所述
III
‑
V
族化合物选自
GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs
及
InAlPSb
中的至少一种；所述
I
‑
III
‑
VI
族化合物选自
CuInS2、CuInSe2及
AgInS2中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体
、
或有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为
AMX3，其中
A
为
Cs
+
离子，
M
为二价金属阳离子，选自
Pb
2+
、Sn
2+
、Cu
2+
、Ni
2+
、Cd
2+
、Cr
2+
、Mn
2+
、Co
2+
、Fe
2+
、Ge
2+
、Yb
2+
、Eu
2+
中的至少一种，
X
为卤素阴离子，选自
Cl...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种复合材料，其特征在于，包括纳米颗粒和修饰材料，所述修饰材料包括结构式为
R
‑
Zn
‑
R
的第一化合物中的一种或多种；其中，
R
选自
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
以及，取代或未取代的环碳原子数为
4~10
的不饱和环烃基中的一种；取代基为
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br
或者
‑
I。2.
根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，
R
为所述取代或未取代的环碳原子数为
4~10
的不饱和环烃基时，所述取代或未取代的环碳原子数为
4~10
的不饱和环烃基选自式（1）所示的基团或式（2）所示的基团；其中，
X
选自
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br
或者
‑
I
，
n
为
0~5
，
m
为
0~5。3.
根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，
n
为
1~5
；和
/
或，
m
为
1~5
；和
/
或，
X
选自
‑
F。4.
根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述第一化合物包括式（3）所示结构的化合物：（3）
。5.
根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，所述第一化合物包括式（4）或式（5）所示结构的化合物：
。6.
根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述纳米颗粒的平均粒径为
5~15nm
；和
/
或，所述复合材料中，所述纳米颗粒和所述修饰材料的质量比为（
280~350
）：1；和
/
或，所述纳米颗粒选自单一结构纳米颗粒
、
核壳结构纳米颗粒及钙钛矿型半导体材料中的至少一种；所述单一结构纳米颗粒的材料
、
核壳结构纳米颗粒的核材料及核壳结构纳米颗粒的壳层材料分别选自
II
‑
VI
族化合物
、IV
‑
VI
族化合物
、III
‑
V
族化合物和
I
‑
III
‑
VI
族化合物中的至少一种；所述
II
‑
VI
族化合物选自
CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、
CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe
及
HgZnSTe
中的至少一种；所述
IV
‑
VI
族化合物选自
SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe
中的至少一种；所述
III
‑
V
族化合物选自
GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs
及
InAlPSb
中的至少一种；所述
I
‑
III
‑
VI
族化合物选自
CuInS2、CuInSe2及
AgInS2中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体
、
或有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为
AMX3，其中
A
为
Cs
+
离子，
M
为二价金属阳离子，选自
Pb
2+
、Sn
2+
、Cu
2+
、Ni
2+
、Cd
2+
、Cr
2+
、Mn
2+
、Co
2+
、Fe
2+
、Ge
2+
、Yb
2+
、Eu
2+
中的至少一种，
X
为卤素阴离子，选自
Cl
‑
、Br
‑
、I
‑
中的至少一种；所述有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为
BMX3，其中
B
为有机胺阳离子，选自
CH3(CH2)
n
‑2NH
3+
或
[NH3(CH2)
n
NH3]
2+
，其中
n≥2
，
M
为二价金属阳离子，选自
Pb
2+
、Sn
2+
、Cu
2+
、Ni
2+
、Cd
2+
、Cr
2+
、Mn
2+
、Co
2+
、Fe
2+
、Ge
2+
、Yb
2+
、Eu
2+
中的至少一种，
X
为卤素阴离子，选自
Cl
‑
、Br
‑
、I
‑
中的至少一种
。7.
根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述纳米颗粒和所述修饰材料组成
。8.
一种薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括权利要求1至7任一项所述的复合材料
。9.
一种发光器件，其特征在于，包括第一电极
、
发光功能层和第二电极，所述发光功能层的材料包括纳米颗粒和修饰材料，所述修饰材料包括结构式为
R
‑
Zn
‑
R
的第一化合物中的一种或多种；其中，
R
选自
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
以及，取代或未取代的环碳原子数为
4~10
的不饱和环烃基中的一种；取代基为<...

【专利技术属性】
技术研发人员：文嘉伦，严怡然，王成，陈虹滨，敖资通，吴瀚伦，
申请(专利权)人：TCL，
类型：发明
国别省市：