显示装置制造方法及图纸

本公开实施例提供一种显示装置，包括出射不同颜色光线的多个子像素，至少一个子像素包括阳极

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本案是专利申请
202080003698.6
的分案申请，原申请的申请日为：
2020
年
12
月
28
日，申请号为：
202080003698.6
，专利技术创造名称为：有机电致发光器件和显示装置
。


[0002]本公开实施例涉及但不限于显示
，尤其涉及一种显示装置
。

技术介绍

[0003]目前，有机电致发光
(OLED)
器件基本由阳极
、
空穴传输层
、
电子阻挡层
、
发光层
、
空穴阻挡层
、
电子传输层和阴极构成，其中，电子阻挡层和空穴阻挡层可以阻挡未被发光层利用的多余的电子
、
空穴，及激子
。
但是由于电子阻挡层对电子不稳定，在长期使用时会裂解，导致器件失效
。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述
。
本概述并非是为了限制权利要求的保护范围
。
[0005]本公开实施例提供一种显示装置，包括出射不同颜色光线的多个子像素，至少一个子像素包括阳极
、
阴极
、
设置于所述阳极和所述阴极之间的发光层
、
以及设置于所述发光层靠近所述阳极一侧的电子阻挡层，相邻的两个出射不同颜色光线的子像素的所述发光层的边缘交叠或者隔离；<br/>[0006]至少一个子像素中，所述发光层包括主体材料和掺杂材料，所述主体材料包括
N
型材料和
P
型材料，所述
N
型材料包括如下结构式的化合物：
[0007][0008]其中，
L2、L3、L4
独立地为单键
、
苯环或联苯；
[0009]AR2
选自以下结构：
[0010][0011]其中，表示与
L3
连接位置；
[0012]AR3、AR4
独立地选自：取代或未取代的
C6
‑
C30
的芳基
、
取代或未取代的环原子数为5‑
30
的杂芳基；
[0013]至少一个子像素中，所述电子阻挡层的材料包括如下结构式的化合物：
[0014][0015]其中，
L1
为单键
、
苯环或联苯；
[0016]R1、R2、R3、R4
独立地选自：氢
、CHO、C(
＝
O)R5、P(
＝
O)R5、S(
＝
O)R5、
氰基
、
硝基硅烷基
、
硼烷基
、
羟基
、
羧基
、C1
‑
C4
的直链烷基
、C3
‑
C40
的环烷基或支链烷基
、C2
‑
C40
的烯基或炔基
、
环原子数为5‑
60
的芳基或杂芳基；其中，
C(
＝
O)R5、P(
＝
O)R5
和
S(
＝
O)R5
中的
R5
独立地选自：
C1
‑
C4
的直链烷基
、C3
‑
C40
的环烷基或支链烷基
、C2
‑
C40
的烯基或炔基
、
环原子数为5‑
60
的芳基或杂芳基；
[0017]AR1
为以下任一种：取代或未取代的二苯基芴
、
取代或未取代的螺二芴
、
取代或未取代的螺芴杂蒽；
[0018]至少一个子像素中，所述电子阻挡层的材料与所述
N
型材料满足：
[0019]2.75eV≤
│
LUMO
N
‑
host
‑
HOMO
EBL
│
＜
3.05eV
；
[0020]0.3
＜
│
HOMO
N
‑
host
‑
HOMO
EBL
│
≤1eV
，且
│
HOMO
EBL
│
＜
│
HOMO
N
‑
host
│
；
[0021]其中，
LUMO
N
‑
host
为所述
N
型材料的最低未占分子轨道能级，
HOMO
EBL
为所述电子阻挡层的材料的最高占据分子轨道能级，
HOMO
N
‑
host
为所述
N
型材料的最高占据分子轨道能级
。
[0022]在示例性实施方式中，至少一个子像素中，所述电子阻挡层的材料与所述
N
型材料形成的激基复合物的发光光谱曲线的峰值波长与所述掺杂材料的吸收光谱曲线的吸收带边波长的差值为
△
λ
，
△
λ
＞
30nm。
[0023]在示例性实施方式中，其中，所述
AR1
选自以下任一种结构：
[0024][0025]其中，表示与
L1
连接位置，
R
表示螺环上的氢或者烃基
。
[0026]在示例性实施方式中，所述电子阻挡层的材料包括以下任一种或多种：
[0027][0028]在示例性实施方式中，所述
N
型材料包括具有如下结构式的化合物：
[0029][0030]在示例性实施方式中，所述
P
型材料包括具有如下结构式的化合物：
[0031][0032]在示例性实施方式中，所述掺杂材料包括以下任一种或多种：香豆素染料
、
喹吖啶铜类衍生物
、
多环芳香烃
、
二胺蒽类衍生物
、
咔唑衍生物
、
金属配合物
。
[0033]在示例性实施方式中，至少一个子像素还包括设于所述阳极和所述电子阻挡层之间的空穴传输层，所述空穴传输层的材料与所述电子阻挡层的材料满足：
0eV≤
│
HOMO
HTL
‑
HOMO
EBL
│
≤0.2eV
；其中，
HOMO
HTL<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示装置，包括出射不同颜色光线的多个子像素，至少一个子像素包括阳极
、
阴极
、
设置于所述阳极和所述阴极之间的发光层
、
以及设置于所述发光层靠近所述阳极一侧的电子阻挡层，相邻的两个出射不同颜色光线的子像素的所述发光层的边缘交叠或者隔离；至少一个子像素中，所述发光层包括主体材料和掺杂材料，所述主体材料包括
N
型材料和
P
型材料，所述
N
型材料包括如下结构式的化合物：其中，
L2、L3、L4
独立地为单键
、
苯环或联苯；
AR2
选自以下结构：选自以下结构：其中，表示与
L3
连接位置；
AR3、AR4
独立地选自：取代或未取代的
C6
‑
C30
的芳基
、
取代或未取代的环原子数为5‑
30
的杂芳基；至少一个子像素中，所述电子阻挡层的材料包括如下结构式的化合物：其中，
L1
为单键
、
苯环或联苯；
R1、R2、R3、R4
独立地选自：氢
、CHO、C(
＝
O)R5、P(
＝
O)R5、S(
＝
O)R5、
氰基
、
硝基硅烷基
、
硼烷基
、
羟基
、
羧基
、C1
‑
C4
的直链烷基
、C3
‑
C40
的环烷基或支链烷基
、C2
‑
C40
的烯基或炔基
、
环原子数为5‑
60
的芳基或杂芳基；其中，
C(
＝
O)R5、P(
＝
O)R5
和
S(
＝
O)R5
中的
R5
独立地选自：
C1
‑
C4
的直链烷基
、C3
‑
C40
的环烷基或支链烷基
、C2
‑
C40
的烯基或炔基
、
环原子数为5‑
60
的芳基或杂芳基；
AR1
为以下任一种：取代或未取代的二苯基芴
、
取代或未取代的螺二芴
、
取代或未取代的螺芴杂蒽；至少一个子像素中，所述电子阻挡层的材料与所述
N
型材料满足：
2.75eV≤
│
LUMO
N
‑
host
‑
HOMO
EBL
│
＜
3.05eV
；
0.3
＜
│
HOMO
N
‑
host
‑
HOMO
EBL
│
≤1eV
，且
│

【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉倩，刘杨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：