【技术实现步骤摘要】
一种堆栈结构SiC光导开关及其制备方法
[0001]本专利技术涉及一种堆栈结构
SiC
光导开关及其制备方法，属于半导体器件制备
。
技术介绍
[0002]光导开关是一种通过光控制载流子的产生与复合来实现开关的导通和关闭状态的新型超快半导体器件，其工作时域可达到皮秒量级，是产生高功率超短脉冲的关键器件
。
作为脉冲功率系统中的新型开关器件，相对于传统的脉冲功率器件，光导开关具有重复频率性能好
、
闭合时间短
(ps
量级
)、
时间抖动小
(ps
量级
)、
开关电感低
(
亚纳亨
)、
同步精度高
(ps
量级
)、
电磁兼容性强等优点，使其在固态紧凑型脉冲功率源上有着较为广阔的应用前景
。
[0003]为了实现大功率，光导开关通常在高电压
、
高电流条件下工作，然而，由于光导开关是通过一定能量的激光触...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种堆栈结构
SiC
光导开关，包括半绝缘碳化硅衬底和两电极，两电极分别设置在碳化硅衬底上表面的两侧，两电极之间碳化硅衬底中设置堆栈结构，所述的堆栈结构为高掺杂堆栈结构或金属堆栈结构，当激光触发光导开关后，衬底光生载流子输运过程被高掺杂堆栈结构或金属堆栈结构改变
。2.
根据权利要求1所述的堆栈结构
SiC
光导开关，其特征在于，高掺堆栈结构的掺杂浓度为5×
10
18
cm
‑3～1×
10
19
cm
‑3。3.
根据权利要求1所述的堆栈结构
SiC
光导开关，其特征在于，金属堆栈结构为
Al
金属堆栈结构
、Pt
金属堆栈结构或
Au
金属堆栈结构
。4.
根据权利要求1所述的堆栈结构
SiC
光导开关，其特征在于，堆栈结构的厚度为
20nm
‑
2um
，堆栈结构为周期性或者非周期性排列形成
。5.
权利要求1所述的堆栈结构
SiC
光导开关的制备方法，包括步骤如下：
1)
提供一半绝缘碳化硅衬底，
2)
在半绝缘碳化硅衬底的上面制备高掺杂堆栈结构或金属堆栈结构；
3)
利用光刻工艺在堆栈结构两侧的半绝缘碳化硅衬底上制备光导开关的电极图形；
4)
在步骤
3)
处理后的碳化硅衬底上蒸镀复合金属层，通过丙酮剥离得到带有...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖龙飞，沙慧茹，李阳凡，孙逊，陈秀芳，徐现刚，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：
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