一种低氟单晶硅电池片生产废水处理系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种低氟单晶硅电池片生产废水处理系统，所述调节池底部设置有调节池提升泵，第一反应池与石灰加药装置连通，第一反应池与第一混凝沉淀系统连通，第一混凝沉淀系统与

【技术实现步骤摘要】
一种低氟单晶硅电池片生产废水处理系统


[0001]本技术涉及单晶硅电池生产废水处理领域，具体为一种用于低氟单晶硅电池片生产废水处理的系统
。
技术背景
[0002]单晶硅电池片生产废水的典型特征是：单晶硅生产废水包括一般稀酸废水
、
浓酸废水和浓碱废水
。
其中一般稀酸废水水量较大，该类废水的特点为
COD
较低
、pH
呈酸性，氟化物含量较低
。
该类含氟废水常用化学沉淀法处理，以有效降低废水对水环境的污染
。
[0003]化学沉淀法是含氟废水处理中常用的方法，在高浓度的含氟废水处理应用中较为普及，但对低氟废水处理效果较差，这是因为低氟废水诱导沉淀形成的晶核较难生成，氟化钙沉淀过程中易生成胶状体，而胶状的氟化钙沉降分离十分困难，处理后废水中的氟离子浓度难以稳定达到
《
电池工业污染物排放标准
》
（
GB30484
‑
2013
）
。
[0004] 在现有技术中有一些针对硅太阳能电池片生产含氟废水的处理装置，例如授权公告号为
CN 212269709 U 的技术专利，包括第一调节池
、
第一反应器
、
第二调节池
、
第二反应器和沉淀池，针对氟离子浓度高的浓酸废水先利用第一反应器进行资源化回收；然后将第一反应器排放的出水与其余的低氟废水一起输入第二反应器中，利用氢氧化钙进行后续处理，并通过调节硫酸的添加量，使得单级除氟工艺就能满足电池工业废水排放的要求
。
该种装置是通过化学沉淀法针对氟离子较高的浓酸废水进行废水处理，不适用低氟废水处理
。
[0005] 目前还没有一种专门针对低氟单晶硅电池片生产废水的处理系统， 提供一种采用物化方法对低氟废水进行处理来保证废水处理系统的长期稳定运行
、
出水水质稳定达标，已是一个值得研究的问题
。

技术实现思路

[0006]为了克服上述现有技术中存在的不足，本技术提供了一种经济适用
、
处理效果显著
、
专门用于处理低氟单晶硅电池片生产废水的系统，采用“一级反应＋混凝沉淀
+
二级反应
+
混凝沉淀”的组合工艺对废水进行处理，保证低氟单晶硅电池片生产废水出水水质能够稳定达标，不仅能够最大程度降低废水对受纳水体的污染，还能有效改善人类赖以生存的水环境
。
[0007]本技术的目的是这样实现的：一种低氟单晶硅电池片生产废水处理系统，包括格栅渠
、
调节池
、
第一反应池
、
第一混凝沉淀系统
、
中间水池
、
第二反应池
、
第二混凝沉淀系统
、
污泥池
、
出水渠；
[0008]所述格栅渠的出水口与调节池的进水口连通，调节池内设置有一端通向调节池底部
、
另一端通向第一反应池底部的污水管道，调节池底部的污水管道连接有调节池提升泵，第一反应池通过加药管道与石灰加药装置连通， 第一反应池的出水口与第一混凝沉淀系统进水口连通，第一混凝沉淀系统与
PAC
加药装置和
PAM
加药装置通过加药管道连通，与污
泥池通过污泥管道连通，第一混凝沉淀系统出水口与中间水池进水口连通，所述第一混凝沉淀系统内设置有第一沉淀池刮泥机，第一沉淀池刮泥机通过污泥管道连通污泥池进水口，废水中悬浮的絮凝体与水沉淀分离后经第一沉淀池刮泥机
17
排至污泥池
31
，上清液进入中间水池
18
；
[0009]所述中间水池内设置有一端通向中间水池底部
、
另一端通向第二反应池底部的污水管道，中间水池底部的污水管道连接有中间水池提升泵，第二反应池通过加药管道与氯化钙加药装置连通，第二反应池的出水口与第二混凝沉淀系统进水口连通，第二混凝沉淀系统与
PAC
加药装置和
PAM
加药装置通过加药管道连通，与污泥池通过污泥管道连通，第二混凝沉淀系统出水口与出水渠连通
。
[0010]所述第二混凝沉淀系统内设置有第二沉淀池刮泥机，第二沉淀池刮泥机通过污泥管道与污泥池进水口连通，废水中悬浮的絮凝体与水沉淀分离后经第二沉淀池刮泥机
17
排至污泥池
31
，上清液进入出水渠
30
，出水渠
30
出水达标排放
。
[0011]所述污泥池出水口与调节池通过污水管道连通，污泥压滤机与调节池通过设置有污泥螺杆泵的污水管道连通，污泥池
31
池内污泥经污泥螺杆泵
32
从污泥管道抽送至污泥压滤机
33
进行脱水处理，污泥压滤机
33
的滤出液及污泥池
31
上清液流入调节池3，循环处理
。
[0012]进一步地，所述第一混凝沉淀系统包括第一混凝池
、
第一絮凝池
、
第一沉淀池；其中所述第一混凝池进水口与第一反应池的出水口连通，第一混凝池出水口与第一絮凝池进水口连通，第一絮凝池出水口与第一沉淀池进水口连通，第一沉淀池出水口与中间水池进水口连通；
[0013]进一步地，所述第二混凝沉淀系统包括第二混凝池
、
第二絮凝池
、
第二沉淀池；其中所述第二混凝池进水口与中间水池出水口连通，第二混凝池出水口与第二絮凝池进水口连通，第二絮凝池出水口与第二沉淀池进水口连通，第二沉淀池出水口与出水渠连通；
[0014]积极有益效果：本技术为一种处理效果显著
、
运行管理方便，专门用于处理低氟单晶硅电池片生产废水的系统，根据低氟单晶硅电池片生产废水的特点及现有废水处理现状，本技术采用物化方法，既节约运行管理费用及设备成本，又能保证出水水质稳定达标，同时减少了对水生态环境的污染
。
附图说明
[0015]图1本技术的系统结构示意图
[0016] 图中：格栅渠
1、
格栅
2、
调节池
3、
调节池搅拌器
4、
调节池提升泵
5、
第一反应池布水装置
6、
第一反应池
7、
第一反应池搅拌器
8、
石灰加药装置
9、
第一混凝池
10、
第一絮凝池
11、
第一混凝池搅拌器
12、
第一絮凝池搅拌器
13、PAC
加药装置
14、PAM
加药装置
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种低氟单晶硅电池片生产废水处理系统，其特征在于：包括格栅渠
、
调节池
、
第一反应池
、
第一混凝沉淀系统
、
中间水池
、
第二反应池
、
第二混凝沉淀系统
、
污泥池
、
出水渠；所述格栅渠的进水口与低氟单晶硅污水管道连通，格栅渠的出水口与调节池的进水口连通，调节池内设置有一端通向调节池底部
、
另一端通向第一反应池底部的污水管道，调节池底部的污水管道连接有调节池提升泵，第一反应池通过加药管道与石灰加药装置连通， 第一反应池的出水口与第一混凝沉淀系统进水口连通，第一混凝沉淀系统与
PAC
加药装置和
PAM
加药装置通过加药管道连通，与污泥池通过污泥管道连通，第一混凝沉淀系统出水口与中间水池进水口连通；所述中间水池内设置有一端通向中间水池底部
、
另一端通向第二反应池底部的污水管道，中间水池底部的污水管道连接有中间水池提升泵，第二反应池通过加药管道与氯化钙加药装置连通，第二反应池的出水口与第二混凝沉淀系统进水口连通，第二混凝沉淀系统与
PAC
加药装置和
PAM
加药装置通过加药管道连通，与污泥池通过污泥管道连通，第二混凝沉淀系统出水口与出水渠连通
。2.
根据权利要求1所述的一种低氟单晶硅电池片生产废水处理系统，其特征在于：所述第一混凝沉淀系统包括第一混凝池
、
第一絮凝池
、
第一沉淀池，其中所述第一反应池的出水口与第一混凝沉淀系统中第一混凝池进水口连通，第一混凝池出水口与第一絮凝池进水口连通，第一絮凝池出水口与第一沉淀池进水口连通，第一沉淀池出水口与中间水池进水口连通；所述第一混凝池上端设置有第一混凝池搅拌器和...

【专利技术属性】
技术研发人员：王盼明，刘峻，王艳艳，张卓林，李龙强，王嵩山，李文达，
申请(专利权)人：郑州亿众环境科技有限公司，
类型：新型
国别省市：