一种电沉积制备纳米级枝晶铜粉的方法技术

本发明专利技术涉及一种电沉积制备纳米级枝晶铜粉的方法

【技术实现步骤摘要】
一种电沉积制备纳米级枝晶铜粉的方法


[0001]本专利技术提供一种电沉积制备纳米级枝晶铜粉的方法，属于纳米铜粉制备领域
。

技术介绍

[0002]CVD
法石墨烯粉体与
Hummer's
法石墨烯粉相比具有层数少
、
缺陷少的优点
。
但
CVD
法生长石墨烯所用的基底通常为比表面积较小的铜箔或泡沫铜，而很难使用比表面积虽大
、
但透气性差的纳米铜粉
(
因为
CVD
法制备石墨烯的碳源为气体，若是粉体透气性差，气态碳源向内扩散受阻，就会造成因堆积而被掩盖的粉体表面很难生长上石墨烯
)
，致使生产效率极低
。
因此制备一种比表面积大
、
透气性好的铜粉就成了解决此问题的关键
。
[0003]枝晶结构丰富
、
枝晶尺寸达纳米级的电沉积枝晶铜粉，无疑同时具备了高比表面积和高透气性的特点
。
目前能制备出该类型枝晶铜粉的工艺有：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电沉积制备纳米级枝晶铜粉的方法，其特征在于：以硫酸铜
、
硫酸
、SDBS
和去离子水为原料，配置出
Cu
2+
、H2SO4和
SDBS
浓度分别为7～
9g/L、45
～
55g/L
和
0.4
～
0.6g/L
的电解液；以纯铜片为阳极，不锈钢片...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶乾旭，李智，张明倩，蔡金明，邓泽立，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：