一种高增益低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种高增益低噪声放大器，包括：输入匹配电路

【技术实现步骤摘要】
和负载电阻
R3；
[0013]其中，所述晶体管
M1和所述晶体管
M2均为
N
沟道晶体管；
[0014]所述直流偏置电阻
R1的一端连接第一直流偏置电压，另一端与所述晶体管
M1的栅极连接；
[0015]所述晶体管
M1的栅极连接所述输入匹配电路的输出端，漏极与所述晶体管
M2的源极相连接，源极接地；
[0016]所述晶体管
M2的栅极连接所述辅助放大电路的射频输出端，漏极连接所述输出匹配电路的输入端并通过所述负载电阻
R3连接电源电压，源极连接所述晶体管
M1的漏极；
[0017]所述晶体管
M1的漏极和所述晶体管
M2的源极互连的节点
N2通过耦合电容连接所述辅助放大电路的第二直流偏置压
。
[0018]在一个实施例中，本专利技术的辅助放大电路包括：直流偏置电阻
R2、
晶体管
M3和晶体管
M4；
[0019]其中，所述晶体管
M3和所述晶体管
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高增益低噪声放大器，其特征在于，包括：输入匹配电路
、
主放大电路
、
辅助放大电路以及输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路，用于实现输入端阻抗匹配并接收射频信号；所述主放大电路，与所述输入匹配电路相连接，用于对所述射频信号进行放大；所述主放大电路为共源共栅结构的放大电路；所述辅助放大电路，与所述输入匹配电路和所述主放大电路相连接，用于辅助所述主放大电路对所述射频信号进行放大，同时提高所述主放大电路中共源管及共栅管的等效跨导；所述输出匹配电路，与所述主放大电路相连接，用于实现输出端阻抗匹配并输出放大后的射频信号
。2.
根据权利要求1所述的高增益低噪声放大器，其特征在于，所述主放大电路包括：直流偏置电阻
R1、
晶体管
M1、
晶体管
M2和负载电阻
R3；其中，所述晶体管
M1和所述晶体管
M2均为
N
沟道晶体管；所述直流偏置电阻
R1的一端连接第一直流偏置电压，另一端与所述晶体管
M1的栅极连接；所述晶体管
M1的栅极连接所述输入匹配电路的输出端，漏极与所述晶体管
M2的源极相连接，源极接地；所述晶体管
M2的栅极连接所述辅助放大电路的射频输出端，漏极连接所述输出匹配电路的输入端并通过所述负载电阻
R3连接电源电压，源极连接所述晶体管
M1的漏极；所述晶体管
M1的漏极和所述晶体管
M2的源极互连的节点
N2通过耦合电容连接所述辅助放大电路的第二直流偏置压
。3.
根据权利要求2所述的高增益低噪声放大器，其特征在于，所述辅助放大电路包括：直流偏置电阻
R2、
晶体管
M3和晶体管
M4；其中，所述晶体管
M3和所述晶体管
M4均为
P
沟道晶体管；所述晶体管
M3的栅极连接所述输入匹配电路的输出端，漏极连接所述节点
N2，源极连接所述晶体管
M4的漏极；所述晶体管
M4的栅极通过所述直流偏置电阻
R2连接所述第二直流偏置电压，漏极连接所述晶体管
M3的源极，源极连接电源电压；所述晶体管
M3的源极和所述晶体管<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振荣，李承志，何炫章，王航，滕天，余立艳，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：