砷化镓异质结双极晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种砷化镓异质结双极晶体管，所述砷化镓异质结双极晶体管的基区采用

【技术实现步骤摘要】
砷化镓异质结双极晶体管及其制作方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体地讲，涉及一种砷化镓异质结双极晶体管及其制作方法
。

技术介绍

[0002]砷化镓
(GaAs)
异质结双极晶体管
(HeterojunctionBipolarTransistor
，
HBT)
具有功率密度高
、
增益高
、
相位噪声低
、
线性度好
、
芯片面积小和制造成本低等优点，广泛应用于移动电话
、
光通讯系统
、
雷达系统的射频器件中
。
在一个传统的
GaAs HBT
的结构包括半绝缘
GaAs
衬底，
N
型
GaAs
亚集电区，
N
型
GaAs
集电区，
P
型
GaAs
基区，
N
型
GaInP
发射区，
N<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种砷化镓异质结双极晶体管，其特征在于，所述砷化镓异质结双极晶体管的基区采用
P
型的
GaAsSb
或
InGaAs
材料，所述砷化镓异质结双极晶体管的发射区采用
N
型的
GaInP
材料，其中，在
N
型的
GaInP
材料中，
Ga
组分大于
51
％
。2.
根据权利要求1所述的砷化镓异质结双极晶体管，其特征在于，所述砷化镓异质结双极晶体管还包括衬底
、
亚集电区
、
集电区
、
发射区盖层
、
接触层
、
集电区电极
、
基区电极以及发射区电极；其中，所述亚集电区
、
所述集电区
、
所述基区
、
所述发射区
、
所述发射区盖层
、
所述接触层依序层叠设置在所述衬底上，所述集电区电极与所述亚集电区接触，所述基区电极与所述基区接触，所述发射区电极与所述接触层接触
。3.
根据权利要求2所述的砷化镓异质结双极晶体管，其特征在于，所述衬底为半绝缘
GaAs
；和
/
或，所述亚集电区为
N
型
GaAs
；和
/
或，所述集电区为
N
型
GaAs
；和
/
或，所述发射区盖层为
N
型
GaAs
；和
/
或，所述接触层为
N
型
InGaAs
；和
/
或，所述集电区电极为
AuGe
；和
/
或，所述基区电极为
Ti/Pt/Au
的组合；和
/
或，所述发射区电极为
AuGe。4.
根据权利要求1至3任一项所述的砷化镓异质结双极晶体管，其特征在于，当所述基区采用
P
型的
GaAsSb
材料时，所述发射区中的
Ga
组分为
57
％
。5.
根据权利要求1至3任一项所述的砷化镓异质结双极晶体管，其特征在于，当所述基区采用
P
型的
InGaAs
材料时，所述发射区中的
Ga
组分为
61
％
。6.
一种砷化镓异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；依序在所述衬底上形成层叠的亚集电区

【专利技术属性】
技术研发人员：黄勇，
申请(专利权)人：苏州晶歌半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：