【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体设备的超纯净钢的制作方法
[0001]本专利技术涉及超纯净钢
,尤其是一种用于半导体设备的超纯净钢的制作方法
。
技术介绍
[0002]超纯净钢由于具有比普通钢更好的使用性能,广泛应用于燃机轮盘锻件
、
火电高温部件
、
半导体芯片等制造,是高附加值产品之一,具有很大的应用场景
。
但是由于超纯净钢要求
Si≤0.04%、Mn≤0.04%、P≤0.003%
,冶炼难度极大
。
同时按照国际惯例要求超纯净指标
P+S+H+O+N≤80
×
10
‑6,这对脱气也提出了严格的要求,性能要求极高
、UT
检测也很严苛
。
[0003]在半导体芯片装备领域的主要产品为超高纯不锈钢,用于半导体芯片装备管阀件,对合金材料的纯净度要求极高
。
[0004]中国专利
CN201910813997.5
:提供一种制备超纯净钢的电化学精炼装置及精炼方法,属于钢铁冶金的炉外精炼和纯净钢生产
。
该电化学精炼装置包括钢包,钢包内设置有钢液,钢包的底部设置有氩气透气砖,钢液上设置有精炼合成渣,精炼合成渣内设置有两个阳极电极,精炼合成渣上设置有一个阴极电极,钢包的一侧设置有阳极信号电极;两个阳极电极
、
一个阴极电极和一个电源构成钢水的电化学精炼的电极装置,两个阳极电极
、
阳极信号电极和 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种用于半导体设备的超纯净钢的制作方法,其生产工艺路线为:钢水脱硫
、
转炉脱磷
、
真空脱气
、
中间包精炼和保护浇注;其特征在于:所述转炉脱磷工艺中,加入
20
‑
40kg
脱磷剂
/
吨钢水,进行稠渣;所述脱磷剂的组成为:按重量份,将
10
‑
25
份氧化钙,
10
‑
25
份氧化铁
Fe2O3,1‑5份萤石,与
0.3
‑
1.2
份表面处理助剂,
100
‑
150
份去离子水混匀,在高速球磨机中球磨1‑2小时,磨后浆料粒径1‑8μ
m
;然后进行喷雾干燥,喷雾干燥后,得到脱磷剂;所述表面处理助剂为丙烯酸镁硅氧烷共聚物,其制备方法为:按重量份,将
0.3
‑
1.6
份的丙烯酸镁,
0.003
‑
0.05
份的乙烯基二茂铁,2‑
3.5
份的乙烯基聚二甲基硅氧烷,
20
‑
40
份的甲苯,
0.5
‑2份的过氧化苯甲酰,在
80
‑
90℃
搅拌
100
‑
160
分钟,减压蒸馏除去甲苯,得到丙烯酸镁硅氧烷共聚物
。2.
根据权利要求1所述用于半导体设备的超纯净钢的制作方法,其特征在于:所述喷雾干燥的温度为
200
‑
230℃。3.
根据权利要求1所述用于半导体设备的超纯净钢的制作方法,其特征在于:所述钢水脱硫采用混铁车顶喷脱硫法;主要脱硫工艺参数:碳化钙单耗
4.2
‑
4.6kg/
吨钢水,喷粉速度
40
‑
44kg/min
,氮气流量
300
‑
450m3/h
,喷枪插入深度
1.30
‑
1.34m。4.
根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:江庆东,王芬芳,杨洁琼,刘颖波,
申请(专利权)人:浦夕特种合金上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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