一种厚度可控的片状制造技术

本发明专利技术提供一种厚度可控的片状

【技术实现步骤摘要】
一种厚度可控的片状FER分子筛及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及分子筛制备领域，具体涉及一种厚度可控的片状
FER
分子筛及其制备方法和应用
。

技术介绍

[0002]具有
FER
典型拓扑结构的分子筛是由
Plank
通过水热合成法于
1977
年首次合成
。
该类分子筛具有高度连通的交叉孔道结构，其中五元环基本骨架单元与六元环和十元环孔道组成三维空间网格，进而构成与分子筛
(010)
和
(001)
晶面平行的八元环及十元环相互交错形成二维孔道体系，其孔道尺寸分别为
0.35nm
×
0.48nm
和
0.42nm
×
0.54nm。
人工合成的
FER
分子筛有着较高的结晶度和硅铝比可调等优点，由于特殊的二维孔道结构具有良好的择形性能和催化性能使其在化工领域的反应和分离中应用广泛
。
[0003]虽然
FE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种厚度可控的片状
FER
分子筛的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将碱源
、
硅源
、
铝源
、
去离子水
、
矿化剂
、
模板剂以及生长调节剂混合得到原料混合物；将所述原料混合物进行水热晶化反应，将产物进行水洗
、
干燥和焙烧，得到所述片状
FER
分子筛；其中，各原料的摩尔配比为：
SiO2/Al2O3＝
60
～
500、Na2O/SiO2＝
0.01
～
0.5、H2O/SiO2＝
10
～
50、X/SiO2＝
0.1
～
5、Y/SiO2＝1～2及
Z/SiO2＝
0.1
～1，
X
用以代表矿化剂
、Y
用以代表模板剂
、Z
用以代表生长调节剂；将硅源换算为
SiO2，铝源换算为
Al2O3，碱源换算为
Na2O
；所述制备方法通过控制
Z/SiO2在
0.1
～1范围内变化，控制所得片状
FER
分子筛的厚度在
0.2
～5μ
m
内调节；所述模板剂为吡啶
、
吡咯烷
、
哌啶
、
乙二胺或环己胺；所述生长调节剂为正丙胺或四甲基氢氧化铵
。2.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
Z/SiO2＝
0.1
～
0.3
时，所得片状
FER
分子筛的厚度为
0.2
～
0.5
μ
m
；
Z/SiO2＝
0.3
～
0.6
时，所得片状
FER
分子筛的厚度为
0.5
～2μ
m
；
Z/SiO2＝
0.6
～1时，所得片状
FER
分子筛的厚度为2～5μ
m。3.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
Y/SiO2＝1～
1.5
；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭明波，请求不公布姓名，张磊，马院红，
申请(专利权)人：镇江贝斯特新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：